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宋睿丰

作品数：11 被引量：7H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇低功耗
  • 5篇功耗
  • 5篇放大器
  • 4篇低压低功耗
  • 4篇电路
  • 4篇氧化物半导体
  • 4篇酸腐蚀
  • 4篇金属氧化物半...
  • 4篇金属氧化物半...
  • 4篇晶体管
  • 4篇绝缘
  • 4篇绝缘胶
  • 4篇绝缘胶带
  • 4篇硅片
  • 4篇硅片清洗
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体场效应...
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇低噪

机构

  • 11篇北京大学

作者

  • 11篇宋睿丰
  • 10篇廖怀林
  • 8篇张国艳
  • 8篇黄如
  • 4篇刘军华
  • 4篇周毅
  • 4篇延涛
  • 4篇张兴
  • 4篇杨利
  • 2篇王阳元

传媒

  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SOC硅衬底的加工方法
本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，...
杨利张国艳廖怀林周毅宋睿丰延涛刘军华黄如张兴
文献传递
射频前端电路设计与模拟研究
近些年来随着射频集成电路的迅猛发展和人们对大数据量、低功耗、高集成度无线通讯产品需求的不断增加，研究人员在高频率、低功耗、宽带宽、低成本等方面进行了大量的研究工作。然而在面对这些设计的过程中研究人员所面临的主要困难是，如...
宋睿丰
关键词：射频低噪声放大器混频器噪声系数线性度
低压低功耗高隔离度差分放大器
本发明提供一种低压低功耗高隔离度差分放大器，该放大器差分信号的输入端为两个以共源方式连接的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，采用电阻、电感或其它有源器件作为负载，电阻、电感或其它有源器件作为放大器源端反馈元件或尾...
宋睿丰廖怀林张国艳
文献传递
3.1～10.6GHz超宽带低噪声放大器设计被引量：7
2007年
采用标准0．35μm SiGe HBT工艺设计了工作频段在3．1～10．6GHz的超宽带低噪声放大器。从宽带电路和高频电路设计的器件选择、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计。结果表明，通过合适的电路结构和器件参数选择，可以采用0．35μm SiGe HBT工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器。在整个工作频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配S11和S22均优于-8dB，噪声系数为3．5dB，电路的工作电压为2．5V。电流消耗为4．38mA。
宋睿丰廖怀林黄如王阳元
关键词：低噪声放大器超宽带噪声系数
低压低功耗高隔离度差分放大器
本发明提供一种低压低功耗高隔离度差分放大器，该放大器差分信号的输入端为两个以共源方式连接的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，采用电阻、电感或其它有源器件作为负载，电阻、电感或其它有源器件作为放大器源端反馈元件或尾...
宋睿丰廖怀林张国艳
文献传递
低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器
本发明提供一种低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器，该混频器包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件、电阻、电感、电容，将射频信号和本振信号同时加在MOSFET器件上，并加上一定的偏置电压以保证器件工...
宋睿丰张国艳廖怀林黄如
文献传递
射频平面螺旋集成电感的加工方法
本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引...
杨利张国艳廖怀林周毅刘军华延涛宋睿丰黄如张兴
文献传递
SOC硅衬底的加工方法
本发明公开了一种SOC硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，...
杨利张国艳廖怀林周毅宋睿丰延涛刘军华黄如张兴
文献传递
射频平面螺旋集成电感的加工方法
本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防HF酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引...
杨利张国艳廖怀林周毅刘军华延涛宋睿丰黄如张兴
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低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器
本发明提供一种低压低功耗双栅金属氧化物半导体场效应晶体管混频器，该混频器包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET器件、电阻、电感、电容，将射频信号和本振信号同时加在MOSFET器件上，并加上一定的偏置电压以保证器件工...
宋睿丰张国艳廖怀林黄如
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