蒋西
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 冶金硅太阳电池的P-N结制造工艺分析与优化
- 用常规丝网印刷技术研制冶金物理法提纯的多晶硅太阳电池。针对冶金硅片的少子寿命低，采用短时间磷吸杂工艺使原始硅片的少子寿命从0.8-0.9μs提高到1.26-1.44μs。用液态源单面扩散磷掺杂的方法制得P-N结。经过优化...
- 蒋西
- 关键词：性能分析
- n型CuInS_2薄膜的制备及特性被引量：1
- 2013年
- 将高纯Cu,In和S粉末按1:0.1:1.2(原子个数比)配比混合均匀,热蒸发沉积CuInS2薄膜,再将薄膜进行热处理。研究热处理工艺对薄膜性能和导电类型转换的影响。本研究制备的薄膜经360℃,30 min的热处理,得到n型、黄铜矿结构的CuInS2薄膜,平均晶粒尺寸29.43 nm。经370℃,20 min热处理的CuInS2薄膜也呈n型,平均晶粒尺寸38.23 nm。霍尔效应测试显示上述两种n型CuInS2薄膜的导电性良好,迁移率分别为1.071 cm2/V·s和53.82 cm2/V·s。能谱分析给出,CuInS2薄膜(360℃)体内原子个数比Cu:In:S=1:1.2:1.6,S元素损失较多。CuInS2薄膜(370℃,20 min)的原子个数比为1:0.8:1.4,S和In元素的含量较少;扫描电子显微镜给出薄膜表面呈颗粒状,随热处理温度增加,薄膜表面的致密性变好但粗糙度增大,370℃,30 min热处理后CuInS2的晶相结构不变,导电类型转为p型,迁移率为1.071 cm2/V·s。
- 蒋西李健董斌华
- 关键词：电学特性导电类型
