董斌华
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区自然科学基金内蒙古自治区高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- n型CuInS_2薄膜的制备及特性被引量：1
- 2013年
- 将高纯Cu,In和S粉末按1:0.1:1.2(原子个数比)配比混合均匀,热蒸发沉积CuInS2薄膜,再将薄膜进行热处理。研究热处理工艺对薄膜性能和导电类型转换的影响。本研究制备的薄膜经360℃,30 min的热处理,得到n型、黄铜矿结构的CuInS2薄膜,平均晶粒尺寸29.43 nm。经370℃,20 min热处理的CuInS2薄膜也呈n型,平均晶粒尺寸38.23 nm。霍尔效应测试显示上述两种n型CuInS2薄膜的导电性良好,迁移率分别为1.071 cm2/V·s和53.82 cm2/V·s。能谱分析给出,CuInS2薄膜(360℃)体内原子个数比Cu:In:S=1:1.2:1.6,S元素损失较多。CuInS2薄膜(370℃,20 min)的原子个数比为1:0.8:1.4,S和In元素的含量较少;扫描电子显微镜给出薄膜表面呈颗粒状,随热处理温度增加,薄膜表面的致密性变好但粗糙度增大,370℃,30 min热处理后CuInS2的晶相结构不变,导电类型转为p型,迁移率为1.071 cm2/V·s。
- 蒋西李健董斌华
- 关键词：电学特性导电类型
- 热处理对CuInS_2薄膜导电类型及光学特性的影响被引量：1
- 2013年
- 真空蒸发在载玻片上沉积CuInS2薄膜(Cu、In、S原子配比为1:0.1:1.2)。摸索CuInS2薄膜发生导电类型转换最有效的热处理条件,研究不同热处理工艺对CuInS2薄膜的结构、表面形貌、化学成分比和光学性能的影响。实验给出:沉积的薄膜进行360℃热处理30 min后,得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜;SEM分析显示薄膜表面呈颗粒状较平整致密性略差,导电类型为N型,薄膜的本征吸收限为1.46eV,直接光学带隙Eg=1.38 eV。对薄膜进行370℃热处理20 min同样可得到N型CuInS2但含有少量的CuS2成分,薄膜表面致密性变好但粗糙度增大,本征吸收限发生红移为1.42 eV,Eg=1.40 eV。370℃,30 min热处理后可得到P型CuInS2薄膜,Eg=1.37 eV。制备的三种CuInS2薄膜的光吸收系数都在104cm-1数量级以上。CuInS2薄膜中In或Cu元素含量大小,对薄膜的导电类型的变化起着决定性的作用,而薄膜中S和In元素的变化直接取决于热处理的条件。
- 和江变李健董斌华
- 关键词：导电类型光学特性
- La掺杂ZnO和SnO_2薄膜的气敏特性被引量：4
- 2011年
- 真空蒸发沉积薄膜再经热氧化获得n型掺La的ZnO和SnO2薄膜(玻璃衬底).研究掺La含量与热氧化工艺对薄膜的物相结构、表面形貌和气敏特性的影响.实验给出:掺La使薄膜表面颗粒细化,随La含量增加,ZnO,SnO2薄膜平均晶粒尺寸均增大.掺La可明显降低2种薄膜的气敏工作温度.相比之下,掺La对ZnO薄膜的灵敏度改善明显优于SnO2。在体积分数为6×10-3的还原性气体丙酮、乙醇中,ZnO∶La(3%)薄膜对二者的灵敏度分别达36,23;SnO2∶La(3%)对丙酮灵敏度可达15,掺La(5%)SnO2薄膜对乙醇的灵敏度也有一定的改善。
- 董斌华李健杨晶
- 关键词：LA掺杂热氧化气敏特性
- 热处理条件对CuInS/_2薄膜性能的影响
- 将高纯In, S粉末按1：0.1：1.2配比混合均匀,置于钼舟中单源共蒸沉积CuInS2薄膜.氮气保护对CuInS2薄膜进行热处理,研究热处理工艺对薄膜性能的影响,研究CuInS2薄膜发生导电类型转换的最佳热处理条件.用...
- 董斌华
- 关键词：光电性能
- 文献传递
