朱作云
- 作品数：26 被引量：98H指数：7
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- 硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术被引量：6
- 2000年
- 用常压化学气相淀积法在(100)Si衬底上异质外延生长了3CSiC薄膜。为减小3CSiC与硅之间的晶格失配,在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了缓冲层,确定了形成缓冲层的最佳条件。用X射线衍射、俄歇电子能谱、扫描电镜对薄膜的特性进行了分析。测量结果表明,1300℃下在Si衬底缓冲层上可以获得3CSiC单晶。
- 李跃进杨银堂贾护军朱作云
- 关键词：碳化硅化学气相淀积硅基
- 蓝宝石/氮化铝衬底上SiC外延薄膜的X射线衍射分析被引量：6
- 2000年
- 介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种X光衍射方法对生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析 ,结果表明 ,可在这种衬底上成功地生长出 6H SiC单晶薄膜 .
- 彭军朱作云贾护军杨银堂郑有炓郭振琪
- 关键词：蓝宝石氮化铝X射线衍射碳化硅
- 碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术被引量：4
- 1998年
- 简述了在ＳｉＣ材料半导体器件制造工艺中，对ＳｉＣ材料采用干法刻蚀工艺的必要性．总结了近年来ＳｉＣ干法刻蚀技术的工艺发展状况．
- 柴常春杨银堂朱作云李跃进
- 关键词：碳化硅干法刻蚀
- 微机械加工硅电容式加速度传感器被引量：12
- 2001年
- 介绍了硅电容式加速度传感器的工作原理和制作过程。传感器的敏感元件为一个差分电容器 ,它是由活动质量块与两个玻璃极板通过阳极键合形成。活动质量块用标准的双极工艺和各向异性腐蚀工艺制作。该传感器的量程为 2 0 gn,线性度为 10 -4
- 李跃进杨银堂朱作云马晓华陈锦杜
- 关键词：加速度传感器各向异性腐蚀微机械加工
- 硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究被引量：1
- 1996年
- 分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法在硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测出１．３μｍ单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ．
- 赵策洲朱作云李跃进刘恩科李国正刘西钉
- 关键词：MOCVD砷化镓
- 碳化硅油井高温压力传感器
- 朱作云李跃进杨银堂王文襄王麦广刘秀娥柴常春贾护军张文钊蔡亚平
- 该成果为国家九五重点科技攻关课题96-748项《传感器技术研究》中的一个分专题《油井高温压力传感器》，编号为96-748-02-01/07。该成果主要用于油井井下压力计，在测进仪、试井仪、斜井井眼轨迹控制仪中具有不可 替...
- 关键词：
- 关键词：碳化硅压力传感器油井
- SiC薄膜高温压力传感器被引量：16
- 2001年
- SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。
- 朱作云李跃进杨银堂柴常春贾护军韩小亮王文襄刘秀娥王麦广
- 关键词：压力传感器碳化硅
- 力敏传感器市场预测分析研究被引量：2
- 2001年
- 信息技术是由信息采集、传输和处理构成。信息采集又是信息技术的前提和基础,而传感器就是信息采集的最基本功能器件,其应用市场的发展是信息技术水平的最终体现。本文就力敏传感器国内外市场发展状况和国内市场发展趋势进行简要预测分析。
- 郭源生朱作云董华
- 关键词：信息技术力敏传感器
- 矩形硅杯绝对压力传感器的研制被引量：1
- 1996年
- 绝对压力传感器大量应用于环境压力检测、海拔高度测量、大气数据处理、地球物理研究、海底测量等领域.尤其是近年来在汽车行业中的大量应用,使性能好、价格低。
- 朱作云李跃进王文襄郭源生王麦广
- 关键词：压力传感器传感器
- 蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜反应机理研究被引量：2
- 2002年
- 对宽禁带半导体材料碳化硅薄膜的异质外延工艺和反应机理进行了讨论,针对实验使用常压水平卧式反应室,分析了生长过程中气流流速分布、反应室内温度分布以及反应气体浓度分布,指出“汽相结晶”过程对薄膜生长区Si/C比例有很大影响,从而影响了碳化硅薄膜的生长速率,在SiC薄膜的生长过程中,对Si/C原子比例的控制一直是影响薄膜表面形貌和膜层掺杂浓度的重要因素。这很好地解释了薄膜生长过程中出现的异常现象。
- 王剑屏郝跃彭军朱作云张永华宋国乡
- 关键词：反应机理化学汽相淀积汽相外延
