宁润涛
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种具有体内RESURF结构的槽栅型VDMOS
- 更低的导通损耗和开关损耗一直是功率VDMOS发展的方向.本文提出了一种适用于低压应用的具有体内RESURF结构的槽栅型VDMOS,并借助仿真软件进行了设计和优化,获得了耐压62V的器件,比传统槽栅型VDMOS的阻断电压提...
- 宁润涛宋洵奕任敏黄锴尹杰李洁朱金粦李泽宏张金平
- 关键词：比导通电阻性能表征
- 文献传递
- 900V半超结VDMOS元胞的仿真设计
- 超结结构突破了普通VDMOS的'硅限',获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中,而半超结结构克服了超结结构耐压要求与工艺难度之间的矛盾.本文提出了半超结元胞和终端的设计思路,并对其主要的工艺参数和电学特性进行了仿真优化,...
- 宁润涛杨珏琳任敏黄锴尹杰王君龙章志海李泽宏张金平
- 关键词：比导通电阻
- 文献传递
- Aptix硬件仿真器
- 2005年
- 随着设计复杂程度的增加,RTL级仿真验证时间大幅度增加,已经成为设计的瓶颈.使用硬件仿真器可以加快仿真速度,提高仿真效率,是设计百万门以上电路的不可或缺的工具.
- 石广源胡子阳宁润涛王福君
- 关键词：硬件仿真器
- 一种基于双极工艺的积分型单稳态结构设计
- 2011年
- 经过对积分型单稳态原理的分析,设计了一种基于双极工艺的积分型单稳态结构。spectre仿真结果表明,该种单稳态结构只有一个稳态和一个0.5μs的暂稳态。并且暂稳态的时间与触发脉冲时间无关,只与电路结构有关。
- 高加亭宁润涛
- 关键词：单稳态积分型双极工艺
- 利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造被引量：4
- 2006年
- 通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来,将模拟结果直接导入器件模拟软件M ed ic i,对击穿电压及阈值电压,终端保护环进行了模拟计算,获得了具体的设计参数,并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要注意的问题进行了阐述.
- 孙嘉兴宁润涛胡子阳张俊松赵庆哲
- 关键词：虚拟制造工艺参数
- P型200伏VDMOS的设计与工艺被引量：3
- 2008年
- 根据P型VDMOS的特点,对实际的P型VDMOS工艺流程的特殊之处与常规MOS工艺和N型VDMOS工艺进行了对比,提出了较为合理的工艺流程。并利用工艺模拟软件对工艺流程进行了模拟,通过将已知工艺参数与工艺模拟软件结合起来使用,将模拟结果直接导入器件模拟软件,对击穿电压及阈值电压,进行了模拟计算,指出了P型VDMOS工艺流程的特点。
- 姚达宁润涛
- 关键词：VDMOS阈值电压
- SEM在半导体工艺研究中的应用实例被引量：1
- 2012年
- 根据半导体工艺的需要,介绍了利用SEM分析工艺问题的方法。主要包括样品的解理、缀饰及为提高导电性所采用的镀膜方法比对,其中高效、准确的解理定位是重要前提。三个典型案例中,埋层漂移是在问题刚显露时就得到及时分析、彻底解决;而MEMS器件悬臂梁断裂翘曲及减少鸟嘴工艺,则是在研制开发新工艺过程之初,就列为"定点清除"的主要问题。上述问题是发生在科研生产中的实例,且均已在工艺规范层面定型。在形成成品之前,特别是工艺设计及加工制造阶段的失效分析及可靠性研究,能够在隐患转变为大面积工艺问题及后期性能参数问题之前,就能够提早定位并彻底解决,更为今后产品大规模量产及产品升级换代提供客观准确的科学依据。SEM是其中的重要技术手段,尤其在线检测分析更是物尽其用。
- 王嵩宇刘剑宁润涛
- 关键词：解理微型机电系统
- 几种功率MOSFET元胞结构的比较
- 2014年
- 对几种常见功率MOSFET的元胞结构、工艺流程和电学参数特点进行了介绍和分析,指出了各类元胞结构的优缺点和工艺实现上的难点,给出了对不同的电压范围应采用的元胞结构的意见。
- 宁润涛赵欢王秀明
- 关键词：功率MOSFET元胞
- 100vvdmos的设计与制造
- 本文以设计一个击穿电压为-100伏的vdmosfet器件为例，具体讨论如何优化高压vdmosfet器件的各项结构参数和工艺参数。首先介绍了vdmosfet的结构和工作原理，进而分析vdmosfet的各种主要电参数与结构参...
- 宁润涛
- 关键词：最佳化设计虚拟制造终端结构功率器件
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