刘远达
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：辽宁省博士科研启动基金国家自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 基于低温生长n—ZnO电子注入层的InGaN黄绿光发光二极管的制备与研究
- 本文通过500℃低温金属有机化学气相沉积(MOCVD)在MQWs/p-GaN外延层上生长n—ZnO薄膜,并制得n—ZnO/p-GaN异质结发光二极管。电致发光(EL)下该异质结表现出典型的二极管整流特性,正向开启电压约1...
- 程轶梁红伟柳阳刘远达边继明骆英民张贺秋胡礼中杜国同
- 关键词：发光二极管
- 文献传递
- MOCVD腔体压力对ZnO薄膜生长的影响
- 刘远达柳阳杜国同梁红伟夏晓川杨建增冯艳彬宋世魏张克雄杨德超申人升
- 文献传递
- 氧化锌薄膜铜镓掺杂及其相关发光器件制备
- ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料,室温时禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,这些特点使其适合制备短波长光电器件。然而,目前ZnO薄膜的研究仍存在诸多问题,未故意掺杂的ZnO的薄膜呈现n-型导电,但仍不能...
- 刘远达
- 关键词：氧化锌
- 文献传递
- MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜被引量：5
- 2011年
- 通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2O3衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜。X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长。X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中。利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶Cu进行室温和低温PL测试,在ZnO∶Cu样品的低温PL谱中观察到一个强度很强、范围很广的蓝紫光发射峰(Blue-violet发射峰,BV发射峰),范围在2.8～3.3 eV之间,又进一步通过变温PL测试发现随着温度的升高,BV发射峰峰位发生红移,且80 K时BV发射峰高能边出现自由电子向受主能级(eA0)的跃迁发光,并计算了Cu受主离化能。
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- 关键词：MOCVD光致发光
- Cu掺杂ZnO的光致发光光谱被引量：2
- 2011年
- ZnO是宽禁带半导体,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,是制备光电器件的优选材料。然而,p型掺杂仍是亟待解决的问题。ⅠB元素Cu被认为在ZnO中产生受主能级,可以实现ZnO的p型掺杂。综述了各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的Cu掺杂ZnO薄膜、纳米线和纳米棒的光致发光谱和机理,总结出Cu掺杂ZnO光致发光谱的带边发射会因为Cu的掺杂强度降低,或出现发射中心红移等现象。可见光区域由于Cu掺杂会产生新的蓝光、绿光和橙光发射峰,蓝光发射峰可能与Cu2+-Cu+跃迁或VZn和Zni有关;绿光发射峰可能与Cu杂质或VO-VZn跃迁有关,Cu掺杂还可能引入非辐射复合的点缺陷中心;橙光发射峰则可能由于Cu杂质受主能级向深施主能级跃迁而产生。
- 许露梁红伟刘远达李春野冯秋菊柳阳李国兴杜国同
- 关键词：光致发光可见光发射
- p-GaN/Ga2O3/ZnO/Ga2O3/n-GaN/Sapphire双异质结发光二极管
- 采用低压金属有机物化学气相沉积技术成功制备了p-GaN/Ga2O3/ZnO/Ga2O3/n-GaN/Sapphire双异质结发光二极管,在正向直流电压下,测试得到～406nm的紫外电致发光。在相同生长条件下分别制备了p-...
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- InN、ZnO材料的制备及其电注入发光研究
- 我们对ZnO材料及其发光器件研究已十余年,近年来又了开展A1N、InN材料制备研究。ZnO研究方面:我们自行设计加工了znO生长专用MOCVD系统,该系统直接采用O2气为氧源,不引入其他元素,有利于n型、p犁掺杂和载流子...
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