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徐国庆

作品数:31 被引量:12H指数:2
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 16篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 22篇碲镉汞
  • 13篇探测器
  • 10篇气相外延
  • 7篇离子束
  • 7篇离子束刻蚀
  • 7篇刻蚀
  • 5篇气相外延生长
  • 4篇红外
  • 4篇衬底
  • 3篇电场
  • 3篇电路耦合
  • 3篇钝化
  • 3篇载流子
  • 3篇砂口
  • 3篇石英
  • 3篇探测器芯片
  • 3篇套管
  • 3篇碲镉汞材料
  • 3篇无源
  • 3篇内建电场

机构

  • 31篇中国科学院
  • 5篇中国科学院大...
  • 2篇西北核技术研...
  • 1篇上海理工大学
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国航天科技...
  • 1篇上海卫星工程...

作者

  • 31篇徐国庆
  • 19篇李向阳
  • 18篇王仍
  • 11篇焦翠灵
  • 11篇张可锋
  • 11篇乔辉
  • 11篇杜云辰
  • 10篇张莉萍
  • 10篇林杏潮
  • 10篇邵秀华
  • 10篇储开慧
  • 10篇陆液
  • 8篇贾嘉
  • 7篇刘向阳
  • 6篇杨晓阳
  • 5篇汤亦聃
  • 4篇王妮丽
  • 4篇朱龙源
  • 2篇吴小利
  • 2篇李宁

传媒

  • 6篇红外与毫米波...
  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇红外
  • 1篇应用光学
  • 1篇半导体光电
  • 1篇上海航天(中...

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
  • 4篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2009
  • 2篇2008
31 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管
本发明公开了一种用于碲镉汞气相外延生长的石英套管,该石英套管由99.99999%的高纯石英材料制成的石英外管、石英限位管和石英内管和石英塞组成。石英外管是一端封闭,一端开口的圆柱体结构,开口端与封闭门相连。石英限位管为圆...
王仍焦翠灵徐国庆陆液张可锋张莉萍林杏潮杜云辰邵秀华
文献传递
基于梯度能带结构的高速非制冷中波红外HgCdTe探测器被引量:1
2022年
报道了基于梯度能带结构的高速室温中波红外HgCdTe器件,器件设计为n-on-p同质结结构,在300 K的零偏压条件下达到了1.33 ns(750 MHz)的总的响应时间,相对于非制冷的碲镉汞器件和工作于高偏压下的碲镉汞APD器件响应速度有所提高。基于一维模型的分析表明,吸收层中的组分梯度可以形成内置电场并改变了载流子的输运特性,该模型由不同组分梯度的HgCdTe器件的实验对比验证。因此,此项工作优化了高速HgCdTe中波红外探测器的设计,并为设计超快中波红外光电探测器提供了一种可行的思路。
桑茂盛徐国庆乔辉李向阳
关键词:碲镉汞中波红外
一种提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法
本发明公开了一种用于提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法。本发明利用碲镉汞半导体材料中Te‑Hg键结合能低的特点,通过氩离子束刻蚀在n型碲镉汞体内产生大量的汞填隙原子,在表面形成汞原子的稳态扩散源,汞填隙原子在体内扩散...
徐国庆兰添翼刘向阳乔辉贾嘉李向阳
文献传递
Au掺杂碲镉汞气相外延生长及电学性能被引量:2
2015年
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化,利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨论了三种反常p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量,分析了具有反型层Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜的迁移率谱,证实了由于表面电子、体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能.
王仍焦翠灵徐国庆张莉萍张可锋陆液杜云辰邵秀华林杏潮李向阳
关键词:磁输运二次离子质谱
大气环境监测卫星宽幅成像仪高性能碲镉汞红外探测芯片
2023年
宽幅成像仪(WSI)是大气环境监测卫星中的主要载荷之一,可以提供从可见光到长波红外的地球环境成像遥感数据。宽幅成像仪中搭载了从1.3~12.5μm红外波段进行探测的8个波段碲镉汞红外探测器,各波段采用窄带滤光片进行分光,8个波段的碲镉汞探测器封装在短波、中波和长波3个组件中。本文中对8个波段的碲镉汞红外探测器进行了概述,内容涵盖了探测器的设计思想、制备工艺和测试方法,最后给出了目前在轨运行的高性能探测器组件的探测率性能和响应光谱,同时与各波段器件的探测率指标进行了对比。
乔辉王妮丽杨晓阳郭强蒯文林徐国庆张冬冬李向阳
关键词:碲镉汞光导探测器光伏探测器
碲镉汞光伏探测器的变面积表面钝化研究被引量:2
2008年
利用同一片碲镉汞材料制备了由单层ZnS和双层CdTe/ZnS作钝化膜的变面积光伏探测器,对两种钝化膜结构的变面积器件进行了对比研究.通过分析两种器件的电流-电压(I-V)特性曲线以及零偏电阻-面积乘积(R0A)与周长-面积比(p/A)的关系曲线,发现ZnS钝化的器件具有较大的表面漏电流;通过分析两种器件的电流噪声与暗电流的关系,发现ZnS钝化的器件的噪声特性较接近散粒噪声,CdTe/ZnS双层钝化的器件则表现出较好的基本1/f噪声特性,使得器件噪声要小于单层ZnS钝化的器件.
乔辉徐国庆贾嘉李向阳
关键词:钝化散粒噪声光伏探测器碲镉汞
室温中波红外碲镉汞探测器激光辐照饱和特性的仿真
2023年
针对室温工作的光伏型碲镉汞中波红外探测器激光辐照饱和特性进行了仿真,结果表明,中红外激光对碲镉汞材料的加热效应以及光照导致零偏压阻抗降低,是影响探测器输出量子效率的重要因素。利用一维数值仿真方法,建立了室温碲镉汞pn结的模型,计算了稳态激光辐照下器件量子效率以及零偏压阻抗。理论计算了激光辐照下的稳态温度分布近似模型,并将温度场分布耦合到仿真计算中,发现衬底厚度会影响芯片的温升,从而显著影响器件饱和阈值的大小。另外,计算表明,随着光照强度的增加,器件的零偏压阻抗降低,并将仿真结果与实测芯片参数进行了比较。计算分析为设计高饱和辐照度阈值的中波红外碲镉汞探测器提供了参考。
李向阳桑茂盛徐国庆乔辉储开慧杨晓阳杨鹏翎王大辉
关键词:激光辐照温度场数值仿真
用于碲镉汞气相外延生长的多功能石墨舟
本专利公开了一种用于碲镉汞气相外延生长的多功能石磨舟,该石墨舟由石墨底座、石墨盖板、石墨掩片、石墨垫片四本部分组成,石墨掩片和石墨垫片可分别放入石墨底座内,石墨盖板置于石墨掩片和石墨垫片上部,对石墨底座进行密封。该石墨舟...
王仍焦翠灵徐国庆陆液张可锋张莉萍林杏潮杜云辰邵秀华
文献传递
高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管
本专利公开了一种高密闭性碲镉汞气相外延的石英套管,该石英套管由99.99999%的高纯石英材料制成的石英外管、石英限位管和石英内管和石英塞组成。石英外管是一端封闭,一端开口的圆柱体结构,开口端与封闭门相连。石英限位管为圆...
王仍焦翠灵徐国庆陆液张可锋张莉萍林杏潮杜云辰邵秀华
文献传递
具有组分梯度的HgCdTe探测器在激光测量中的潜在应用
2024年
该文将组分梯度引入HgCdTe探测器结构设计中,提出了一种可以降低PN结附近热激发载流子浓度的方法。建立暗电流机制模型,分析高温下暗电流成份,分析结果表明,降低热激发载流子浓度对结区的影响是提高器件工作温度的关键。利用组分梯度在PN结附近构建不同的电场,不同电场下样品暗电流和噪声电流随温度的变化曲线表明,构建的电场越强,降低结区附近热激发载流子浓度的效果越明显。通过数据分析,提出构建103 V/cm量级的组分梯度内建电场可抑制热激发载流子向结区的扩散运动,有效地降低结区附近热激发载流子浓度。
徐国庆王仍陈心恬乔辉杨晓阳储开慧王大辉杨鹏翎李向阳
关键词:暗电流
共4页<1234>
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