您的位置: 专家智库 > >

梅书刚

作品数:6 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
发文基金:中国科学院西部之光基金西安应用材料创新基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电流
  • 4篇应电流
  • 4篇红外
  • 4篇感应电
  • 4篇感应电流
  • 3篇桥丝
  • 3篇光纤
  • 2篇电磁
  • 2篇电磁环境
  • 2篇电磁环境效应
  • 2篇探测器
  • 2篇近红外
  • 2篇光纤耦合
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇表面形貌
  • 2篇测量方法
  • 1篇电火工品
  • 1篇桥丝式电火工...

机构

  • 5篇中国科学院
  • 3篇中国科学院研...
  • 1篇长安大学
  • 1篇陕西应用物理...

作者

  • 6篇梅书刚
  • 5篇尹飞
  • 5篇汪韬
  • 3篇吴雷学
  • 2篇景争
  • 2篇王警卫
  • 1篇李晓婷
  • 1篇赵团
  • 1篇阮驰
  • 1篇贺俊芳
  • 1篇封青梅

传媒

  • 2篇光子学报
  • 1篇第十届全国M...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
InAs/GaSb外延层的LP-MOCVD生长及表征
采用自制低压金属有机源化学气相沉积(LP-MOCVD)设备制备了InAs/GaSb异质结。反应的源物质为三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)、三甲基锑(TMSb)和AsH<,3>。在衬底为n型GaSb(偏角100±...
吴雷学汪韬王警卫景争尹飞梅书刚
关键词:半导体材料表面形貌LP-MOCVD
文献传递
桥丝式电点火头感应电流的测试研究
2009年
用红外光纤分光法对桥丝式电点火头中的感应电流进行非接触式远程测量.从红外辐射理论和实验两方面证明该方法的可行性.对桥丝产生的弱信号红外辐射进行光调制和锁相放大,通过探测器测得桥丝式电点火头辐射的中、近红外光电压的比值,得到对应的桥丝微弱的感应电流值,在电流值较大时,测量误差可小于0.0154mA.该红外光纤分光探测系统不仅解决了外界电磁干扰的问题,还很好地减小了人为操作的误差.
尹飞梅书刚汪韬贺俊芳阮驰吴雷学赵团封青梅
关键词:感应电流红外探测器
桥丝式电火工品红外光纤双色探测系统研究
本文对火工品的产生、发展和工作机理等做了介绍,阐述了经典的桥丝式电火工品电热测试原理以及桥丝的温升模型和安全电流模型,并讨论了桥丝温度和安全电流与各参数的关系。提出了红外光纤双色探测法对桥丝式电点火头中的电流进行非接触式...
梅书刚
关键词:桥丝式电火工品感应电流红外探测器
文献传递
一种桥丝感应电流的测量方法及系统
本发明涉及一种桥丝感应电流的测量方法及系统,采用红外透镜和光纤耦合对桥丝进行非接触式测量,通过分光后测得的中、近红外响应光电压的比值,可以得到桥丝内的电流值。本发明解决了现有桥丝感应电流的测量方法及系统进行接触式测量时人...
汪韬梅书刚尹飞
文献传递
一种桥丝感应电流的测量方法及系统
本发明涉及一种桥丝感应电流的测量方法及系统,采用红外透镜和光纤耦合对桥丝进行非接触式测量,通过分光后测得的中、近红外响应光电压的比值,可以得到桥丝内的电流值。本发明解决了现有桥丝感应电流的测量方法及系统进行接触式测量时人...
汪韬梅书刚尹飞
低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响被引量:2
2009年
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料,在77K下得到光致发光谱峰值波长为3.25μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响,得出生长温度在500℃~520℃,无过渡层,使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.
吴雷学汪韬王警卫李晓婷景争尹飞梅书刚
关键词:超晶格界面层表面形貌
共1页<1>
聚类工具0