冷俊林
- 作品数：47 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法
- 本发明公开了一种温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法，包括如下步骤：1）清洗晶片；2）在晶片的器件面上制作声表面波器件的金属芯片；3）在金属芯片的金属面制作温度补偿层；4）在温度补偿层上开槽并涂覆吸声胶。本...
- 董加和冷俊林陆川
- 文献传递
- 压电单晶薄膜衬底光刻工艺研究被引量：1
- 2021年
- 单晶薄膜声表面波(SAW)滤波器因其低损耗,低频率温度系数及大带宽而成为高性能SAW滤波器未来发展的方向。针对单晶薄膜衬底反射带来的换能器指条锯齿和均匀性恶化的问题,该文采用了有机抗反射膜工艺,通过控制抗反射膜的膜厚将衬底的相对反射率由15.84%降低至1.08%,制作出整齐无毛刺的叉指换能器指条,并将SAW谐振器的伯德Q(Bode-Q)值由1400提升到1950。
- 唐代华潘祺米佳冷俊林唐塽何西良黎妮
- 关键词：抗反射膜光刻
- 预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法
- 本发明公开了一种预设空腔型SOI基片薄膜体声波滤波器及制作方法，涉及微电子器件领域，滤波器由制作于预设空腔SOI基片上的多个薄膜体声波谐振器单元电学级联构成，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，SOI基片的衬底硅上表面设...
- 杨增涛马晋毅欧黎冷俊林杨正兵赵建华陈运祥周勇陈小兵傅金桥张龙张涛曹亮
- 干法刻蚀条件对Mo侧壁角度的影响被引量：2
- 2016年
- 该文介绍了F基气体电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀系统对金属Mo薄膜侧壁角度的影响。通过调节ICP干法刻蚀设备的射频功率、ICP离子源功率、腔体气压、SF6及Ar的气体流量等工艺参数,实现了30.3°～51.6°的侧壁倾角,为薄膜体声波谐振器（FBAR）研制工艺提供了有益指导。
- 田本朗徐阳曹家强杜波马晋毅米佳冷俊林
- 关键词：干法刻蚀MO
- 预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法
- 本发明公开了一种预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法，涉及微电子器件领域，包括带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，谐振器电极近似椭圆形；所述带空腔SOI基片中的衬底硅...
- 杨增涛马晋毅冷俊林赵建华杨正兵江洪敏傅金桥张龙周益民
- 文献传递
- 2 GHz宽带低损耗SAW滤波器的研制
- 2014年
- 利用射频电路模拟软件中构建的声表面波(SAW)低损耗滤波器设计工具,对S波段SAW滤波器的设计技术展开研究。通过建立集总参数模型,分析高频下封装效应对滤波器性能的影响,并成功研制出中心频率达2.2GHz,最小插入损耗为-3dB,相对带宽达到7%的SAW滤波器,测试与仿真结果基本一致。
- 蒋欣金剑冷俊林蒋世义董加和胡杨刘晓莉
- 关键词：S波段声表面波滤波器低损耗
- 声表面波器件光刻工艺技术要求
- 本标准规定了声表面波器件光刻工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及声表而波器件光刻工艺的典型工艺流程、各工序技术、检验等详细要求。本标准适用军用于声表面波器件光刻工艺中的湿法腐蚀方法、干法刻蚀方法、剥离...
- 冷俊林吴琳张俊米佳陶毅冉龙明李洪平张龙刘洋曾武
- 一种温度补偿型声表面波器件杂波的抑制方法
- 本发明公开了一种温度补偿型声表面波器件杂波的抑制方法，包括以下步骤：1）清洗晶片；2）在晶片的器件面上制作声表面波器件的金属叉指层；3）在晶片上制作平坦化的温度补偿层，并该温度补偿层将金属叉指层覆盖；4）在温度补偿层位于...
- 冷俊林董加和
- 文献传递
- 声表面波器件镀膜工艺技术要求
- 本标准规定了声表面波器件镀金属膜工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及声表面波器件镀金属膜」_艺的典型工艺流程、各土序技术、检验等详细要求。本标准适用于军用声表面波器件的电子束蒸发和磁控溅射镀金属膜工艺...
- 李洪平吴琳张俊陈彦光刘洋刘晓莉许东辉陶毅米佳冷俊林
- 温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法
- 本发明公开了一种温度补偿型声表面波器件的温补层上表层表面波抑制方法，包括如下步骤：1）清洗晶片；2）在晶片的器件面上制作声表面波器件的金属芯片；3）在金属芯片的金属面制作温度补偿层；4）在温度补偿层上开槽并涂覆吸声胶。本...
- 董加和冷俊林陆川
- 文献传递
