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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇晶体
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  • 2篇光子晶体
  • 1篇电学
  • 1篇氧化锌纳米
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  • 1篇光子带隙
  • 1篇光子晶体带隙
  • 1篇发光
  • 1篇ZNO
  • 1篇波导
  • 1篇场效应

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇朱孔涛
  • 2篇张琦锋
  • 2篇吴锦雷
  • 1篇张俊艳
  • 1篇沈昕
  • 1篇邓天松

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇北京大学学报...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2009
  • 1篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应晶体管的电学及光学特性被引量:6
2009年
采用化学气相沉积(CVD)的方法在砷化镓基底上合成直径为20nm左右、长约数十微米的氧化锌纳米线,然后采用热扩散的方法,将生长于砷化镓基底之上的氧化锌纳米线通过600℃,30min的有氧退火处理后,获得了砷掺杂的氧化锌纳米线.将获得的掺杂后的氧化锌纳米线采用电子束曝光以及真空溅射镀膜的方法将钛/金合金作为接触电极引出,从而构建成场效应晶体管.文中研究了单根氧化锌纳米线砷掺杂前后的电学特性,证实了通过砷掺杂来获得p型的氧化锌纳米线的可行性.构建的p型砷掺杂氧化锌场效应晶体管的跨导为35nA/V,载流子浓度为1.4×1018cm-3,迁移率为6.0cm2/V.s.测得单根砷掺杂氧化锌纳米线的光致发光谱:源于氧化锌近带边激子复合所产生的位于383nm处的近紫外光尖峰,由缺陷能级辐射所产生的位于580nm附近的黄绿光带以及掺杂所形成的AsZn-2VZn浅受主能级所引出的红光波段.这些电学及光学特性的研究将为获得基于单根氧化锌纳米线同质结的电致发光器件及逻辑器件的构建奠定基础.
张俊艳邓天松沈昕朱孔涛张琦锋吴锦雷
关键词:场效应晶体管光致发光
一维ZnO/MgF_2光子晶体带隙的仿真研究
2007年
利用光学传输矩阵理论对一维ZnO/MgF2光子晶体的光子带隙进行了研究。文中给出了一个由ZnO和MgF2组成的一维光子晶体模型,并在此基础上详细讨论了光子晶体的周期数,对光子带隙的形状及震荡频率的影响,以及薄膜的厚度对光子带隙的带隙宽度、中心波长等的影响。讨论了在保持光子带隙的中心波长不变的情况下,通过改变两种薄膜的厚度使得带隙宽度达到最大值的条件,并且从物理机制上给出了相应的解释。当两种薄膜的折射率和厚度的乘积相等时,所获得的光子带隙最大,当这个乘积等于93nm时,所获得的光子带隙的中心波长在385.05nm处,带隙宽度为138.7nm。
朱孔涛张琦锋吴锦雷
关键词:光子晶体传输矩阵法光子带隙
二维光子晶体波导的理论仿真及慢光特性研究
1987年,Yablonovitch和S.John分别提出了光子晶体的概念。光子晶体是指由两种不同介电常数的介质材料周期排列形成的晶体。它对光波的有效的局域作用,引起了学术界的广泛兴趣,很多学者从理论和实验两方面分别论述...
朱孔涛
关键词:光子晶体波导
共1页<1>
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