柴常春
- 作品数：208 被引量：334H指数：10
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家部委预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- n-SiC欧姆接触的研究进展
- 在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题。此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发展现状,多种不同的表面处理、掺杂方式和金属结...
- 张娟柴常春杨银堂贾户军
- 关键词：金属结构掺杂
- 文献传递
- SiC薄膜高温压力传感器被引量：16
- 2001年
- SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。
- 朱作云李跃进杨银堂柴常春贾护军韩小亮王文襄刘秀娥王麦广
- 关键词：压力传感器碳化硅
- 基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理被引量：10
- 2013年
- 建立了双极晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的二维电热模型,对处于有源放大区的BJT在基极注入强电磁脉冲时的瞬态响应进行了仿真.结果表明,BJT烧毁点位置随注入脉冲幅度变化而变化,低脉冲幅度下晶体管烧毁是由发射结反向雪崩击穿所致,烧毁点位于发射结柱面区;而在高脉冲幅度下,由基区-外延层-衬底组成的p-n-n+二极管发生二次击穿导致靠近发射极一侧的基极边缘率先烧毁;BJT的烧毁时间随脉冲幅度升高而减小,而损伤能量则随之呈现减小-增大-减小的变化趋势,因而存在一个极小值和一个极大值.仿真与实验结果的比较表明,本文建立的晶体管模型不但能预测强电磁脉冲作用下BJT内部烧毁发生的位置,而且能够得到损伤能量.
- 任兴荣柴常春马振洋杨银堂乔丽萍史春蕾
- 关键词：双极晶体管
- 一种基于仿真分析的前端半导体器件辐照可靠性研究方法
- 本发明涉及一种基于仿真分析的前端半导体器件辐照可靠性研究方法，包括步骤：根据高电子迁移率半导体器件的参数进行几何建模，得到待测模型；对待测模型依次进行对接半导体物理场、耦合固体传热物理场、剖分网格结构，得到目标模型；根据...
- 柴常春秦英朔李福星徐乐安琪吴晗孟祥瑞
- 文献传递
- 一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
- 本发明涉及一种具有双高栅的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上...
- 贾护军马培苗杨志辉柴常春
- 铜互连电迁移失效阻变特性研究
- 2012年
- 基于铜互连电迁移失效微观机理分析建立一种Cu/SiCN互连电迁移失效阻变模型,并提出一种由互连阻变曲线特征参数即跳变台阶高度与斜率来获取失效物理参数的提取方法.研究结果表明,铜互连电迁移失效时间由一定电应力条件下互连阴极末端晶粒耗尽时间决定.铜互连电迁移失效一般分为沟槽型和狭缝型两种失效模式.沟槽型空洞失效模式对应的阻变曲线一般包括跳变台阶区和线性区两个特征区域.晶粒尺寸分布与临界空洞长度均符合正态对数分布且分布参数基本一致.阻变曲线线性区斜率与温度呈指数函数关系.利用阻变模型提取获得的电迁移扩散激活能约为0.9eV,与Black方法基本一致.
- 吴振宇董嗣万刘毅柴常春杨银堂
- 关键词：互连电迁移
- 掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究被引量：12
- 2008年
- 采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小.
- 宋久旭杨银堂柴常春刘红霞丁瑞雪
- 关键词：掺氮电子结构第一性原理计算
- 一种预稳压的零电流损耗单管栅控电路
- 本发明公开了一种预稳压的零电流损耗单管栅控电路，包括：后端电路和与所述后端电路电连接的一个MOSFET器件；所述MOSFET器件的阈值电压为零限值；采用所述MOSFET器件的栅电压控制进行预稳压为所述后端电路提供预稳压电...
- 柴常春陈柯旭宋博奇李福星秦英朔孟祥瑞
- 基于SOC应用的运算放大器IP核设计被引量：3
- 2008年
- 基于SOC应用,采用TSMC0.18μm CMOS工艺,设计实现了一个低电压、高增益的恒跨导轨到轨运算放大器IP核。该运放采用了一倍电流镜跨导恒定方式和新型的共栅频率补偿技术,比传统结构更加简单高效。用Hspice对整个电路进行仿真,在1.8V电源电压、10pF负载电容条件下,其直流开环增益达到103.5dB,相位裕度为60.5度,输入级跨导最大偏差低于3%。
- 唐重林柴常春程春来
- 关键词：运算放大器轨到轨IP核
- 考虑工艺波动的两相邻耦合RC互连串扰噪声估计被引量：5
- 2010年
- 基于6节点耦合互连串扰噪声电路模型,提出了一种新的考虑工艺波动的统计互连串扰噪声分析方法,在给定互连参数波动范围条件下,推导出了耦合互连统计串扰噪声的均值和标准差的解析表达式.实验结果表明,与在互连工艺波动研究中广泛采用的蒙特卡罗方法相比,新方法在确保计算精度的前提下大大缩短了计算时间,且采用新方法计算得到的RC互连串扰噪声均值误差低于2.36%,而标准差误差则低于7.23%.
- 董刚杨杨柴常春杨银堂
- 关键词：工艺波动串扰噪声统计模型
