张育民
- 作品数：31 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 基于恒温电解液振荡的电化学剥离GaN衬底的方法
- 本发明公开了一种基于恒温电解液振荡的电化学剥离GaN衬底的方法。所述方法包括：提供待处理的样品，所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的牺牲层和外延结构层，且所述牺牲层上还形成有欧姆接触电极；以所述样品作为工作电...
- 王骁王建峰张育民徐科
- 评估微纳米级发光二极管性能老化的方法
- 本发明公开了一种评估微纳米级发光二极管性能老化的方法，其包括：获取待测样品的原子级晶体结构图，得到辐照前晶体结构图像；采用激光辐照待测样品；获取激光辐照后的待测样品的原子级晶体结构图，得到辐照后晶体结构图像；对辐照前晶体...
- 王敏学易觉民王淼牛牧童张育民王建峰徐科
- 半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法
- 本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中，所述制备方法包括：s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属；s12、在氮气气氛下退火，形成欧姆接触。或者，所述制备方法包...
- 叶斌斌徐真逸张育民王建峰徐科
- 文献传递
- 氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性被引量：3
- 2021年
- 氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题。通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti与GaN之间的反应。研究发现Ti薄层的厚度和退火温度对欧姆接触有重要影响。在Ti薄层厚度为5 nm时,随着退火温度的升高,ITO/Ti/GaN之间的接触逐渐转变为欧姆接触,且接触电阻率随之减小;但当退火温度超过700℃时,欧姆接触变差,这与ITO中的In、Sn和O元素向界面扩散有关;适当提高Ti薄层的厚度可以有效改善ITO/Ti/GaN欧姆电极的热稳定性,但过厚的Ti薄层会对GaN基光电器件的透过率产生影响。
- 卫新发梁国松张育民王建峰王建峰
- 关键词：光导半导体开关
- 氮化物同质外延的原位检测系统及方法
- 本发明公开了一种氮化物同质外延的原位检测系统及方法。所述的方法包括：在第一半导体层上同质外延生长第二半导体层时，同时以第一、第二入射光持续照射第二半导体层的表面，并使第一入射光在所述第二半导体层的表面被散射，以产生第一散...
- 王国斌张育民徐俞徐科
- 高热稳定性的光导开关及其设计方法和制造方法
- 本申请公开了一种高热稳定性的光导开关及其设计方法和制造方法,设计方法，包括设定目标工作波长；确定衬底的材料；确定设计工作波长；确定光学薄膜的材料；确定增透膜的目标透光率，基于所述目标透光率、所述设计工作波长和所述光学薄膜...
- 孙远航张育民孟文利梁国松王建峰徐科
- 用于电化学剥离GaN衬底的装置
- 本实用新型公开了一种用于电化学剥离GaN衬底的装置，包括：盛装电解液的反应槽、直流电源、工作电极、对电极以及欧姆接触电极，其中，所述工作电极包括待处理的样品，所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的牺牲层和外延结...
- 王骁王建峰张育民徐科
- 文献传递
- 镓金属薄膜的制作方法以及氮化镓衬底的保护方法
- 提供了一种镓金属薄膜的制作方法，其中，利用金属有机化学气相沉积法在衬底的表面制作形成镓金属薄膜。还提供了一种氮化镓衬底的保护方法。本发明通过在衬底表面制作镓金属薄膜，能够防止衬底表面直接暴露于空气中。在这种情况下，在衬底...
- 邵凯恒蔡亚伟夏嵩渊张育民王建峰徐科
- 晶面翘曲对HVPE厚膜GaN三轴晶X射线摇摆曲线的影响
- X射线摇摆曲线的半高宽(XRC-FWHM)通常用来表征晶体质量。X射线摇摆曲线的宽度主要是由缺陷造成的加宽和包括晶面翘曲造成的加宽在内的各种因素作用的结果.在没有翘曲或者翘曲不严重的情况下,XRC-FWHM能够准确的表征...
- 刘建奇王建峰黄凯张育民胡晓剑徐俞徐科杨辉
- 关键词：曲率半径晶体质量
- 文献传递
- 垂直型GaN光导开关及其制备方法
- 本申请公开了一种垂直型GaN光导开关及其制备方法，光导开关包括依次层叠设置的第一电极、第一重掺杂外延层、衬底、第二重掺杂外延层和第二电极，衬底包括位于一侧的入射面以及与入射面相对设置的出射面，入射面设有第一陷光结构，第一...
- 孙远航张育民王建峰徐科
