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张有为

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 4篇栅介质
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 4篇金属
  • 4篇高K栅介质
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇介质
  • 2篇介质薄膜
  • 2篇金属氧化物
  • 2篇金属氧化物薄...
  • 2篇过渡金属
  • 2篇过渡金属氧化...
  • 1篇电子器件
  • 1篇度条件
  • 1篇盐水
  • 1篇正丙醇
  • 1篇水基
  • 1篇物理吸附
  • 1篇脉冲信号

机构

  • 5篇复旦大学

作者

  • 5篇张有为
  • 5篇仇志军
  • 5篇刘冉
  • 4篇陆冰睿
  • 4篇陈国平
  • 1篇李辉
  • 1篇张世理
  • 1篇文宸宇

年份

  • 3篇2015
  • 2篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
采用水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法
本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种采用正丙醇改善的水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法。本发明方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上有未经功能化处理石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层...
张有为仇志军陈国平陆冰睿刘冉
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一种石墨烯表面高k栅介质的集成方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种石墨烯金属氧化物栅介质的集成方法。本发明首先利用金属醇盐水解机理，采用浸渍或旋覆工艺在石墨烯表面生成一层超薄金属氢氧化物薄膜；以该超薄金属氢氧化物薄膜作为成核层，采用常规原子层沉积...
张有为仇志军陆冰睿陈国平刘冉
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一种稳定薄膜晶体管传感器性能的测试方法
本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种稳定薄膜晶体管传感器性能的测试方法。本发明通过在薄膜晶体管结构的一类电子器件的栅极上施加极性交变的脉冲激励，以消除晶体管转移特性曲线中的迟滞现象。所施加的交变脉冲信号极性交替，这种正...
仇志军文宸宇李辉张有为张世理刘冉
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一种石墨烯表面高k栅介质的集成方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种石墨烯金属氧化物栅介质的集成方法。本发明首先利用金属醇盐水解机理，采用浸渍或旋覆工艺在石墨烯表面生成一层超薄金属氢氧化物薄膜；以该超薄金属氢氧化物薄膜作为成核层，采用常规原子层沉积...
张有为仇志军陆冰睿陈国平刘冉
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采用水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法
本发明属于半导体器件制造技术领域，具体为一种采用正丙醇改善的水基原子层沉积技术在石墨烯表面制备高k栅介质的方法。本发明方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上有未经功能化处理石墨烯层；利用在反应温度条件下在所述石墨烯层...
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