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多场限环的优化设计方法被引量：1: 2006年; 提出了一种多重场限环(FLR)终端结构的优化设计方法。这一方法给出了一种简单的模拟结构用以绘制所谓的击穿电压-间距曲线,由这一曲线可以直接得到最优化结构,而不必进行试验,也不易发生错误。由此种方法得到的结果与实验结果附合的非常好。我们在广泛范围内对这一方法的适用性进行了研究,结果表明这一方法在中等电压范围的FLR终端设计中非常有效。; 张雯张俊松; 关键词：结终端优化设计

功率VDMOSFET结终端技术研究: 2006年; 提出了一种多重场限环(FLR)终端结构的优化设计方法。这一方法给出了一种简单模拟结构用以绘制所谓的击穿电压-间距曲线,由这一曲线可以直接得到最优化结构,而不必进行试验也不易发生错误.由此种方法得到的结果与实验结果附合得非常好.我们在较大范围内对这一方法的适用性进行了研究,结果表明这一方法在中等电压范围FLR终端设计中非常有效.; 张雯张俊松; 关键词：结终端优化设计

条形栅VDMOS特征导通电阻的物理模型被引量：2: 2008年; 详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简单、实用.; 张俊松高越钟玲石广源; 关键词：VDMOSFET 特征导通电阻物理模型

单壁碳纳米管作沟道的场效应晶体管输运特性理论研究被引量：3: 2012年; 为研究以单壁碳纳米管(CNT)作沟道的场效应晶体管(FET)的输运特性,采用非平衡格林函数(NEGF)理论,构建了CNTFET的电子输运模型,该方法摒弃粗糙的连续体模型,可实现CNTFET输运性质与手性指数的直接对接。以(17,0)锯齿型管为例,数值计算了CNTFET输出特性、转移特性、跨导、亚阈值摆幅、开关态电流比等电学特性;在等效栅氧化层厚度相同的情况下,对比了采用不同栅介质材料时上述电学特性在数值上的差异,发现随栅介质介电常数的增加,漏感应势垒降低效应变得显著,这不但导致开态时从源注入到漏的电子浓度增加、电流增大,也导致关态电流增大,开关态的电流比减少。研究还发现在通常的栅源和漏源电压下,沟道中出现热电子。; 刘兴辉张俊松王绩伟曾凡光李新敖强王震王振世马迎王瑞玉; 关键词：碳纳米管场效应晶体管热电子

高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法被引量：1: 2006年; 提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的体二级管恢复速度的新方法.在这一方法中,肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中.据此生产的样品的实验结果表明,对于500V/2A的VDMOSFET,反向恢复电荷减小了50%,体二极管的恢复因数增大了60%.; 石广源张俊松张雯闫冬梅; 关键词：肖特基接触 VDMOSFET

双极工艺用于立体声解调的线性锁相环的设计: 2011年; 设计了一种1.5μm双极工艺用于FM广播立体声解调的锁相环。锁相环中鉴相器由传统的吉尔伯特单元电路转变成上下对称的双开关电路,这样增加了鉴相灵敏度和鉴相范围。环路中增加了直流放大器单元,可很方便地通过调整其增益,来调整环路的阻尼系数,使环路在稳定性,锁定时间,噪声带宽方面做了很好的折中。从电路上实现了晶体压控振荡器的设计。锁相环路中的压控振荡器采用Q值很高的晶体做谐振网络,这样既可以保证窄带锁相环所具有的很高的Q值,也可以降低压控振荡器的相位噪声。; 华玉涛吴春瑜张俊松刘兴辉王翔驹; 关键词：鉴相器相位噪声

利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造被引量：4: 2006年; 通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来,将模拟结果直接导入器件模拟软件M ed ic i,对击穿电压及阈值电压,终端保护环进行了模拟计算,获得了具体的设计参数,并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要注意的问题进行了阐述.; 孙嘉兴宁润涛胡子阳张俊松赵庆哲; 关键词：虚拟制造工艺参数

基于非平衡Green函数理论的峰值掺杂-低掺杂漏结构碳纳米管场效应晶体管输运研究被引量：3: 2012年; 为改善碳纳米管场效应晶体管的性能,将一种峰值掺杂-低掺杂漏(HALO-LDD)掺杂结构引入碳纳米管沟道.在量子力学非平衡Green函数理论框架内,通过自洽求解Poisson方程和Schr(o|¨)dinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的碳纳米管场效应管的输运模型,该模型可实现场效应晶体管的输运性质与碳纳米管手性指数的对接.利用该模型研究了单HALO双LDD掺杂结构对碳纳米管场效应晶体管输运特性的影响.对比分析表明,这种非均匀掺杂结构的场效应管同本征碳纳米管沟道场效应晶体管相比,具有更低的泄漏电流、更大的电流开关比、更小的亚阈区栅电压摆幅,表明其具有更好的栅控能力;具有更小的漏源电导,更适合应用于模拟集成电路中;具有更小的阈值电压漂移,表明更能抑制短沟道效应.同本征沟道碳纳米管场效应晶体管相比,这种非均匀掺杂碳纳米管场效应晶体管在沟道区靠近源端位置,电场强度增大,有利于增大电子的传输速率;在沟道区靠近漏端位置,电场强度减小,更有利于抑制热电子效应.; 刘兴辉张俊松王绩伟敖强王震马迎李新王振世王瑞玉; 关键词：碳纳米管场效应晶体管短沟道效应热电子

600v/2a功率vdmosfet设计研究: 上世纪八十年代以来，电力电子技术取得了飞速发展，使得这一技术与我们今天的工业生产、交通运输、日常生活等息息相关。而功率器件是电力电子技术的重要组成部分，其中的vdmosfet是将现代大规模集成电路(vlsi)制造技术和电...; 张俊松; 关键词：VDMOSFET 场限环导通电阻大规模集成电路肖特基二极管; 文献传递网络资源链接

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张俊松