朱耀明
- 作品数：19 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程金属学及工艺更多>>
- 一种平面结构铟镓砷阵列红外探测器
- 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形...
- 李永富龚海梅李雪唐恒敬张可锋李淘宁锦华张燕朱耀明姜佩璐
- 文献传递
- InGaAs短波红外探测器的偏振响应特性分析
- 2009年
- 在偏振成像和激光功率测量技术领域,凡涉及偏振光的定量测量,都会由于光束的偏振态对探测器的影响而产生显著的误差。这种现象主要是由于许多类型的光探测器存在偏振敏感响应引起的。本文对光电探测器的偏振响应进行了分析,推导了光电探测器偏振相关损耗的斯托克斯模型。分析了SiN_x钝化膜对InGaAs探测器偏振响应的影响。结果表明,无SiN_x钝化膜时,随着入射角度的增加,偏振响应损耗明显增加,而随着波长的增加,偏振响应损耗明显降低;采用SiN_x钝化膜时,随着波长的增加,偏振响应损耗先减小后增加。由于设计的SiN_x薄膜的增透中心波长为1550nm,1310nm波长处的偏振响应损耗大于1550nm处的偏振响应损耗。
- 唐恒敬李永富朱耀明李淘李雪龚海梅
- 关键词：光电探测器INGAAS偏振SINX
- 基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器被引量：5
- 2012年
- 在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36μm和1.92μm,平均优值因子(R0A)为16.0Ω.cm2,峰值量子效率达到了37.5%;在1 ms积分时间下焦平面探测器平均峰值探测率达到了2.01×1011 cmHz1/2/W,响应非均匀性为8.77%,盲元率约为0.6%.
- 朱耀明李永富李雪唐恒敬邵秀梅陈郁邓洪海魏鹏张永刚龚海梅
- 关键词：ICP刻蚀线列探测器
- 一种测量InGaAs探测器偏振敏感响应的装置
- 本发明公开了一种测量InGaAs探测器偏振敏感响应的装置，它由光源系统、偏振态控制系统、光阑、待测InGaAs探测器、电流放大器和示波器组成，其中偏振态控制系统由两个格兰-汤普森棱镜组成，用于产生纯净的线偏振光；待测In...
- 唐恒敬李永富朱耀明李淘李雪龚海梅
- 文献传递
- 一种台面型铟镓砷探测器制备方法
- 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制...
- 朱耀明李雪龚海梅唐恒敬李淘魏鹏王云姬邓洪海刘诗嘉张在实汤亦聃乔辉
- ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究被引量：3
- 2013年
- 为获得低损伤、稳定性好的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InGaAs探测器台面成型工艺,采用Raman光谱技术和X射线衍射(XRD)技术,初步研究了Cl2/N2气氛刻蚀InGaAs的主要损伤机制,确定以晶格缺陷损伤为主;并采用微波反射光电导衰退(μ-PCD)法对不同处理工艺下表面的缺陷损伤进行了表征和分析,结果表明刻蚀表面湿法腐蚀和硫化的方法可在一定程度上减小表面的缺陷损伤和断键,但是存在一些深层次的缺陷。
- 程吉凤朱耀明唐恒敬李雪邵秀梅李淘
- 关键词：感应耦合等离子体铟镓砷RAMAN光谱刻蚀损伤
- 背照射波长延伸InGaAs面阵焦平面探测器被引量：3
- 2013年
- 在MBE外延生长的In0.8Al0.2As/In0.8Ga0.2As材料上,采用台面成型方法制备了背照射32×32元InGaAs探测器,其中心距为30μm,并详细分析了探测器及其焦平面光电性能.结果表明,温度高于220 K时吸收层材料热激活能为0.443 eV,300 K时在所考虑的偏压范围内,暗电流主要由扩散电流、产生复合电流及其欧姆漏电流构成.对组件焦平面特性也进行了研究,并通过读出电路的变积分电容测试结构测试结果提取出积分电容上的寄生电容,在测试温度范围内约为10 fF左右.
- 魏鹏黄松垒李雪邓洪海朱耀明张永刚龚海梅
- 关键词：INGAAS暗电流寄生电容
- AFM/SCM及LBIC技术在平面型保护环结构InGaAs探测器设计中的应用(英文)被引量：2
- 2010年
- 为研究保护环结构对平面型正照射式InP/InGaAs探测器光敏元扩大现象的抑制作用,设计并研制了带有不同保护环-光敏元间距的InGaAs探测器.通过原子力显微镜（AFM）及扫描电容显微镜（SCM）获得了保护环与光敏元之间的实际距离.利用激光束诱导电流（LBIC）技术研究了带有保护环结构的InGaAs探测器的光响应特性.研究表明,无保护环结构的探测器的LBIC信号可以用指数衰减函数描述,而带有保护环结构的探测器的LBIC信号则遵从高斯分布.引入保护环结构后,器件光敏元的扩大量会随着保护环-光敏元间距的减小而线性减小.在器件设计中,比较合适的保护环-光敏元间距应介于7~12μm之间.
- 李永富唐恒敬朱耀明李淘殷豪李天信李雪龚海梅
- 关键词：保护环INP/INGAAS
- InP/In_xGa_(1-x)As异质结构中Zn元素的扩散机制被引量：2
- 2009年
- 采用闭管扩散方式实现了Zn元素在晶格匹配InP/In0.53Ga0.47As及晶格失配InP/In0.82Ga0.18As两种异质结构材料中的P型掺杂,利用二次离子质谱(SIMS)以及扫描电容显微技术(SCM)对Zn在两种材料中的扩散机制进行了研究。SIMS测试表明:Zn元素在晶格失配材料中的扩散速度远大于在晶格匹配材料中的扩散速度,而SCM测试表明:两种材料中的实际PN结深度与SIMS测得的Zn扩散深度之间存在一定的差值,这是由于扩散进入材料中的Zn元素并没有被完全激活,而晶格失配材料中Zn的激活效率相对更低,使得晶格失配材料中Zn元素扩散深度与PN结深度的差值更大。SCM法是一种新颖快捷的半导体结深测试法,对于半导体器件工艺研究具有重要的指导意义。
- 李永富唐恒敬李淘朱耀明汪洋殷豪李天信缪国庆李雪龚海梅
- 关键词：二次离子质谱ZN扩散
- 一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法
- 本发明公开了一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片制备方法，其步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开子像元扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生...
- 邓洪海唐恒敬李淘李雪魏鹏朱耀明王云姬杨波龚海梅
- 文献传递
