张贺秋
- 作品数：56 被引量：78H指数：5
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金辽宁省教育厅高校重点实验室项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究
- 2010年
- 采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180～200K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10K升至300K时,带隙能红移61.34meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9:0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为:α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.
- 于东麒陈希张贺秋胡礼中乔双双孙开通
- 关键词：量子点
- 高校教师党支部书记"双带头人"培育工程的实施举措和思考——以大连理工大学微电子学院为例被引量：6
- 2020年
- 从大连理工大学微电子学院的情况看,高校教师党支部书记"双带头人"培育工程存在工作缺乏积极性、主动性,党务工作不熟悉,职责不明确等问题.推进"双带头人"培育工程,要解决"为什么干""什么人能干""干什么""怎么干"和"干好干坏都一样"的问题,提高思想认识,转变观念;健全选任标准,选优配强;制定岗位职责,明确目标;加大培训力度,提升能力;完善考核评价,激励保障.要优化党支部设置,提升组织活力,发挥组织育人功效;成立功能性党支部,深入沟通反馈,发挥管理效能;加强"双带头人"工作室建设,发挥引领示范功效.
- 付冬娟夏晓川张贺秋
- 关键词：高校教师基层党支部
- 脉冲激光沉积法在p型GaAs衬底上制备ZnO同质结发光二极管
- 通过脉冲激光沉积技术在p型GaAs衬底上制备了ZnO同质结发光二极管。非掺杂的ZnO作为器件的n型层,p型ZnO层通过衬底中的As向ZnO中扩散与退火形成。Ⅰ-Ⅴ曲线显示出较好的整流特性。室温正偏压下实现了可见光中心位置...
- 赵涧泽孙景昌梁红伟冯秋菊边继明胡礼中张贺秋赵子文杜同国
- 关键词：同质结发光二极管脉冲激光沉积整流特性
- 文献传递
- PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究被引量：5
- 2005年
- 用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降。相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜。XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善。在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV。
- 赵杰胡礼中王兆阳李银丽王志俊张贺秋赵宇
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射光致发光
- 一个超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流经验公式(英文)被引量：2
- 2004年
- 建立了一个直接隧穿电流的经验公式 .将氧化层厚度作为可调参数 ,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物 n MOSFET器件的直接隧穿电流 .在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压 -电容方法模拟得到的氧化层厚度小 ,其偏差在 0 .3nm范围内 .
- 张贺秋许铭真谭长华
- 关键词：直接隧穿电流NMOSFET超薄
- 一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法
- 本发明属于半导体材料器件制备技术领域，公开了一种新型三维碳化硅器件结构及制备方法，包括高阻碳化硅单晶片、正面刻蚀区、背面刻蚀区、二氧化硅保护层、肖特基接触电极、欧姆接触电极和金引线电极。正面刻蚀区为高阻碳化硅单晶片的上表...
- 梁红伟王德煜马浩然柳阳张克雄张振中张贺秋张赫之夏晓川
- 一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法
- 本发明属于半导体器件欧姆接触电极制作技术领域，提供了一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，步骤如下：步骤1、在氧化镓层上依次预沉积镁层和金层，镁层的厚度为1nm～1mm，金层的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处...
- 夏晓川梁红伟张贺秋柳阳
- 文献传递
- 超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性(英文)
- 2003年
- 研究了在软击穿后 MOS晶体管特性的退化 .在晶体管上加均匀的电压应力直到软击穿发生的过程中监控晶体管的参数 .在软击穿后 ,输出特性和转移特性只有小的改变 .在软击穿发生时 ,漏端的电流和域值电压的退化是连续变化的 .但是 ,在软击穿时栅漏电流突然有大量的增加 .对软击穿后的栅漏电流增量的分析表明 ,软击穿后的电流机制是 FN隧穿 ,这是软击穿引起的氧化物的势垒高度降低造成的 .
- 张贺秋许铭真谭长华
- 关键词：MOSFET软击穿超薄
- CIO薄膜材料制备进展
- 2012年
- 随着侦察及动态跟踪技术的飞跃发展和广泛应用,使战场的单向或双向透明度增大。如果不综合运用光电对抗技术,将难以对付红外、激光、雷达等侦察或制导。透明导电薄膜CIO(CdIn2O4)是一种高性能半导体材料,通过调节掺杂浓度,可实现红外波段的高反射性及可见光波段的高透过性。但由于CIO薄膜体系的复杂性和纯CIO薄膜的大面积制备尚没有完全解决,严重阻碍了它在光电对抗、红外防护等方面的实际应用。综述CIO薄膜的多种制备方法以及各自的优缺点,并着重介绍CIO薄膜在抗红外领域的应用。
- 郎野胡礼中张贺秋宁志敏杜建锋高卓
- 关键词：红外透光率
- 生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响被引量：4
- 2010年
- 利用磁控溅射法于500℃、550℃、600℃和650℃下在A l2O3(001)衬底上生长ZnO薄。对生长的ZnO薄膜后分别进行了800℃退火和1000℃退火处理。利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能。
- 王彬赵子文邱宇马金雪张贺秋胡礼中
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射退火处理
