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杨峰
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
西安交通大学
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发文基金:
陕西省重大科技创新专项计划项目
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相关领域:
理学
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合作作者
李留臣
西安理工大学自动化与信息工程学...
陈治明
西安理工大学自动化与信息工程学...
张群社
西安理工大学自动化与信息工程学...
蒲红斌
西安理工大学自动化与信息工程学...
封先锋
西安理工大学自动化与信息工程学...
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2007
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PVT法生长大直径SiC晶体粉源的热特性及对生长的影响
被引量:3
2007年
研究了SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表面形貌;粉源内较大的空隙率有利于粉的有效升华和晶体的稳定生长.
张群社
陈治明
李留臣
杨峰
蒲红斌
封先锋
关键词:
温度场
空隙率
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