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张有为
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复旦大学
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刘冉
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仇志军
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陈国平
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陆冰睿
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文宸宇
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采用水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法
本发明属于半导体器件制造技术领域,具体为一种采用正丙醇改善的水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法。本发明方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上有未经功能化处理石墨烯层;利用在反应温度条件下在所述石墨烯层...
张有为
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陈国平
陆冰睿
刘冉
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一种石墨烯表面高k栅介质的集成方法
本发明属于半导体器件技术领域,具体为一种石墨烯金属氧化物栅介质的集成方法。本发明首先利用金属醇盐水解机理,采用浸渍或旋覆工艺在石墨烯表面生成一层超薄金属氢氧化物薄膜;以该超薄金属氢氧化物薄膜作为成核层,采用常规原子层沉积...
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一种稳定薄膜晶体管传感器性能的测试方法
本发明涉及电子器件技术领域,公开了一种稳定薄膜晶体管传感器性能的测试方法。本发明通过在薄膜晶体管结构的一类电子器件的栅极上施加极性交变的脉冲激励,以消除晶体管转移特性曲线中的迟滞现象。所施加的交变脉冲信号极性交替,这种正...
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李辉
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一种石墨烯表面高k栅介质的集成方法
本发明属于半导体器件技术领域,具体为一种石墨烯金属氧化物栅介质的集成方法。本发明首先利用金属醇盐水解机理,采用浸渍或旋覆工艺在石墨烯表面生成一层超薄金属氢氧化物薄膜;以该超薄金属氢氧化物薄膜作为成核层,采用常规原子层沉积...
张有为
仇志军
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采用水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法
本发明属于半导体器件制造技术领域,具体为一种采用正丙醇改善的水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法。本发明方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上有未经功能化处理石墨烯层;利用在反应温度条件下在所述石墨烯层...
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