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冯志宏

作品数：16 被引量：22H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 13篇电子电信
  • 5篇理学

主题

  • 8篇立方相
  • 7篇氮化镓
  • 6篇立方相GAN
  • 6篇GAN
  • 5篇MOCVD
  • 4篇英文
  • 3篇砷化镓
  • 3篇MOVPE
  • 2篇探测器
  • 2篇透射电子显微...
  • 2篇气相外延
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇外延层
  • 2篇立方GAN
  • 2篇金属有机物
  • 2篇金属有机物气...
  • 2篇发光
  • 2篇半导体
  • 2篇GAAS衬底

机构

  • 16篇中国科学院
  • 1篇广西大学
  • 1篇中国地质科学...

作者

  • 16篇冯志宏
  • 16篇杨辉
  • 10篇赵德刚
  • 8篇段俐宏
  • 8篇沈晓明
  • 7篇孙元平
  • 6篇冯淦
  • 6篇付羿
  • 5篇张泽洪
  • 5篇张宝顺
  • 4篇张书明
  • 3篇王海
  • 3篇渠波
  • 3篇王玉田
  • 3篇郑新和
  • 3篇朱建军
  • 2篇徐大鹏
  • 2篇李顺峰
  • 2篇刘素英
  • 1篇李秉臣

传媒

  • 8篇Journa...
  • 2篇发光学报
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇广西大学学报...
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 2篇2003
  • 9篇2002
  • 3篇2001
  • 2篇2000
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOCVD外延生长
2002年
利用 MOCVD生长技术在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的立方相 Al Ga N薄膜 .通过光致发光 (PL )、扫描电镜 (SEM)分析了不同 NH3流量、不同生长温度对 Al Ga N外延层的结晶质量和表面形貌的影响 .发现相对高的 NH3流量和相对高的生长温度可以提高 Al Ga
冯志宏杨辉徐大鹏赵德刚王海段俐宏
关键词：MOCVD立方相砷化镓铝镓氮
Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为被引量：2
2003年
在金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n GaN上用Pt制成了肖特基接触 ,并在 2 5 0～6 5 0℃范围内对该接触进行退火 .通过实验发现 ,Pt与非故意掺杂n GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触 ,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n GaN肖特基接触的性质 .在该实验条件下 ,40 0℃温度下退火后的Pt/n GaN肖特基接触 ,势垒高度最大 ,理想因子最小 .在 6 0 0℃以上温度退火后 ,该接触特性受到破坏 ,SEM显示在该温度下 ,Pt已经在GaN表面凝聚成球 ,表面形成孔洞 .
张泽洪孙元平赵德刚段俐宏王俊沈晓明冯淦冯志宏杨辉
关键词：GANPT肖特基接触退火MOVPE
GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术被引量：4
2002年
利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上,并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底.SEM和PL观察表明,利用键合技术可以完整地把立方相GaN外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质.XRD（X射线衍射）结果分析显示,键合后的样品中出现了新的合金和化合物:AuGa2,Ni4N,意味着用来作为黏附层和形成Ohm接触的Ni/Au膜与p-GaN形成了紧密的结合,保证了金属膜与GaN层的牢固度和界面的小接触电阻,成功地完成了键合,为下一步以GaAs吸收衬底生长的GaN基器件的研制打下了基础.
孙元平付羿渠波王玉田冯志宏赵德刚郑新和段俐宏李秉臣张书明杨辉姜晓明郑文莉贾全杰
关键词：GAN立方相砷化镓氮化镓
GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较
2002年
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 .实验发现 c- Ga N膜的暗态电流和光电流的变化不同于 h- Ga N膜的腐蚀电流的变化规律 .对引起上述差异的原因进行了简单的讨论 .
沈晓明张秀兰孙元平赵德刚冯淦张宝顺张泽洪冯志宏杨辉
关键词：MOVPE金属有机物气相外延立方相氮化镓
用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度被引量：4
2002年
尝试用侧向外延 (ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度 .侧向外延是在SiO2 /GaN/GaAs图形衬底上进行的 ,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜 (SEM)和透射电子显微镜 (TEM)进行了观察和分析 ,TEM的平面像表明经过ELOG方法生长后 ,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的 5× 10 9cm-2 降低至生长后的 6× 10 8cm-2 .双晶X射线衍射 (DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描 (0 0 2 )衍射摇摆曲线的半高宽(FWHM)分别为 33′和 17 8′ ,表明晶体质量有了较大改善 .对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论 .
沈晓明付羿冯淦张宝顺冯志宏杨辉
关键词：立方相GANSEMTEM扫描电子显微镜透射电子显微镜
GaN/GaAs(001)外延薄膜的湿法腐蚀特性(英文)
2002年
对在GaAs (0 0 1)衬底上用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究 .所用腐蚀液包括HCl、H3PO4 、KOH水溶液以及熔融KOH ,腐蚀温度为 90～ 30 0℃ .实验发现不同的腐蚀液在样品表面腐蚀出不同形状的腐蚀坑 .KOH溶液腐蚀出长方形的坑 ,长边平行于 (111)A面 ,表明沿相互垂直的〈110〉晶向的腐蚀特性不同 .用不同晶面相对反应性的差别定性解释了腐蚀的这种非对称性 .此外 ,还发现KOH水溶液更有可能用于显示立方相GaN外延层中的层错 .
沈晓明冯志宏冯淦付羿张宝顺孙元平张泽洪杨辉
关键词：砷化镓MOVPE湿法腐蚀金属有机物气相外延
GaN基紫外探测器的研究与制备(英文)
2001年
报道了用MOCVD方法在GaAs衬底上制作p GaN/InGaN/n GaN结构紫外探测器。我们对器件进行了测试分析。根据器件光伏信号强度和相位的测量结果 ,我们得到了该器件的能带结构图。我们还发现Ni/Au电极与p GaN之间的接触表现出肖特基接触的特性。该探测器在入射光波长为 375nm处的响应度大约为 7 4× 1 0 -3 A/W。
杨辉赵德刚张书明朱建军冯志宏段俐宏刘素英
关键词：GAN紫外探测器MOCVD
立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性
2002年
通过 TEM截面像和平面像的观察 ,对于用低压金属有机化合物气相外延 (LP MOVPE)法在 Ga As(0 0 1 )衬底上制备的立方相 Ga N外延层中的缺陷结构进行了观察和分析 .结果表明 ,在立方 Ga N/Ga As(0 0 1 )外延层中存在很高密度的堆垛层错 .层错密度及其宽度在相互垂直的〈1 1 0〉方向上有明显的差异 .闪锌矿结构中 α位错与
沈晓明渠波冯志宏杨辉
关键词：外延层立方相GAN透射电子显微镜堆垛层错
立方相GaN的持续光电导被引量：2
2003年
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 .
张泽洪赵德刚孙元平冯志宏沈晓明张宝顺冯淦郑新和杨辉
关键词：立方相GAN持续光电导氮化镓
立方相氮化镓发光材料和器件
杨辉张书名郑联喜徐大鹏王玉田冯志宏赵德刚朱建军李顺峰段俐宏王海孙小玲
该项目在国际上率先开发出具有潜在优势的立方相氮化镓蓝色LED。六方相h-GaN主要是用兰宝石和SiC做衬底。兰宝石衬底硬度高、不导电，这对随后的器件工艺造成很大困难，器件成品率极低。难于解理激光器腔面的问题更影响了它的应...
关键词：
关键词：氮化镓立方相MOCVD
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