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张雯

作品数:14 被引量:42H指数:3
供职机构:辽宁大学更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术社会学经济管理更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 2篇经济管理
  • 2篇社会学
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 3篇VDMOSF...
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电阻
  • 2篇优化设计
  • 2篇特征导通电阻
  • 2篇结终端
  • 2篇场限环
  • 1篇点火
  • 1篇点火电路
  • 1篇电感应
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇信息安全
  • 1篇信息安全策略
  • 1篇信息选择
  • 1篇液晶
  • 1篇引信
  • 1篇英文
  • 1篇政府

机构

  • 14篇辽宁大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇沈阳飞达半导...
  • 1篇沈阳市半导体...

作者

  • 14篇张雯
  • 3篇罗雪春
  • 3篇张俊松
  • 2篇吴春瑜
  • 2篇石广元
  • 2篇闫冬梅
  • 1篇刘辉
  • 1篇胡延年
  • 1篇阎冬梅
  • 1篇王荣
  • 1篇石广源
  • 1篇张桂兰
  • 1篇丛众
  • 1篇李明

传媒

  • 6篇辽宁大学学报...
  • 3篇情报科学
  • 2篇微处理机
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇1999
  • 2篇1996
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
宽温高频高反压沟道基区晶体管研制被引量:1
1999年
耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数(hFE)具有负的温度系数.双极结型晶体管(BJT)的hFE具有正的温度系数.将BSIT与BJT并联,采用BJT常规平面工艺制造了宽温高频高反压沟道基区双极PNP晶体管.本文描述了这种新器件结构、工作原理、设计与制造.新器件突出特点是:当温度变化较大时,hFE漂移较小.测试结果表明:环境温度从25℃升到180℃时,器件的hFE随温度T的变化率小于35%.优于同类型的常规双极结型晶体管,平均改善20%.当温度从25℃降到-55℃,器件的hFE变化率小于或等于30%.
丛众吴春瑜王荣石广元闫东梅张雯朱肖林汪永生
关键词:静电感应双极晶体管BSIT
高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法被引量:1
2006年
提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的体二级管恢复速度的新方法.在这一方法中,肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中.据此生产的样品的实验结果表明,对于500V/2A的VDMOSFET,反向恢复电荷减小了50%,体二极管的恢复因数增大了60%.
石广源张俊松张雯闫冬梅
关键词:肖特基接触VDMOSFET
50V/40mΩVDMOSFET单胞尺寸的最佳设计被引量:1
2004年
本文以正方形单胞为例 ,较系统地分析了器件的物理机制、结构及其工作原理 ,并通过大量计算和分析找出多晶硅窗口区尺寸 LW和多晶硅尺寸 LP的最佳设计比例 ,阐述了器件的最佳化设计思想。通过具体给定的参数确定了外延层电阻率及外延层厚度、运用迭代法算出栅氧化物厚度 TOX、P区扩散浓度 NP。然后由最佳 LW和 LP值给出相应的特征导通电阻 Ron。进而给出有效面积和单胞数。
闫冬梅张雯
关键词:VDMOSFET最佳设计特征导通电阻多晶硅
一种测定向列相液晶弹性常数比的近似方法──C—V技术
1996年
本文给出一种用C—C技术测定向列相液晶的弹性常数比的方法.结果表明,本文方法简单、直观,并具有一定的精确性.
吴春瑜胡延年孙玉芳张雯盛浩然
关键词:液晶向列相液晶
VDMOS器件击穿特性研究被引量:1
1996年
本文给出了具有场环和场板的穿通型VDMOS结构的击穿电压的解析表达式.并通过与在n/n ̄+外延衬底上制造的带有场环的二级管结构的VDMOS器件的实验结果,进行比较,二者吻合的很好.
张雯张桂兰
关键词:击穿电压保护环VDMOS器件穿通型
数字图书馆的信息安全策略被引量:17
2003年
本文主要以 Sun Solaris操作系统为例 ,简要地论述了数字化图书馆的信息安全问题 ,针对主流操作系统 ,给出了相应的安全防范策略 ,详细地说明了如何加强服务器的自我保护 ,并给出了具体实例。
罗雪春张雯于伟
关键词:数字图书馆信息安全策略服务器自我保护计算机病毒网络安全
VDMOSFET的最佳化设计研究(500V)被引量:3
2004年
以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P^-体扩散区结深X_(jp)-和栅氧化物厚度T_(ox)对器件特征导通电阻R_(onA)的影响.首次给出了多晶硅窗口区尺寸P_w和多晶区尺寸P_T的最佳化设计比例P_w/P_T与x_(jp)-和T_(ox)的关系.最后阐述了器件的最佳化设计思想.
张雯阎冬梅
关键词:VDMOSFET最佳化设计特征导通电阻
多场限环的优化设计方法被引量:1
2006年
提出了一种多重场限环(FLR)终端结构的优化设计方法。这一方法给出了一种简单的模拟结构用以绘制所谓的击穿电压-间距曲线,由这一曲线可以直接得到最优化结构,而不必进行试验,也不易发生错误。由此种方法得到的结果与实验结果附合的非常好。我们在广泛范围内对这一方法的适用性进行了研究,结果表明这一方法在中等电压范围的FLR终端设计中非常有效。
张雯张俊松
关键词:结终端优化设计
功率VDMOSFET结终端技术研究
2006年
提出了一种多重场限环(FLR)终端结构的优化设计方法。这一方法给出了一种简单模拟结构用以绘制所谓的击穿电压-间距曲线,由这一曲线可以直接得到最优化结构,而不必进行试验也不易发生错误.由此种方法得到的结果与实验结果附合得非常好.我们在较大范围内对这一方法的适用性进行了研究,结果表明这一方法在中等电压范围FLR终端设计中非常有效.
张雯张俊松
关键词:结终端优化设计
网络社会本质与运行机制被引量:2
2003年
文章探讨了网络社会的本质及运行机制 。
杨之光张雯李明
关键词:网络社会信息选择数字化信息网络教育政府作用
共2页<12>
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