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朱岩

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇缓冲层
  • 2篇衬底
  • 1篇生长温度
  • 1篇耦合量子点
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇加热器
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇分子束外延生...
  • 1篇INAS量子...
  • 1篇GAAS

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇牛智川
  • 4篇倪海桥
  • 4篇朱岩
  • 4篇李密峰
  • 4篇王海莉
  • 4篇贺继方
  • 3篇尚向军
  • 2篇徐应强
  • 2篇喻颖
  • 2篇贺正宏
  • 2篇王莉娟
  • 1篇黄社松
  • 1篇熊永华
  • 1篇王鹏飞

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
在衬底上生长异变缓冲层的方法
一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓...
贺继方尚向军倪海桥王海莉李密峰朱岩王莉娟喻颖贺正宏徐应强牛智川
文献传递
在衬底上生长异变缓冲层的方法
一种在衬底上生长异变缓冲层的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长异变缓冲层；步骤4：在异变缓冲层生长外延层，形成基片；步骤5：对基片进行降温处理，完成在衬底上生长异变缓...
贺继方尚向军倪海桥王海莉李密峰朱岩王莉娟喻颖贺正宏徐应强牛智川
GaAs基异变量子阱
研究了GaAs基InGaAs异变缓冲层结构及其分子束外延生长,对利用源炉温度线性变化实现组分线性变化的方法进行了改进,更精确的实现了InGaAs异变缓冲层中In组分的线性渐变,大大降低了InGaAs异变缓冲层中的穿透位错...
朱岩倪海桥王海莉贺继方李密峰尚向军牛智川
关键词：激光器
文献传递
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
本发明公开了一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法，包括：将GaAs衬底放在样品托上，并引入进样室进行烘烤；烘烤完毕，将GaAs衬底引入制备室，并对GaAs衬底进行除气处理；将除过气的GaAs衬底引入生长室，对Ga...
牛智川倪海桥王海莉贺继方朱岩李密峰王鹏飞黄社松熊永华
文献传递
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