公共文化服务平台

共 8 条记录，以下是 1-8

全选清除导出

排序方式：

MOCVD法生长SAWF用ZnO/Diamond/Si多层结构被引量：9: 2004年; 使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料 ,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化。XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长 ,PL谱测试表明样品经优化后不仅深能级发射峰消失 ,同时紫外发射峰增强。对优化后的样品的表面测试显示出较低的表面粗糙度。比较氧化锌多层薄膜结构的声表面波频散曲线 ,ZnO薄膜声表面滤波器受膜厚和衬底材料的影响较大。当ZnO薄膜较薄时 ,在它上面的传播速度将与衬底上的传播速度接近 ,与其他衬底上生长的薄膜相比 ,以金刚石这种快声速材料为衬底的ZnO多层薄膜结构 ,声表面波滤波器的中心频率将提高; 赵佰军杨洪军王新强王新强刘大力杨晓天张源涛刘大力杨天鹏马艳; 关键词：金属有机化学气相沉积 X射线衍射扫描探针显微镜

ZnO薄膜的光抽运紫外激射被引量：4: 2004年; 采用等离子体增强MOCVD方法生长出高质量的ZnO薄膜 ,并观察到了ZnO薄膜的光抽运紫外激射现象。在不同激发强度下进行了光荧光谱测量 ,发现紫外发光强度随着激发光强度的增加呈直线增强 ,证明此紫外发光峰来源于带边自由激子辐射复合。激发的激光器为 3倍频YAG激光器 ,脉宽 15ps,每秒 10个脉冲。抽运光达到样品的光斑直径约为 2 5 μm ,激射阈值为 0 .2 8μJ ,利用光纤连接到CCD来探测接收激射光。在 385～ 390nm之间的激射峰 ,其半峰全宽为 0 .0 3nm。所观察到的激射没有固定的方向 ,也就是说是往各个方向发射的。对于ZnO薄膜 ,由于我们并没有制作通常激光器的谐振腔。; 刘大力杜国同张源涛王新强杨天鹏杨晓天赵佰军杨洪军刘博阳张景林; 关键词：ZNO薄膜

ZnO基紫外探测器的制作与研究被引量：12: 2004年; 利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-金属)结构器件响应度高、速度快、随偏压变化小、工艺简单、易于单片集成等优点,制作了ZnO基紫外探测器,器件规格为80 μm×100μm,电极为叉指式电极。测试中采用500 W的氙灯做测试光源,探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示;正向偏压下探测器的暗电流及光照电流与外加偏压呈线性增长。不同波长下的响应曲线显示:探测器对紫外波段有响应,响应峰值在375nm附近。; 杨晓天刘博阳马艳赵佰军张源涛杨天鹏杨洪军李万程刘大力杜国同; 关键词：氧化锌薄膜紫外探测器半导体材料禁带宽度

射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：17: 2003年; 采用射频 (RF)反应磁控溅射法在n Si(0 0 1)衬底上外延生长ZnO薄膜。XRD谱测量显示出较强的 (0 0 2 )衍射峰 ,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射。; 张源涛李万程王金忠杨晓天马艳殷宗友杜国同; 关键词：射频磁控溅射光学特性 ZNO薄膜光荧光谱氧化锌薄膜

ZnO薄膜的掺杂特性被引量：13: 2004年; 通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质。主要研究在生长过程中通过NH_3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情况,利用优化生长条件,即生长温度为610℃,Ar气(携带DEZn)流量为4 sccm,O_2流量为120 sccm,N_2流量为600 sccm,得到在NH_3流量为80 sccm时生长样品的结晶质量最高,在掺杂薄膜中NH_3流量高于或低于80 sccm时,样品的表面形貌都将变差,只有在80 sccm时表面粗糙度最低晶粒最小,表明该流量下获得的样品表面较光滑致密。所以80 sccmNH_3流量为在R面蓝宝石上生长<110>取向ZnO薄膜的最佳掺杂流量。Hall测量结果表明,NH_3流量为50 sccm的样品电导呈弱p型,电阻率为102Ω·cm,空穴载流子浓度为+1.69×10^(16)cm^(-3),迁移率为3.6cm^2·V^(-1)·s^(-1);当NH_3流量增加时样品的电导呈n型,电阻率最高达10~8Ω·cm,我们认为与进入ZnO薄膜的H的量有关,并对其变化机理进行了详细的分析。; 刘大力杜国同王金忠张源涛张景林马艳杨晓天赵佰军杨洪军刘博阳杨树人; 关键词：氧化锌薄膜半导体材料氮掺杂生长温度

ZnO薄膜的新型MOCVD生长及特性研究<'1>: ZnO材料作为一种直接带隙的宽禁带半导体材料,一直受到研究人员的关注.MOCVD是最适合工业化生产的一种方法,本文采用新型等离子体增强MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长出高质量的ZnO薄膜,并分析了其特性.; 刘大力杜国同王金忠张源涛张景林马艳杨晓天赵佰军杨天鹏刘博阳杨洪军杨树人; 关键词：氧化锌薄膜 MOCVD 等离子体增强蓝宝石衬底; 文献传递

蓝宝石R面上ZnO薄膜的NH_3掺杂研究被引量：4: 2003年; 以NH3为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜。通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH3流量下生长出了〈1120〉单一取向的ZnO薄膜。经Hall电阻率测量,得知该薄膜呈现弱p型或高电阻率,并对其光电子能谱进行了研究。; 王金忠杜国同马艳赵佰军杨晓天张源涛刘大力李万程杨洪军杨树人吴爱国李壮; 关键词：氧化锌薄膜 X射线光电子能谱 ZNO薄膜氮掺杂

等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N_2和掺NH_3特性比较被引量：4: 2004年; 利用MOCVD方法生长了高质量的ZnO薄膜材料,分别通过N_2和NH_3对c面和R面蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜材料进行了掺杂行为研究。掺N_2时,X射线衍射半峰全宽仅为0.148°,室温光荧光发光峰位于3.29 eV,半峰全宽～100 meV,电阻率由0.65Ω·cm增大到5×10~4Ω·cm。掺NH_3时,X射线衍射峰半峰全宽0.50°,样品为弱p型,电阻率为102 Ω·cm,载流于浓度为1.69×10^(16)cm^(-3)。同时我们还观察到弱p型材料很容易退化成n型高阻材料。; 常玉春杨晓天王金忠王新强刘博阳刘大力胡礼忠杜国同; 关键词：金属有机化学气相沉积氧化锌薄膜半导体材料载流子浓度

全选清除导出

共1页<1>

杨晓天