胡晓剑
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 原位光学监测氢化物气相外延氮化镓厚膜的生长
- 在氢化物气相外延设备中搭建了原位光学检测装置。通过这套系统提供的GaN生长速率和应力的信息,一些基本的生长参数得到了优化,并且可以生长高质量的GaN材料。同时,通过原位光学监测系统,对不同模板上HVPE生长的GaN厚膜的...
- 王建峰胡晓剑
- 文献传递
- HVPE生长GaN衬底研究进展
- 王建峰徐科任国强张纪才蔡德敏徐俞张育民胡晓剑王明月
- 晶面翘曲对HVPE厚膜GaN三轴晶X射线摇摆曲线的影响
- X射线摇摆曲线的半高宽(XRC-FWHM)通常用来表征晶体质量。X射线摇摆曲线的宽度主要是由缺陷造成的加宽和包括晶面翘曲造成的加宽在内的各种因素作用的结果.在没有翘曲或者翘曲不严重的情况下,XRC-FWHM能够准确的表征...
- 刘建奇王建峰黄凯张育民胡晓剑徐俞徐科杨辉
- 关键词：曲率半径晶体质量
- 文献传递
- HVPE生长GaN衬底研究进展
- GaN自支撑衬底作为氮化物器件理想的同质衬底材料,近年来不仅在制备技术上取得了显著的突破,在产业化生产上也形成了一定的规模。以此为基础,GaN自支撑衬底在蓝绿光激光器、高电流注入密度发光二极管(LED)器件、高电子迁移率...
- 王建峰徐科任国强张纪才蔡德敏徐俞张育民胡晓剑王明月
- 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展被引量：4
- 2020年
- 氮化镓(GaN)晶体是制备蓝绿光激光器、射频微波器件以及电力电子等器件的理想衬底材料,在激光显示、5G通讯及智能电网等领域具有广阔的应用前景。目前市场上的氮化镓单晶衬底大部分都是通过氢化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy,HVPE)方法生长制备的,在市场需求的推动下,近年来HVPE生长技术获得了快速的发展。本论文综述了近年来HVPE方法生长GaN单晶衬底的主要进展,主要内容包含HVPE生长GaN材料的基本原理、GaN单晶中的掺杂与光电性能调控、GaN单晶中的缺陷及其演变规律和GaN单晶衬底在器件中的应用。最后对HVPE生长方法的发展趋势进行了展望。
- 张育民王建峰王建峰徐俞王明月徐俞徐琳徐科
- 关键词：氮化镓晶体生长掺杂光电性能
