徐天伟
- 作品数：23 被引量：14H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 相关领域：文化科学自动化与计算机技术电子电信机械工程更多>>
- 一种集光系统防污染保护装置
- 本发明公开了一种集光系统防污染保护装置，用于一种集光系统中，所述集光系统包括：一激光源，一真空腔，一集光镜，所述集光系统防污染保护装置包括：一供气管路，用于传输压力气体；至少一通气孔，位于所述供气管路上，用于喷射所述压力...
- 宗明成魏志国徐天伟孙裕文黄有为
- 文献传递
- 一种振动隔离装置
- 本发明提供了一种振动隔离装置，包括：真空腔体(1)、真空腔体(1)内设有主基板(2)，真空腔体(1)的一内壁与主基板(2)之间设有至少一个隔振系统(3)；隔振系统(3)包括：永磁体(31)、设置有线圈(32)的线圈架(3...
- 陈进新李璟齐月静齐威徐天伟魏志国
- 一种用于EUV真空环境中的电子学装置
- 本发明公开了一种用于EUV真空环境中的电子学装置，位于一真空腔中，所述真空腔用于提供EUV光存在环境，所述电子学装置包括：一电子学系统，所述电子学系统位于所述真空腔内，且所述电子学系统用于实现EUV光刻系统的电子学功能；...
- 宗明成孙裕文徐天伟黄有为
- 文献传递
- 用于EUV真空环境中的光电转换电子学装置及光刻机
- 一种用于EUV真空环境中的光电转换电子学装置及光刻机，用于EUV真空环境中的光电转换电子学装置包括：密封壳体；电路板，设置于所述密封壳体内部；光电转换器件，为真空兼容型，设置于所述密封壳体外部；连接件，贯穿所述密封壳体，...
- 谢冬冬徐天伟马向红王丹陈进新李璟丁敏侠
- 文献传递
- 一种气体分析装置及方法
- 本发明提供一种具有原位标定功能的气体分析装置。所述装置包括：取样室，与待测腔室通过第一阀门相连，用于引入待测腔室的样品气体；分析室，与取样室通过第二阀门相连，分析室上设有真空规管，用于监测分析室的真空度；气体分析器，设于...
- 宗明成徐天伟黄有为马向红魏志国
- 定容法正压漏孔校准装置被引量：14
- 2014年
- 研制出定容法正压漏孔校准装置。采用满量程分别为133 Pa（差压式）、1.33×10^5Pa（绝压式）的两台高精度电容薄膜真空计测量压力变化,通过全金属密封结构减小定容室漏放气对测量结果的影响;采用高精度半导体双级恒温系统获得了296±0.02 K的恒温效果,减小温度对漏孔漏率的影响;通过三个不同的标准体积作为定容室,拓宽装置的校准范围。研究结果证实,研制的校准装置仅采用定容法实现了3×10^-1~4×10^-8Pa·m^3/s的校准范围,合成标准不确定度为1.2%~3.2%。
- 卢耀文齐京陈旭刘志宏张明志闫睿徐天伟查良镇
- 关键词：正压漏孔校准检漏定容法
- 真空兼容的平面光学元件调整装置
- 本公开提供一种真空兼容的平面光学元件调整装置，包括：平面光学元件，包括相互垂直的光学面、侧面和底面；第一调节支架，与平面光学元件连接，能够在所述光学面所在平面内移动所述平面光学元件；第二调节支架，与所述第一调节支架连接，...
- 徐天伟王丹陈进新李璟王朋辉杨光华齐威
- 文献传递
- 基于参数曲面的硅片形貌图建立方法
- 2024年
- 针对双工件台光刻机测量位硅片形貌测量问题,提出一种基于参数曲面的硅片形貌建立方法。对焦传感器用于测量硅片表面高度值,基于三角测量和光学差分原理设计,可实现纳米级的测量精度。静态曝光方法建立的形貌图在Die内部不具备连续性,工件台进行垂向运动时需要额外的调整时间会降低曝光效率。采用参数曲面构建硅片形貌曲面,在Die内部扫描方向和测量光斑方向都具备几何连续性,能够直接生成工件台运动轨迹,可用于动态曝光应用场景。利用光刻对焦实验平台,通过逐场扫描方式获得200 mm硅片的高度图,采用双四次B样条曲面建立全硅片形貌图。实验结果表明,基于参数曲面的硅片形貌图在Die内部连续且光滑,全硅片范围滑动平均离焦误差为-35.8~13.3 nm,滑动标准离焦误差为5.9~41.4 nm。
- 武志鹏齐月静王丹王丹周昕
- 关键词：参数曲面工件台光刻机
- 真空兼容的平面光学元件调整装置
- 本公开提供一种真空兼容的平面光学元件调整装置，包括：平面光学元件，包括相互垂直的光学面、侧面和底面；第一调节支架，与平面光学元件连接，能够在所述光学面所在平面内移动所述平面光学元件；第二调节支架，与所述第一调节支架连接，...
- 徐天伟王丹陈进新李璟王朋辉杨光华齐威
- 一种光谱椭偏测量装置及方法
- 本发明公开了一种光谱椭偏测量装置及方法，属于光学测量技术领域，本发明包括：光源，用于为膜层的厚度变化量的测量提供测量光束；光谱偏振消光器，用于接收测量光束，并输出含有第一厚度变化量的第一偏振消光光束和第二厚度变化量的第二...
- 宗明成黄有为徐天伟马向红
- 文献传递
