孟祥提
- 作品数：21 被引量：42H指数：4
- 供职机构：清华大学核能与新能源技术研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术医药卫生更多>>
- 关节软骨修复与相关细胞因子的作用被引量：9
- 2011年
- 背景:关节软骨损伤后几乎不能完全修复,在生理负荷下容易发生退行性改变,最终发展成骨性关节炎。利用细胞生长因子构建组织工程化软骨,修复重建受损关节软骨,为骨关节软骨疾病的治疗开辟了新的途径。目的:全面了解细胞因子特性与正常关节软骨相似的组织工程软骨的构建,明确目前细胞因子促进软骨分化修复的研究进展。方法:电子检索中国生物医学文献数据库和计算机Medline数据库1994/2009收录的关节软骨修复与相关细胞因子相关综述和论文报告,并分析其研究进展。结果与结论:共纳入软骨细胞因子相关文献29篇。关节软骨损伤后的修复非常有限,其对创伤、炎症的反应是由软骨细胞、滑膜组织分泌或关节液中含有的细胞因子所介导的。软骨细胞基质中的生长因子,通过不同的细胞信号通路使基因表达启动或关闭,在软骨生长和分化中发挥重要作用,同时软骨细胞周围环境因素也影响调控诱导分化的结果。
- 史新立胡堃孟祥提
- 关键词：软骨修复细胞因子关节软骨生物材料
- SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较被引量：1
- 2002年
- 比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级。表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释。
- 康爱国孟祥提王吉林贾宏勇陈培毅钱佩信
- 关键词：HBTSIBJT
- 富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究被引量：3
- 1998年
- 以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．以上实验结果与量子限制模型矛盾，却可用量子限制－发光中心模型解释．
- 马书懿秦国刚马振昌宗婉华吴正龙姚光庆孟祥提
- 关键词：氧化硅薄膜光致发光
- 中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征被引量：2
- 1996年
- 中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征左开芬张纯孟祥提苏庆善陆余发（清华大学核能技术设计研究院１０００８４）关键词：中子辐照直拉单晶硅正电子淹没点缺陷（一）前言因为正电子对物质中电子状态具有极端敏感性，正电子淹没技术（ＰＡＴ）已成为研究材料中微观缺陷的有...
- 左开芬张纯孟祥提苏庆善陆余发
- 关键词：中子辐照直拉单晶硅点缺陷
- 辐照对SiGe HBT增益的影响
- 2007年
- 比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷阱对辐照致性能变化的影响进行了讨论.
- 孟祥提王吉林黄强贾宏勇陈培毅钱佩信
- 关键词：HBT电子辐照Γ射线辐照BJT直流增益
- 改善CMOS数字图像传感器成像质量的γ射线辐照方法
- 改善数字CMOS数字图像传感器图像质量用的辐照方法属于图像传感器技术和粒子辐照方法领域。其特征在于:辐照温度为室温,辐照剂量为40～120Krad(Si);在γ射线辐照后进行退火,退火温度为室温至100℃,退火时间为40...
- 孟祥提康爱国
- 文献传递
- CMOS图像传感器γ射线辐照损伤研究
- 本工作研究了黑白CMOS数字图像传感器(640x480)在γ射线辐照前后的输出图像质量.在140Krad(Si)剂量辐照后,捕获的图像开始变得模糊,表明器件性能明显退化;在180Krad(Si)剂量辐照后,许多小白点和水...
- 孟祥提康爱国
- 关键词：CMOS数字图像传感器Γ射线辐照损伤
- 文献传递
- 氩气氛NTDFZ－Si中的空位型缺陷
- 1994年
- 用正电子湮没技术研究了生长态、总注入量分别为５．８×１０￣（１６）和３．６×１０￣（１７）ｃｍ￣（－２）的中子辐照氩气氛区熔单晶硅中空位型缺陷的退火行为，发现未辐照单晶硅在从室温到高温的退火过程中始终存在着分量强度为１０％～１８％的单空位型缺陷；低注入量中子辐照的主要缺陷是单空位型，较高注入量中子辐照时单空位和双空位型缺陷浓度均较高。
- 孟祥提
- 关键词：中子辐照NTD硅
- 改善CMOS模拟图像传感器成像质量的γ射线辐照方法
- 改善数字CMOS模拟图像传感器图像质量的γ射线辐照方法,属于图像传感和粒子辐照技术领域。其特征在于:辐照温度为室温,对上述传感器的γ射线辐照剂量为20～120Krad(Si);在γ射线辐照后进行退火,退火温度为室温至10...
- 孟祥提康爱国
- 文献传递
- 改善CMOS图像传感器成像质量的质子辐照方法
- 本发明公开了属于图像处理技术领域的一种改善CMOS图像传感器成像质量的质子辐照方法。选择合适的质子辐照能量和注量，把CMOS图像传感器在加速器上，在室温下进行质子辐照。质子辐照能量和注量分别为在12－16MeV和5×10...
- 孟祥提黄强
- 文献传递
