王吉林
- 作品数：12 被引量：27H指数：4
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- SiGe HBT和Si BJT的γ射线辐照效应比较被引量：1
- 2002年
- 比较了经剂量为400 krad(Si)的γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流电学性能的变化。 通常SiGe HBT辐照后的Ib增加,Ic下降,直流放大倍数变化很小;Si BJT辐照后的Ib增加,而Ic通常也增加,并且变化幅度很大,直流放大倍数明显下降,相同剂量下变化幅度比SiGe HBT约高一个量级。表明SiGe HBT比Si BJT有更好的抗辐照性能,并对辐照导致的电特性的变化原因进行了初步解释。
- 康爱国孟祥提王吉林贾宏勇陈培毅钱佩信
- 关键词：HBTSIBJT
- 量子计算与超导量子计算机被引量：4
- 2009年
- 量子计算是一种基于量子力学相干叠加原理的新型计算体系,具有超越传统计算体系的优越性能。超导量子计算因为其在规模可扩展性方面的潜力而得到广泛的重视。超导约瑟夫森结是超导量子计算机方案中的关键器件,可用来控制超导体中的宏观波函数。阐述了量子计算的发展和优势,介绍了约瑟夫森结的原理以及三种超导量子比特的特性,并分析了面临的挑战。
- 王吉林刘建设陈培毅
- 关键词：量子计算宏观量子效应约瑟夫森结超导量子比特
- SiGe新技术及其应用前景被引量：4
- 2002年
- 本文简单的介绍了SiGe技术的优异，应用潜力几发展概况。
- 陈培毅王吉林
- 关键词：异质结锗化硅双极晶体管
- 辐照对SiGe HBT增益的影响
- 2007年
- 比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷阱对辐照致性能变化的影响进行了讨论.
- 孟祥提王吉林黄强贾宏勇陈培毅钱佩信
- 关键词：HBT电子辐照Γ射线辐照BJT直流增益
- 纳米尺度加工技术概述被引量：1
- 2003年
- 介绍了两大类纳米尺度加工技术高分辨率技术和工艺流程控制形成纳米尺度技术。其中高分辨率技术是微电子光刻技术的延伸，包括高效率高成本并完全兼容现有IC工艺的极紫外光刻技术(extreme uitravioiet lithography)、高效率低成本但目前无法套刻且模板制作困难的纳米压印技术(nano-imprint lithography)和线条最精细但低效率的扫描探针技术(scanning probe lithography)等，工艺流程控制形成纳米尺度技术利用一些常规工艺原理如侧墙掩膜和各向异性腐蚀、多孔氧化铝模板等实现局域或自组装纳米结构，能在传统微电子工艺条件下超越光刻技术分辨率限制制备可控的纳米线条或点，但集成度仍受光刻精度限制。
- 王吉林陈培毅
- 关键词：光刻纳米压印扫描探针显微镜各向异性腐蚀量子限制效应
- 纳米尺度加工技术概述
- 介绍了两大类纳米尺度加工技术——高分辨率技术和工艺流程控制形成纳米尺度技术.其中高分辨率技术是微电子光刻技术的延伸,包括高效率高成本并完全兼容现有IC工艺的极紫外光刻技术(extreme ultraviolet lith...
- 王吉林陈培毅
- 关键词：纳米压印扫描探针显微镜光刻技术
- 文献传递
- 多层Ge量子点的生长及其光学特性被引量：6
- 2003年
- 用超高真空化学气相淀积系统在Si(1 0 0 )衬底上生长了多层Ge量子点 .分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸 ,研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响 .观察到样品的低温PL谱线有明显蓝移 (87meV) ,Ge量子点的PL谱线的半高宽度 (FWHM )为 46meV 。
- 邓宁王吉林黄文韬陈培毅李志坚
- 关键词：PL谱
- 硅基Ge量子点红外探测器的研究
- 量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值.硅基Ge量子点红外探测器更是由于具有对正入射光敏感、响应度高、且易与硅集成电路相容的特点,而成为当今纳米器件...
- 魏榕山王吉林熊晨荣张磊邓宁陈培毅
- 关键词：量子点红外探测器光电探测器光电流
- 文献传递
- 辐照对SiGe HBT增益的影响
- 本文比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益的变化.在Vbe≤0.5 V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的d(β)反而为负,在Vbe≥0.5 V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小....
- 孟祥提王吉林黄强贾宏勇陈培毅钱佩信
- 关键词：电子辐照Γ射线辐照直流增益
- 文献传递
- 纳米尺度加工技术概述
- 2002年
- 本文简要介绍了微电子光刻技术的发展和现有的一些可替代技术及其优缺点,并介绍了一些利用常规方法和工艺手段实现局域或自组装纳米结构的方法。
- 王吉林邓宁刘志农黄文韬陈培毅
- 关键词：光刻技术微电子工艺纳米压印量子点特征尺寸微电子技术
