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贺继方

作品数:13 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇量子
  • 4篇量子点
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 4篇INAS量子...
  • 4篇GAAS
  • 3篇衬底
  • 2篇淀积
  • 2篇势垒
  • 2篇退火
  • 2篇子线
  • 2篇量子器件
  • 2篇量子线
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇缓冲层
  • 2篇光电
  • 2篇光子
  • 2篇光子源
  • 2篇高温退火

机构

  • 13篇中国科学院

作者

  • 13篇倪海桥
  • 13篇贺继方
  • 12篇牛智川
  • 8篇尚向军
  • 7篇喻颖
  • 5篇李密峰
  • 5篇王莉娟
  • 4篇朱岩
  • 4篇査国伟
  • 4篇韩勤
  • 4篇杨晓红
  • 4篇王海莉
  • 4篇李密锋
  • 4篇贺振宏
  • 2篇徐建星
  • 2篇王秀平
  • 2篇徐应强
  • 2篇黄社松
  • 2篇贺正宏
  • 2篇鞠研玲

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十届全国分...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法,该方法包括:步骤1:生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点;步骤2:原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附;步骤3:微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化...
李密锋喻颖贺继方査国伟尚向军倪海桥贺振宏牛智川
GaAs基异变量子阱
研究了GaAs基InGaAs异变缓冲层结构及其分子束外延生长,对利用源炉温度线性变化实现组分线性变化的方法进行了改进,更精确的实现了InGaAs异变缓冲层中In组分的线性渐变,大大降低了InGaAs异变缓冲层中的穿透位错...
朱岩倪海桥王海莉贺继方李密峰尚向军牛智川
关键词:激光器
文献传递
高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器
2012年
研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V的直流调谐电压下,实现了波长大于23 nm的调谐.统计结果表明,当调谐电压大于5 V时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系,且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.
王杰韩勤杨晓红倪海桥贺继方王秀平
关键词:GAAS高稳定线性调谐
在衬底上生长异变缓冲层的方法
一种在衬底上生长异变缓冲层的方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长缓冲层;步骤3:在缓冲层上生长异变缓冲层;步骤4:在异变缓冲层生长外延层,形成基片;步骤5:对基片进行降温处理,完成在衬底上生长异变缓...
贺继方尚向军倪海桥王海莉李密峰朱岩王莉娟喻颖贺正宏徐应强牛智川
文献传递
基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法
一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取一Si衬底,该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层;步骤2:对Si衬底进行清洗;步骤3:采用自催化的方法,在二氧化硅层上生长GaAs纳米线,对该...
喻颖李密锋贺继方査国伟徐建星尚向军王莉娟倪海桥贺振宏牛智川
文献传递
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
本发明公开了一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法,包括:将GaAs衬底放在样品托上,并引入进样室进行烘烤;烘烤完毕,将GaAs衬底引入制备室,并对GaAs衬底进行除气处理;将除过气的GaAs衬底引入生长室,对Ga...
牛智川倪海桥王海莉贺继方朱岩李密峰王鹏飞黄社松熊永华
文献传递
在衬底上生长异变缓冲层的方法
一种在衬底上生长异变缓冲层的方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长缓冲层;步骤3:在缓冲层上生长异变缓冲层;步骤4:在异变缓冲层生长外延层,形成基片;步骤5:对基片进行降温处理,完成在衬底上生长异变缓...
贺继方尚向军倪海桥王海莉李密峰朱岩王莉娟喻颖贺正宏徐应强牛智川
基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法
一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法,包括如下步骤:步骤1:取一Si衬底,该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层;步骤2:对Si衬底进行清洗;步骤3:采用自催化的方法,在二氧化硅层上生长GaAs纳米线,对该...
喻颖李密锋贺继方査国伟徐建星尚向军王莉娟倪海桥贺振宏牛智川
文献传递
图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
2011年
报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.
王秀平杨晓红韩勤鞠研玲杜云朱彬王杰倪海桥贺继方王国伟牛智川
关键词:量子线GAAS
可用于弱光探测器的量子线研究进展被引量:1
2009年
以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果。采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了GaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构。
鞠研玲杨晓红韩勤杜云倪海桥黄社松王鹏飞贺继方牛智川
关键词:光电探测器量子线
共2页<12>
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