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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇大直径
  • 1篇温度场
  • 1篇晶体
  • 1篇空隙率
  • 1篇SIC晶体
  • 1篇热特性

机构

  • 1篇西安理工大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 1篇封先锋
  • 1篇蒲红斌
  • 1篇张群社
  • 1篇杨峰
  • 1篇陈治明
  • 1篇李留臣

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
PVT法生长大直径SiC晶体粉源的热特性及对生长的影响被引量:3
2007年
研究了SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表面形貌;粉源内较大的空隙率有利于粉的有效升华和晶体的稳定生长.
张群社陈治明李留臣杨峰蒲红斌封先锋
关键词:温度场空隙率
共1页<1>
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