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马利波

作品数:9 被引量:7H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇发光
  • 4篇等离子体增强
  • 4篇等离子体增强...
  • 4篇进气
  • 4篇进气结构
  • 4篇颗粒尺寸
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇硅基
  • 4篇硅基发光
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇氮气
  • 2篇电容耦合
  • 2篇电阻率
  • 2篇物理机制
  • 2篇基片
  • 2篇基片温度
  • 2篇溅射

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇马利波
  • 6篇曹则贤
  • 4篇宋蕊
  • 3篇王永谦
  • 3篇纪爱玲
  • 2篇杜允
  • 1篇刘澂

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2005
  • 1篇2004
9 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
恒电阻率薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种恒电阻率薄膜材料Cu<Sub>3</Sub>NPd<Sub>x</Sub>及其磁控溅射法的制备方法,其中0.13<X<0.24,所用的靶材为纯度均为不低于99.9%的铜靶和钯靶,氮气作为反应气体,通过调节...
曹则贤纪爱玲马利波杜允
文献传递
恒电阻率薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种恒电阻率薄膜材料Cu<Sub>3</Sub>NPd<Sub>x</Sub>及其磁控溅射法的制备方法,其中0.13<X<0.24,所用的靶材为纯度均为不低于99.9%的铜靶和钯靶,氮气作为反应气体,通过调节...
曹则贤纪爱玲马利波杜允
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高效发光纳米硅复合薄膜的制备与研究
本论文研究了基于非晶氧化硅和氮化硅基质的纳米硅颗粒复合薄膜的制备及其发光性质。内容主要包括:   1.利用PECVD系统制备纳米Si-in-SiOx复合薄膜。研究退火对光致发光性质的影响,发现低温生长更有利于提高发光效...
马利波
关键词:量子限域效应发光性质
纳米Si-SiO_x和Si-SiN_x复合薄膜的低温制备及其发光特性被引量:7
2004年
用等离子体增强化学气相沉积法在低温 (低于 5 0℃ )衬底上沉积Si SiOx 和Si SiNx 复合薄膜 ,可得到平均颗粒尺寸小至 3nm的高密度 (最高可达 4 0× 10 1 2 cm- 2 )纳米硅复合薄膜 .5 0 0℃快速退火后 ,这种复合薄膜显现出优异的可见光全波段光致发光特性 .通过比较相同条件下所制备的纳米Si SiOx 和Si SiNx 复合薄膜的光致发光效率 ,发现纳米Si SiNx 具有更为优异的光致发光效率 。
纪爱玲马利波刘澂王永谦
关键词:光效率发光特性快速退火
制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电板极板的下极板为双层筛状进气结构,两极板的板间距为2.0-2.5cm,射频信号加到下极板上,上极板接地;选用99.99%的纯硅烷...
曹则贤王永谦马利波宋蕊
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制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电板极板的下极板为双层筛状进气结构,两极板的板间距为2.0-2.5cm,射频信号加到下极板上,上极板接地;选用99.99%的纯硅烷...
曹则贤王永谦马利波宋蕊
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制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电容板下极板采用双层筛状进气结构,选用高纯硅烷、氢气和氮气作为前驱物,薄膜经过多次循环生长制得。多次循环生长能够抑制硅颗粒的熟化,...
曹则贤马利波宋蕊
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制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电容板下极板采用双层筛状进气结构,选用高纯硅烷、氢气和氮气作为前驱物,薄膜经过多次循环生长制得。多次循环生长能够抑制硅颗粒的熟化,...
曹则贤马利波宋蕊
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共1页<1>
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