米佳
- 作品数：56 被引量：30H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 一种芯片级声表面波器件气密性封装及方法
- 本发明公开一种芯片级声表面波器件气密性封装，包括陶瓷基板、声表面波芯片和金属管帽，陶瓷基板的内表面上设有内电极和围绕内电极的金属接地框，内电极和金属接地框上均设有焊料；声表面波芯片上设有金属凸点，内电极上的焊料与该金属凸...
- 米佳陶毅蒋国宇董姝任超赵雪梅张龙刘积学陈湘渝
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- 薄膜体声波谐振器结构及其制造方法
- 本发明涉及一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法及薄膜体声波谐振器结构。该薄膜体声波谐振器结构的制造方法其包括步骤：于载片上形成薄膜体声波谐振器；于衬底上形成空腔；将薄膜体声波谐振器搭载在该空腔；形成该薄膜体声波谐振器的电极...
- 杜波马晋毅米佳江洪敏
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- 一种新型金属扩散键合工艺
- 本发明公开了一种新型金属扩散键合工艺，主要步骤为，将两沉积了键合层金属的部件封装于真空密封软袋内，再将真空密封软袋置于盛装有液体的容器中，该容器与加压装置相连，加压装置施加的压力通过容器中的液体和真空密封软袋作用于需要键...
- 米佳刘光聪陶毅陆川
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- 一种声表面横波谐振滤波器
- 本申请公开了一种声表面横波谐振滤波器，包括压电石英基片，其特征在于，压电石英基片上的依次梳状设置有第一反射器、第一换能器、中间短路栅、第二换能器及第二反射器作为压电石英基片的拓扑结构，第一换能器的两端分别设置有第一电极及...
- 周卫杨正兵朱明黎亮米佳冷俊林段伟吴雪梅刘冬梅
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- 一种声表面波器件结构及其横向杂波模式抑制方法
- 本发明公开了一种声表面波器件结构及其横向杂波模式抑制方法，该结构包括汇流排、假指、间隙和指条组件，所述指条组件包括沿轴向均匀设置的多个指条，且所述指条沿竖向方向整体呈具有多个台阶的阶梯形结构。本方案通过对汇流排、假指、间...
- 杜雪松陈正林潘虹芝肖强詹雪奎董加和贺艺冷俊林米佳马晋毅
- 一种气密性芯片级微声器件阵列式封装装置及方法
- 本发明公开了一种气密性芯片级微声器件阵列式封装装置，包括夹具底座、定位框及夹具上板，夹具底座上端面设有与定位框外沿形状相匹配的定位框安装槽，定位框上端面设有网格状的封盖定位槽，每个封盖定位槽对应一个封盖，夹具底座上端面还...
- 米佳罗毅文
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- 高密度电子系统的微热控技术研究被引量：6
- 2020年
- 在摩尔定律提出之后的50年时间里,电子系统的集成度和组装度不断提高,功率和热流密度越来越大,微热管理技术已成为高密度电子系统(包括元器件、芯片、组/部件及系统本身)设计与制造的重要研究目标。文章分析了微热控技术的发展背景,叙述了微通道、微热管和微喷射等三种基本热控系统的典型结构和工作原理。最后,介绍了近年来具有代表性的微热控技术的发展现状和技术成果。
- 李晖李左翰胡少勤米佳毛世平
- 关键词：电子系统微通道微热管
- 声表面波器件封帽工艺技术要求
- 本标准规定了声表而波器件封帽工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及声表面波器件封帽工艺的典型工艺流程、各工序技术、检验等详细要求。本标准适用于军用声表而波器件平行缝焊和储能焊工艺。
- 米佳罗毅文吴琳张俊汪红兵刘洋李洪平冷俊林陶毅
- SiO_(2)/W反射叠层的分布电容对体波谐振器的影响
- 2023年
- 该文使用SiO_(2)和金属材料钨(W)构造布喇格反射叠层,将其应用于由横向电场激励体声波谐振器(XBAR),并分析了金属层对谐振器性能的影响。所设计的谐振器以128°YX-切铌酸锂为压电层,Al为电极,SiO_(2)和W为周期层叠结构,单晶硅作为衬底的固态装配型谐振器(SMR),利用叉指电极换能器(IDT)激发出A1模式。首先计算声阻抗层厚度对SiO_(2)/W叠层传输系数的影响,得到中心频率为3.7 GHz的布喇格阻带。横波(主模)在经过叠层时被反射,纵波(杂模)则部分地泄露到衬底。由于钨具有电导性,致使IDT与钨之间形成并联分布电容,改变了原有的电场分布,导致谐振器的耦合系数下降。通过实验测试谐振器的实际性能,获得耦合系数为12%。虽然W具有高声阻抗,但分布电容的影响恶化了电气参数。
- 吴兆辉唐盘良唐盘良米佳米佳
- 声表面波器件镀膜工艺技术要求
- 本标准规定了声表面波器件镀金属膜工艺的人员、环境、安全、材料、设备和仪器等一般要求，以及声表面波器件镀金属膜」_艺的典型工艺流程、各土序技术、检验等详细要求。本标准适用于军用声表面波器件的电子束蒸发和磁控溅射镀金属膜工艺...
- 李洪平吴琳张俊陈彦光刘洋刘晓莉许东辉陶毅米佳冷俊林
