景争
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：西安应用材料创新基金国家高技术研究发展计划中国科学院西部之光基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- InAs/GaSb外延层的LP-MOCVD生长及表征
- 采用自制低压金属有机源化学气相沉积(LP-MOCVD)设备制备了InAs/GaSb异质结。反应的源物质为三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)、三甲基锑(TMSb)和AsH<,3>。在衬底为n型GaSb(偏角100±...
- 吴雷学汪韬王警卫景争尹飞梅书刚
- 关键词：半导体材料表面形貌LP-MOCVD
- 文献传递
- 耐高压超快半导体光导开关
- 半导体光导开关(PCSS)是集成了光电导体和超快脉冲激光的一类新型光电复合器件。从1975年间世以来随着半导体材料和工艺水平的进步以及fs激光选通技术，光导开关超快响应(ps量级的半峰宽)、超高能量(MW)、微小抖动、G...
- 景争
- 文献传递
- GaAs光导开关飞秒激光点触发实验及分析被引量：1
- 2008年
- 针对光导开关阵列和光纤分束耦合的实际应用环境,提出一种新的实验方案,用于测试当触发光源相对于开关光敏面为点光源时入射位置对输出脉冲的影响.实验证明,不同的入射位置对开关输出脉冲有很大的影响.在入射光从负极向正极扫描过程中输出脉冲逐渐增强,在正极附近输出达到峰值,但在电极边缘处有所减弱.分析表明,这一现象和开关体内电场的分布有密切联系.
- 景争汪韬阮驰杨宏春王警卫吴雷学
- 关键词：光导开关GAAS
- 一维线聚焦聚光光伏发电装置
- 本实用新型涉及一种一维线聚焦聚光光伏发电装置，解决了现有的聚焦聚光光伏发电装置的系统容差特性比较小、跟踪系统故障率高、可靠性低、成本高、抗风沙能力差的技术问题。包括支架、仰角调节机构、壳体、安装在壳体顶部的聚光系统以及安...
- 汪韬景争高鸿楷
- 文献传递
- 低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响被引量：2
- 2009年
- 采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,在77K下得到光致发光谱峰值波长为3.25μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响,得出生长温度在500℃～520℃,无过渡层,使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.
- 吴雷学汪韬王警卫李晓婷景争尹飞梅书刚
- 关键词：超晶格界面层表面形貌
