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一种用于太阳能电池片的减反射膜及其制造方法: 本发明提供一种太阳能电池减反射膜及其制造方法。该太阳能电池减反射膜包括：第一氮化硅层，覆盖于所述太阳能电池片的表面；第二氮化硅层，覆盖于所述第一氮化硅层的上表面；以及第三氮化硅层，覆盖于所述第二氮化硅层的上表面。本发明的...; 郭永强和江变于利亚马承鸿宗灵仑李健; 文献传递

减反射膜及具有该减反射膜的太阳能电池片: 本实用新型提供一种减反射膜及具有该减反射膜的太阳能电池片，所述减反射膜包括：第一层膜，覆盖于所述太阳能电池片的表面；第二层膜，覆盖于所述第一层膜的上表面；以及第三层膜，覆盖于所述第二层膜的上表面，且所述第一层膜的折射率大...; 康海涛和江变马承鸿倪明镜李健贾影; 文献传递

冶金硅太阳电池的欧姆接触制作及质量分析: 采用常规丝网印刷技术研制、生产冶金多晶硅太阳电池(156×156mm2)。研究冶金硅太阳电池丝网印刷制作的上下Ag电极、A(l)背场、烧结温度及网版等因素对电池转换效率及整体性能的影响。采用椭圆激光偏振仪、扫描电子显微镜...; 和江变; 关键词：太阳电池丝网印刷欧姆接触

碱性腐蚀液及腐蚀多晶硅片的方法: 本发明提供一种碱性腐蚀液，该碱性腐蚀液由氯酸钠、氢氧化钠和水混合而成，其中氯酸钠、氢氧化钠和水的质量比为6～8：1：40～60。本发明还提供一种利用碱性腐蚀液腐蚀多晶硅片的方法。采用本发明的碱性腐蚀液对多晶硅片进行腐蚀，...; 贾影和江变马承鸿倪明镜李健康海涛; 文献传递

热处理对CuInS_2薄膜导电类型及光学特性的影响被引量：1: 2013年; 真空蒸发在载玻片上沉积CuInS2薄膜(Cu、In、S原子配比为1:0.1:1.2)。摸索CuInS2薄膜发生导电类型转换最有效的热处理条件,研究不同热处理工艺对CuInS2薄膜的结构、表面形貌、化学成分比和光学性能的影响。实验给出:沉积的薄膜进行360℃热处理30 min后,得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜;SEM分析显示薄膜表面呈颗粒状较平整致密性略差,导电类型为N型,薄膜的本征吸收限为1.46eV,直接光学带隙Eg=1.38 eV。对薄膜进行370℃热处理20 min同样可得到N型CuInS2但含有少量的CuS2成分,薄膜表面致密性变好但粗糙度增大,本征吸收限发生红移为1.42 eV,Eg=1.40 eV。370℃,30 min热处理后可得到P型CuInS2薄膜,Eg=1.37 eV。制备的三种CuInS2薄膜的光吸收系数都在104cm-1数量级以上。CuInS2薄膜中In或Cu元素含量大小,对薄膜的导电类型的变化起着决定性的作用,而薄膜中S和In元素的变化直接取决于热处理的条件。; 和江变李健董斌华; 关键词：导电类型光学特性

用PECVD技术间断性沉积三层氮化硅薄膜的研制及应用: 物理冶金法提纯多晶硅技术具有产量大、成本低、不涉及化学过程及设备价格较低等优点。但与常规化学法提纯的光伏多晶硅材料相比,硼和金属杂质等含量还是有些高,所以使制作的物理多晶硅太阳电池的光电转换效率偏低,反向电流较大。不断降...; 康海涛李健和江变马承鸿郭永强于利亚; 关键词：钝化; 文献传递

碱性腐蚀液及腐蚀多晶硅片的方法: 本发明提供一种碱性腐蚀液，该碱性腐蚀液由氯酸钠、氢氧化钠和水混合而成，其中氯酸钠、氢氧化钠和水的质量比为6～8：1：40～60。本发明还提供一种利用碱性腐蚀液腐蚀多晶硅片的方法。采用本发明的碱性腐蚀液对多晶硅片进行腐蚀，...; 贾影和江变马承鸿倪明镜李健康海涛; 文献传递

一种用于太阳能电池片的减反射膜的制造方法: 本发明提供一种太阳能电池减反射膜及其制造方法。该太阳能电池减反射膜包括：第一氮化硅层，覆盖于所述太阳能电池片的表面；第二氮化硅层，覆盖于所述第一氮化硅层的上表面；以及第三氮化硅层，覆盖于所述第二氮化硅层的上表面。本发明的...; 郭永强和江变于利亚马承鸿宗灵仑李健; 文献传递

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和江变