王永谦
- 作品数：6 被引量：23H指数：3
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
- 本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法，使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统，电板极板的下极板为双层筛状进气结构，两极板的板间距为2.0－2.5cm，射频信号加到下极板上，上极板接地；选用99.99％的纯硅烷...
- 曹则贤王永谦马利波宋蕊
- 文献传递
- 掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构被引量：13
- 2000年
- 采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 0— 935℃快速热退火 ,在波长 1 .54μm处观察到很强的室温光致发光 .氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度 ,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系 ,不是单调地随氧含量的增加而增强 .研究了掺铒 a- Si∶ H,O薄膜和微结构 ,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系 .
- 陈维德梁建军王永谦
- 关键词：掺铒光致发光微结构
- 纳米Si-SiO_x和Si-SiN_x复合薄膜的低温制备及其发光特性被引量：7
- 2004年
- 用等离子体增强化学气相沉积法在低温 (低于 5 0℃ )衬底上沉积Si SiOx 和Si SiNx 复合薄膜 ,可得到平均颗粒尺寸小至 3nm的高密度 (最高可达 4 0× 10 1 2 cm- 2 )纳米硅复合薄膜 .5 0 0℃快速退火后 ,这种复合薄膜显现出优异的可见光全波段光致发光特性 .通过比较相同条件下所制备的纳米Si SiOx 和Si SiNx 复合薄膜的光致发光效率 ,发现纳米Si SiNx 具有更为优异的光致发光效率 。
- 纪爱玲马利波刘澂王永谦
- 关键词：光效率发光特性快速退火
- 掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究被引量：4
- 2000年
- 采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜 (a SiOx∶H) ,离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光 .当材料中氧硅含量比约为 1和 1.76时 ,分别对应 77K和室温测量时最强的 1.5 4μm光致发光 .从 15到 2 5 0K的变温实验显示出三个不同的强度与温度变化关系 ,表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个复杂的过程 .提出氢化非晶氧化硅薄膜中发光铒离子来自于富氧区 ,并对实验现象进行了解释 .氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱 .从 15到 2 5 0K ,光致发光强度减弱约 1/ 2 .
- 梁建军王永谦陈维德王占国常勇
- 关键词：铒光致发光氧含量半导体
- 制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
- 本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法，使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统，电板极板的下极板为双层筛状进气结构，两极板的板间距为2.0-2.5cm，射频信号加到下极板上，上极板接地；选用99.99%的纯硅烷...
- 曹则贤王永谦马利波宋蕊
- 文献传递
- 氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用被引量：1
- 2000年
- 利用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜。在室温下注入铒离子后研究三种掺杂元素对铒离子发光的作用。室温下观察到很强的光致发光现象。氧的引入并且和铒离子形成发光中心 ,提高了铒离子的发光强度。退火实验表明氧、硼、磷的掺杂补偿了材料中的缺陷 ,提高了氢的逃逸温度 ,改善材料的热稳定性 ,使材料的退火温度因掺杂元素的加入而提高 ,铒的发光得到增强。讨论了铒离子的发光机制。
- 梁建军王永谦陈维德王占国常勇
- 关键词：氧硼磷掺杂氢化非晶硅
