王怀兵
- 作品数：16 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 无铝氮化镓基蓝光激光器
- 我们在c面GaN衬底上实现了无铝蓝光激光器的脉冲激射,得到了近似圆形的光斑,激光器激射光斑纵横比为1.6,激光器激射波长440nm,阈值电流为720mA,斜率效率0.9W/A.
- 冯美鑫王怀兵杨辉张书明刘建平李德尧张立群李增成周坤王峰王辉
- 关键词：GAN蓝光激光器无铝光斑
- 文献传递
- 晶圆级LED白光芯片的研发及产业化
- 王怀兵吴思王辉
- 作为一种新型的绿色光源，LED半导体照明受到了广泛关注。目前，科技部印发了《半导体照明科技发展“十二五”专项规划》，旨在推动半导体照明技术和产业创新发展，普及半导体照明的关键是发展高效率、低成本的LED芯片。目前，我国半...
- 关键词：
- 一种纳米杀菌除污装置
- 一种纳米杀菌除污装置，其特征在于该装置包括一个或若干个紫外光板和与之相贴合的一个或若干个涂敷有二氧化钛纳米光触媒材料的担载网，本发明的杀菌除污装置，结构紧凑，杀菌除污面积大、效率高，并且运行安全。本发明装置在相同体积下比...
- 王怀兵陈韦杨辉
- 文献传递
- 氮化镓基光电子材料与器件研究
- 杨辉刘建平孙钱张书明张立群李德尧田爱琴冯美鑫王怀兵王辉温鹏
- 显示技术是信息产业的一个重要支柱，预计2025年全球产值将超过3500亿美元/年。中国是显示大国，但不是显示强国，产业发展一直处于跟踪国外技术的状态，无法掌握产业发展的自主权和主动权并受制于人。激光显示作为新一代的显示技...
- 关键词：
- 关键词：光电子器件发光二极管激光器
- 氮化镓生长反应模型与数值模拟研究(I)被引量：5
- 2010年
- 对氮化镓(GaN)生长的化学反应过程进行了全面的阐述。从两条基本的反应路径出发,对各反应的机理进行了剖析,并结合近期的研究发现,提出了MOCVD生长GaN的核心反应模型。该化学反应动力学模型综合考虑了有效气相反应和表面反应,适用范围广且计算成本较小,为预测GaN薄膜的生长速率提供了一种精简的计算方法。
- 王国斌张永红王怀兵
- 关键词：GAN生长化学反应动力学
- 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法
- 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率，降低器件电压，同时有效降低...
- 曾畅张书明刘建平王辉冯美鑫李增成王怀兵杨辉
- 半导体激光器TO封装结构及方法
- 本发明公开了一种半导体激光器TO封装结构及方法。该封装结构包括半导体激光器芯片，该芯片的至少一侧面经至少一过渡热沉与至少一热沉固定连接，且该芯片、过渡热沉和热沉均固定在管座上，并被封装于由该管座和一封帽围合形成的封闭腔体...
- 冯美鑫张书明王辉刘建平曾畅李增成王怀兵杨辉
- 文献传递
- GaN基低色温高显色白光LED被引量：3
- 2011年
- 采用440 nm短波长InGaN/GaN基蓝光LED芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光LED,研究了不同胶粉配比对LED发光性能的影响,结果表明,A胶、B胶、绿粉、红粉比重在0.5:0.5:0.2:0.03时,在440 nm蓝光激发下呈现了有两个谱带组成的发光光谱,分别是峰值为535 nm的特征光谱和643nm的特征光谱,胶粉通过均匀调配后能够有效的进行混光产生低色温白光,实验中最低色温可达3 251 K,显色指数高达88.8,这比传统蓝光激发YAG荧光粉制得的白光LED色温更低,显色指数提高了26%。
- 王峰黄小辉王怀兵刘建平范亚明祝运芝金铮
- 关键词：白光LED荧光粉显色指数
- 一种垂直喷淋式MOCVD反应器
- 本发明揭示了一种垂直喷淋式MOCVD反应器，包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口，用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内，其特点是喷淋头腔体相隔形成三个以上独立区域...
- 王国斌张永红王怀兵邱凯朱建军张宝顺杨辉
- 文献传递
- 一种MOCVD石墨盘清洁装置
- 本发明公开了一种MOCVD石墨盘清洁装置，其包括：气路控制器，真空反应室，加热单元，压力控制器，泵，尾气处理装置；带腐蚀性的气体与载气进入所述气路控制器中，该气路控制器将其按比率混合后通入所述的真空反应室内，所述的加热单...
- 刘建平张永红王峰王怀兵朱建军张书明杨辉
- 文献传递
