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杨勋

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇场效应
  • 4篇场效应管
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 3篇硅纳米线
  • 2篇圆片
  • 2篇圆片级
  • 2篇生化传感器
  • 2篇密贴
  • 2篇感器
  • 2篇硅
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇氧化层
  • 1篇体硅
  • 1篇体贴
  • 1篇离子注入
  • 1篇六边形
  • 1篇敏感元件
  • 1篇硅表面

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇李铁
  • 4篇王跃林
  • 4篇杨勋
  • 2篇张啸
  • 2篇戴鹏飞

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管
本实用新型提供一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管，包括：一(111)型SOI硅片，所述(111)型SOI硅片包括底层硅、氧化层及顶层硅；位于所述顶层硅上表面及氧化层上方的氮化硅掩膜层，其中，所述氮化硅掩膜层表面形成有暴露...
李铁杨勋王跃林
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一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法
本发明提供一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法，包括步骤：通过至上而下的工艺在（111）型硅片上制备出特定尺寸的硅纳米线,保留氮化硅掩膜层，并以此为绝缘层在其上制作栅极，同时在硅纳米线两端的体硅上通过离子注入...
杨勋李铁张啸戴鹏飞王跃林
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一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法及其结构
本发明提供一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，所述方法包括：提供(111)型SOI硅片，包括底层硅、氧化层及顶层硅；并在顶层硅表面形成氮化硅掩膜层，而后通过半导体工艺在(111)型SOI硅片上制备出硅纳米线阵列，再...
李铁杨勋王跃林
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一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法
本发明提供一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法，包括步骤：通过至上而下的工艺在（111）型硅片上制备出特定尺寸的硅纳米线,保留氮化硅掩膜层，并以此为绝缘层在其上制作栅极，同时在硅纳米线两端的体硅上通过离子注入...
杨勋李铁张啸戴鹏飞王跃林
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