李思渊
- 作品数：62 被引量：39H指数：4
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：甘肃省自然科学基金“九五”国家科技攻关计划“八五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
- 一种静电感应器件及其制造方法
- 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法。本发明的器件是在基片的高阻区内所形成的栅条及栅墙之上形成绝缘层，在栅条间的沟道区之上形成源区，且所述的源区被位于栅条上的绝缘层隔开。本发明的方法是在单晶基片上以外延方法形成高阻层，...
- 李思渊何山虎李寿嵩唐金科张秀文张旗刘肃毕祥林卢小莹田仁杰
- 文献传递
- 静电感应晶体管(SIT)作用机制的理论研究被引量：4
- 1994年
- 对静电感应晶体管(SIT)的小电流工作区,从电势方程出发,利用设定的边界条件,导出了二维势函数的近似解析表达式,并以此为据对SIT的作用机制进行了系列分析,进而对SIT的中、大电流工作区及特大电流工作区进行了讨论.指出大电流时,SIT的电流-电压特性与空间电荷限制效应密切相关.
- 李思渊孙卓刘肃
- 关键词：静电感应晶体管
- 电力SITH动态测试原理与计算方法被引量：1
- 1994年
- 介绍了电容脉冲测试原理,指出采用高电压、小电流的直流电源,可对电力SITH的动态参数进行模拟测试.文中给出了测试电路的设计计算方法.
- 刘肃李思渊康宁
- 关键词：静电感应晶闸管
- 复合结构静电感应晶体管的终端造型
- 2011年
- 为了克服几何形状(曲率效应)造成的边角电场对平面扩散结击穿性能的劣化效应,对应于静电感应器件的复合结构,采用限场环与切断环作为终端造型,使结边界处的耗尽层宽度反窄化效应而展宽,以分散电力线并降低表面电场。
- 朱筠李思渊
- 镜像法分析静电感应晶体管特性(英文)被引量：1
- 2005年
- 针对埋栅型静电感应晶体管 (SIT)提出一种柱栅模型 .用镜像法计算了器件内电势分布 ,并在此基础上计算了沟道势垒、栅效率、电压放大因子等 .结果表明 :沟道势垒直接取决于沟道过夹断因子 ;栅效率随栅尺寸和位移栅压的减小而减小 ,并随位移栅压一起趋向于 0 ;在小电流情况下电压放大因子随电流的增大而增大 ,到一定数值后 ,电压放大因子趋于常数 .最后给出了SITI V特性解析表达式 ,它既适用于类三极管特性 (加大栅压下 )也适用于混合特性 (较小栅压下 ) ,且由此得到的I V特性曲线和实验符合较好 .
- 胡冬青李思渊王永顺
- 关键词：静电感应晶体管镜像法I-V特性
- BSIT开启特性的研究被引量：1
- 1996年
- 双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注．但对其作用机制，特别是正栅压下的开启特性还需进一步深入研究．在实验观测的基础上，对ＢＳＩＴ开通过程进行了理论分析和二维数值模拟．结果表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即由正向小栅压（ＶＧ≤０．５Ｖ）下的势垒控制机制转变为大栅压（ＶＧ≥０．５Ｖ）下的少子注入电流控制机制．数值计算给出的结果有：小栅压下沿沟道中心线的电势分布；沿沟道的少子和电场分布；开态的Ｉ－Ｖ特性；通态压降与饱和电流随正栅压的变化；通态电阻随栅压和材料参数的变化；特别是电流增益随栅压。
- 李思渊刘瑞喜李成刘肃杨建红韩永召
- 关键词：双极型静电感应晶体管
- 静电感应晶体管I-V特性的控制被引量：3
- 1998年
- 静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管、类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ、沟道厚度ｄｃ、比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则、方法，引入了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制进行了讨论。
- 刘瑞喜李思渊
- 关键词：静电感应晶体管I-V特性SIT晶体管
- 复合结构静电感应晶体管的终端造型
- 2011年
- 为了克服几何形状(曲率效应)造成的边角电场对平面扩散结击穿性能的劣化效应,对应于静电感应器件的复合结构,采用限场环与切断环作为终端造型,使结边界处的耗尽层宽度反窄化效应而展宽,以分散电力线并降低表面电场。
- 朱筠李思渊
- BSIT开态的数值分析被引量：1
- 1996年
- 对双极模式静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）开通过程的理论分析和二维数值模拟清楚地表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即正向小栅压（ＶＧ＜０．５Ｖ）下的势垒控制机制转变为大栅压下（ＶＧ＞０．５Ｖ）的少子注入电流控制机制。数值计算给出的结果有：小栅压下沿沟道中心线的电势分布；沿沟道的少子和电场分布；开态的Ｉ－Ｖ特性；通态压降和饱和电流随正栅压的变化；通态电阻随栅压和材料参数的变化；特别是电流增益随栅压、漏电流以及材料参数的变化。上述结果加深了我们对ＢＳＩＴ通导过程和通态特性的物理本质的认识。
- 李思渊刘瑞喜李成韩永召刘肃
- 关键词：静电感应晶体管BSIT数值模拟
- 用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn^+pp^+结构钝化的分析被引量：2
- 2000年
- 用半绝缘多晶硅 ( SIPOS) - Si O2 复合层作为 4H- Si C n+ pp+结构的钝化层 ,克服了用多孔碳化硅或单纯用 Si O2 钝化的不足 .在 LPCVD淀积 SIPOS层后 ,用 90 0℃氧气氛退火代替了平常的热氧化 ,在 SIPOS层上生长了一层 Si O2 .实际测量证实了这种新方法的合理性 .分析了各主要工艺对钝化效果的影响 ,综合优化指出 :在淀积 SIPOS层时 ,掺氧量要高 ,而淀积温度不应太高 .用此方法钝化的 4H- Si C n+ pp+ 结构 ,击穿电压接近理想值 。
- 姜岩峰李思渊刘肃曹磊薄建军
- 关键词：复合层钝化层SIPOS
