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王晓光

作品数：6 被引量：15H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第四十九研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇加速度
  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇低应力
  • 1篇电阻
  • 1篇应力
  • 1篇应力测试
  • 1篇正交
  • 1篇正交试验
  • 1篇直接键合
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇湿法加工
  • 1篇速度传感器
  • 1篇特性分析
  • 1篇凸角补偿
  • 1篇退火
  • 1篇温度系数

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇王晓光
  • 3篇李玉玲
  • 3篇齐虹
  • 2篇张岩
  • 1篇刘智辉
  • 1篇尹延昭
  • 1篇王成杨
  • 1篇郑丽
  • 1篇寇文兵
  • 1篇王亚彬
  • 1篇丁文波
  • 1篇尚瑛琦
  • 1篇王明伟
  • 1篇李海博

传媒

  • 3篇中国新技术新...
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
基于外部激活表面高温状态下的硅-硅键合被引量：1
2015年
提出了一种应用于硅-硅键合过程中表面激活的新方法,采用复合激活的方式,使预键合的硅片表面分别通过化学溶液激活和UV光激活相互结合的手段获得较高的表面态。经键合机预键合后,在高温炉中完成原子轨道重叠,实现硅-硅键合。通过镜下检查和破坏性实验等方式分别对键合的效果和强度进行深入测试,并给出相应的实验效果图和测试结果。实验结果表明,采用新激活方法的键合界面无空洞且均一性良好,键合强度高,证明了新激活方法的可行性和优越性。针对高温键合工艺过程中容易产生空洞这一问题提出了新的解决方案。
王亚彬王晓光郑丽王成杨宋尔冬
关键词：表面态高温退火键合强度
流量传感器中敏感薄膜电阻制备及其特性分析被引量：1
2016年
通过对热膜式流量传感器中敏感薄膜电阻制备技术的研究,分别介绍了流量传感器中敏感薄膜电阻设计的基本原理、敏感薄膜生长方法及一些具体应用实例。分析了影响薄膜黏附性和内应力的工艺因素,提高了敏感薄膜电阻的温度系数,制作出了具有良好稳定性和一致性的敏感薄膜电阻,满足流量传感器的使用要求。使流量传感器重复性可达±1%,该制备方法适用于热膜式流量传感器的小批量生产。
齐虹李玉玲王晓光张岩寇文兵
关键词：流量传感器温度系数
集成加速度传感器敏感芯片性能影响因素及其仿真分析被引量：1
2016年
从集成加速度传感器敏感芯片结构参数的设计入手,分析了支撑梁厚度、电容初始间隙、质量块等敏感芯片结构参数对传感器灵敏度、非线性等性能的影响。同时利用结构分析软件ANSYS进行仿真分析,并对优化后的敏感芯片结构参数进行验证,结果表明:该结构的敏感芯片使加速度传感器灵敏度能够达到10 m V/gn以上,非线性优于2%。
齐虹王明伟丁文波李玉玲王晓光
关键词：结构参数
加速度传感器芯片湿法加工技术研究
2013年
本文主要研究了加速度传感器芯片的湿法加工技术,主要包括KOH腐蚀中凸角补偿图形设计,引线电极保护技术,TMAH腐蚀技术等内容。本文设计了合理的凸角补偿图形,能够制作出完整的凸角结构。本文结合实际工艺中遇到的问题,讨论了湿法加工技术中引线电极的保护方法,包括TMAH腐蚀技术的应用。制作出的加速度传感器芯片灵敏度大于0.1mV/g,非线性优于1%,横向灵敏度比小于3%。
张岩尚瑛琦王晓光刘智辉
关键词：湿法腐蚀KOH凸角补偿TMAH
低应力Si_3N_4介质膜的制备工艺优化被引量：2
2010年
低应力Si3N4介质膜对于制作微结构传感器是非常重要的。本文通过采用正交试验设计,优化出Si3N4介质膜制备的低应力工艺参数,并给出了Si3N4薄膜应力的测试方法和测试结果。
李海博齐虹王晓光李玉玲
关键词：正交试验应力测试
等离子体刻蚀工艺的优化研究被引量：10
2010年
本文基于对硅的等离子刻蚀(RIE)工艺参数的研究,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线[1],优化了刻蚀硅的工艺条件。通过台阶仪的测量,实验结果表明优化工艺条件下的硅化物的刻蚀具有较高的刻蚀速率和较高的选择比。
王晓光朱晓明尹延昭
关键词：等离子体干法刻蚀刻蚀速率均匀性
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