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张赫之

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：大连理工大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇碳化硅
  • 2篇电极
  • 2篇碳化硅器件
  • 2篇肖特基
  • 2篇硅器件
  • 2篇P-GAN
  • 2篇ZNO
  • 1篇带电粒子
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷输运
  • 1篇电粒子
  • 1篇电致发光
  • 1篇电子阻挡层
  • 1篇掩模
  • 1篇氧化镓
  • 1篇异质结
  • 1篇直流偏置
  • 1篇三维碳化

机构

  • 8篇大连理工大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 8篇张赫之
  • 6篇夏晓川
  • 6篇梁红伟
  • 5篇张克雄
  • 5篇张贺秋
  • 5篇柳阳
  • 1篇申人升
  • 1篇刘俊

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇第五届届全国...

年份

  • 5篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
p-GaN/p-graded-AlxGal-xN/n-ZnO发光二极管的电致发光
ZnO作为一种宽带隙(3.37eV)半导体材料，在室温下具有较高的激子束缚能(60meV)，现已在发光二极管和激光器件等领域进行了广泛研究.由于缺乏p型ZnO材料，所以通常采用与ZnO结构、带隙宽度相类似的p-GaN制备...
申人升张赫之梁红伟刘远达柳阳夏晓川杜国同
一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法
本发明属于半导体材料器件制备技术领域，公开了一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、正面刻蚀区、背面刻蚀区、二氧化硅保护层、肖特基接触电极、欧姆接触电极和金引线电极。正面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表...
梁红伟王德煜马浩然柳阳张克雄张振中张贺秋张赫之夏晓川
一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法
本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于激光石墨化技术的新型碳化硅器件及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、二氧化硅保护层、金属电极、连接电极和引线电极；金属电极位于高阻碳化硅单晶片内部；二氧化硅保护层围绕金属电极周...
夏晓川徐瑞良张振中柳阳张贺秋张赫之张克雄马浩然梁红伟
带有极化诱导电子阻挡层的n-ZnO/p-GaN异质结发光二极管的研究
近几年n-ZnO/p-GaN异质结的研究引起了人们很大的兴趣,由于未掺杂的ZnO内部存在氧空位（Vo）和间隙锌（Zni）等施主型缺陷,这些缺陷使得p型ZnO薄膜难以制备。所以,现在通常利用p-GaN替代p-ZnO来制作异...
张赫之
关键词：ZNOGANMOCVD
文献传递
一种基于带电粒子响应特性的碳化硅探测器极化效应测试系统
本实用新型属于半导体器件测试技术领域，公开了一种基于带电粒子响应特性的碳化硅探测器极化效应测试系统，包括碳化硅探测器、带电粒子源、准直器、铝合金屏蔽盒、真空罐、机械真空泵、电荷灵敏前置放大器、主放大器、低压供电电源、高压...
梁红伟龙泽张赫之柳阳张克雄马浩然张振中张贺秋夏晓川
一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具
本实用新型属于掩模夹具技术领域，公开了一种用于碳化硅电极制备的抽拉式掩模夹具，包括掩模夹具本体，其上分为均匀分布的四个镂空方孔和用于可调整图形化掩模位置的镂空滑轨；若干抽屉式掩模，用于实现图形化电极，其上开有用于精细对准...
梁红伟韩中元张克雄柳阳张振中张贺秋张赫之马浩然夏晓川
一种表征直流偏置状态下碳化硅少子寿命的结构和方法
本发明属于半导体材料制备技术领域，公开了一种表征直流偏置状态下碳化硅少子寿命的结构和方法，包括碳化硅材料、第一直流偏置电压施加层和第二直流偏置电压施加层。碳化硅材料为待表征主体，其表面形状为矩形或正方形；第一直流偏置电压...
夏晓川王鸿运张贺秋柳阳张赫之张克雄马浩然张振中梁红伟
基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件的温度特性
2020年
本文制备了基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件,对该器件进行了温度特性I-V曲线测试.器件表现出了良好的二极管特性,随着温度从300 K升高至473 K,势垒高度从1.08 e V上升至1.35 e V,理想因子从1.32降低至1.19,二者表现出了较强的温度依赖特性,这表明器件的肖特基势垒存在势垒高度不均匀的问题.串联电阻随温度升高而降低,这主要是热激发载流子浓度升高导致的.本文利用势垒高度的高斯分布对器件的温度特性进行了修正,修正后的势垒高度为1.54 e V,理查孙常数为26.35 A·cm–2·K–2,更接近理论值,这表明利用高斯分布势垒高度的热电子发射模型能够很好地解释Au/Ni/β-Ga2O3肖特基二极管的I-V温度特性问题,这种方法更适合用来测量β-Ga2O3肖特基二极管的电学参数.
龙泽夏晓川石建军刘俊耿昕蕾张赫之梁红伟
关键词：氧化镓肖特基二极管温度特性
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