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张啸

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单轴
  • 2篇单轴拉伸
  • 2篇针尖
  • 2篇执行器
  • 2篇生化传感器
  • 2篇适配性
  • 2篇探针
  • 2篇轴拉
  • 2篇微执行器
  • 2篇显微结构
  • 2篇密贴
  • 2篇纳米探针
  • 2篇纳米线结构
  • 2篇硅纳米线
  • 2篇硅片
  • 2篇感器

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇李铁
  • 6篇张啸
  • 6篇王跃林
  • 2篇俞骁
  • 2篇戴鹏飞
  • 2篇杨勋

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法
本发明提供一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法，包括步骤：通过至上而下的工艺在（111）型硅片上制备出特定尺寸的硅纳米线,保留氮化硅掩膜层，并以此为绝缘层在其上制作栅极，同时在硅纳米线两端的体硅上通过离子注入...
杨勋李铁张啸戴鹏飞王跃林
文献传递
一种在(111)型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法
本发明提供一种在（111）型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法，包括：于硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；将各该刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度；各向异性湿法腐蚀，使两两相邻的3个腐蚀槽的...
李铁俞骁张啸王跃林
文献传递
一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法
本发明提供一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法，包括步骤：通过至上而下的工艺在（111）型硅片上制备出特定尺寸的硅纳米线,保留氮化硅掩膜层，并以此为绝缘层在其上制作栅极，同时在硅纳米线两端的体硅上通过离子注入...
杨勋李铁张啸戴鹏飞王跃林
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一种在(111)型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法
本发明提供一种在（111）型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法，包括：于硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；将各该刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度；各向异性湿法腐蚀，使两两相邻的3个腐蚀槽的...
李铁俞骁张啸王跃林
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MEMS微执行器、原位单轴拉伸器件及其制作方法
本发明提供一种MEMS微执行器，包括：衬底层和位于所述衬底层上的器件层，衬底层上形成有凹槽，凹槽底部形成有上下贯通的通孔；器件层包括样品搭载部，驱动部及电极部，样品搭载部和驱动部位于衬底层的凹槽上；驱动部包括支撑单元和静...
王跃林杨洋张啸李铁
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MEMS微执行器、原位单轴拉伸器件及其制作方法
本发明提供一种MEMS微执行器，包括：衬底层和位于所述衬底层上的器件层，衬底层上形成有凹槽，凹槽底部形成有上下贯通的通孔；器件层包括样品搭载部，驱动部及电极部，样品搭载部和驱动部位于衬底层的凹槽上；驱动部包括支撑单元和静...
王跃林杨洋张啸李铁
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