朱晟伟
- 作品数:3 被引量:1H指数:1
- 供职机构:华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
- GaAs/InGaAs量子点探测器件微光读出研究被引量:1
- 2012年
- GaAs/InGaAs量子点光电探测器,在633 nm激光辐射3.5 nW条件下,器件偏压-1.4 V时,测得响应电流8.9×10-9A,电流响应率达到2.54 A/W,量子注入效率超过90%。基于GaAs/InGaAs量子点光电探测器的高量子注入效率、高灵敏度等特点,采用具有稳定的电压偏置,高注入效率和低噪声特点的CTIA(电容互阻跨导放大器)作为列放大器读出结构,输出部分采用相关双采样(CDS)结构去除系统和背景噪声。实验结果表明,在3.5 nW的微光辐射下,器件偏压为-2.5 V时,50μm×50μm像素探测器与读出电路互联后有7.14×107V/W的电压响应率。
- 尤虎郭方敏朱晟伟越方禹范梁茅惠兵
- 关键词:量子点量子效率
- SAGCM-APD增益影响因子分析与优化
- 2010年
- 应用二维漂移扩散模型研究具有分立吸收层、渐变层、电荷层和倍增层结构(SAGCM)的InGaAsP蛳InP雪崩光电探测器(APD),仿真分析了不同电荷层、倍增层厚度和掺杂浓度对电场分布、电流响应及击穿电压的影响,特别是参数变量对增益计算模型的影响,载流子传输过程的时间依赖关系和倍增层中所处位置的影响。仿真结果表明:较高掺杂浓度和较薄电荷层结构可以改变器件内部的电场分布,进而提高增益值。当入射光波长为1.55μm,光功率为500 W/m2时,光电流响应量级在10-2 A;阈值电压降低到10 V以下,击穿电压为42.6 V时,器件倍增增益值大于100。
- 胡大鹏郭方敏朱晟伟熊大元
- 关键词:雪崩光电探测器
- 高灵敏度光电探测器光谱采集关键问题研究
- 随着航空航天、遥感遥测、生物医学,机载探测、跟踪,微光夜视侦察、预警,光雷达跟踪和光电武器制导系统等领域突破性的发展,对光谱分析、光谱检测提出了更高分辨率、更高灵敏度等要求。光谱测试中,检测光的光探测器是关键部件,它对分...
- 朱晟伟
- 关键词:量子效应光电探测器高灵敏度光电流谱
- 文献传递