胡礼中
- 作品数：102 被引量：176H指数：7
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- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省科学技术基金辽宁省教育厅高校重点实验室项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>
- 具有独立摩擦结构的三维摩擦纳米发电机
- 本发明涉及能源转化技术领域，提供一种具有独立摩擦结构的三维摩擦纳米发电机，包括：壳体和设置在壳体内部并能在壳体里运动的多个摩擦体；所述壳体为封闭结构，壳体内表面贴附2n片导电片，n为正整数，且各导电片相互之间不接触；每一...
- 邱宇杨德超胡礼中张贺秋裴俊乐
- 文献传递
- 基于液相外延生长的集成式微探尖
- 2005年
- 阐述了用于超高密度光存储的集成式扫描近场光学显微术(SNOM)微探尖的液相外延选择生长方案,并给出了实验结果.此种微探尖,可直接生长在微型集成式SNOM传感器的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)晶片出光口上,避免了探尖转移带来的探尖损坏、难以对准等技术难题.该制作过程具有重复性较好,设备简单、经济,实用价值较高等优点.
- 梁秀萍张红治孙晓娟胡礼中
- 关键词：近场光存储液相外延
- 无催化法制备ZnO纳米针的结构及光学特性被引量：5
- 2008年
- 采用无催化脉冲激光沉积(PLD)方法,在InP(100)衬底上生长纳米ZnO针状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)以及光致发光(PL)谱等对ZnO纳米针的形貌、晶体结构和光学特性表征。SEM图像观察到ZnO纳米针状结构具有一定的取向性。XRD测试在2θ=34.50°处观测到强烈的ZnO(002)衍射峰,证实ZnO纳米针具有较好的c轴择优取向。室温PL谱在379nm处观察到了较强的自由激子发射峰(半峰全宽为13.5nm),而微弱的深能级跃迁峰位于484nm,二者峰强比值为11∶1,表明生长的纳米ZnO结构具有较高的光学质量。
- 于东麒李娇胡昊孙景昌张贺秋赵子文付强杜国同胡礼中
- 关键词：脉冲激光沉积光致发光光谱X射线衍射
- 1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长
- 1994年
- 本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。
- 祝进田李玉东胡礼中陈松岩胡朝辉刘式墉
- 关键词：激光器化学汽相沉积
- InGaAs／InGaAsP分别限制应变量子阱激光器的研制及其特性研究
- 1995年
- 报道了利用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术生长高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果．宽而激光器实现了室温脉冲受激发射．激射波长为１．４９μｍ，在腔长为２０００μｍ时，最低阈值电流密度为０．３０ｋＡｃｍ－２．最大脉冲光输出峰值功率达５００ｍＷ以上．同时，从理论和实验上研究了阙值电流及阙值电流密度随激光器腔长的变化关系，并与ＬＰ－ＭＯＶＰＥ生长制作的宽面双异质结构激光器进行了比较．
- 安海岩杨树人李玉东胡礼中刘式墉
- 关键词：量子阱激光器INGAASINGAASP激光器
- In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长
- 1993年
- 本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.
- 祝进田杨树人陈佰军胡礼中王本中刘宝林王志杰刘式墉
- 脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响被引量：6
- 2005年
- 用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。以325 nm He-Cd激光器为光源对薄膜进行了荧光光谱分析,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形貌进行了分析。脉冲激光沉积方法的主要生长参量为氧压、激光重复频率、生长温度和激光能量。通过控制这些参量变量,研究了这些参量对ZnO薄膜发光特性的影响,得到了用于紫外发光的ZnO薄膜生长的优化条件:发现在温度为650℃左右、氧压50 Pa左右、频率5 Hz左右的范围内能得到半峰全宽较窄,强度较大的紫外发光峰。分析认为紫外峰主要是由激子辐射复合发光形成的,绿光带主要和OZn的存在密切相关,氧空位是蓝光发射的重要原因。
- 王兆阳胡礼中赵杰孙捷王志俊
- 关键词：光学材料脉冲激光沉积ZNO薄膜
- ZnO nanopipes grown on InAs substrate by PLD
- In-doped ZnO nanopipes were grown on the InAs(100) substrate by pulsed laser deposition at relatively high tem...
- 李娇胡礼中于东麒张贺秋胡昊赵子文付强杜国同
- 关键词：INASXRDFESEM
- 掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜
- 本发明提供一种掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜，该掺杂氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：选取衬底，所述衬底中含有目标掺杂元素；采用金属有机物化学气相沉积法在所述衬底上制备氧化镓膜，得到掺杂氧化镓膜初品；对制备得到的掺杂...
- 夏晓川申人升柳阳梁红伟杜国同胡礼中
- 文献传递
- 一个简单光电集成回路的计算机辅助分析
- 1990年
- 本文采用一适于光电集成回路(OEIC)的计算机辅助分析程序,对含一个激光二极管(LD),两个金属半导体场效应晶体管(MESFET)的混合和单片OEIC做了较详细的分析。主要考虑:LD的偏置情况I_o/I_(th)(工作电流与阈值电流之比),引线及封装产生的寄生参数对输出光的频率响应和小信号脉冲响应特性的影响。结果表明:寄生电阻,小于5pF的寄生电容影响不大,而LD的偏置情况,寄生电感对回路的频响和小信号脉冲响应有极大影响。室温下,该混合OEIC芯片,当LD工作在二倍阈值以上,引线寄生电阻和电感分别取为0.1(?)和0.3nH时,小信号调制带宽可达4GHz。由于单片集成极大地减小了寄生电感(主要是引线电感),因此,单片集成在提高OEIC的工作速度上具有很大的优越性。
- 陈维友胡礼中刘式墉
- 关键词：OEIC频率响应
