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宋蕊

作品数:7 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇等离子体增强
  • 4篇等离子体增强...
  • 4篇进气
  • 4篇进气结构
  • 4篇颗粒尺寸
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇硅基
  • 4篇硅基发光
  • 4篇发光
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇电容耦合
  • 2篇三阶非线性
  • 2篇三阶非线性极...
  • 2篇实部
  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸锶
  • 2篇脉冲激光

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇宋蕊
  • 6篇曹则贤
  • 4篇马利波
  • 2篇王永谦
  • 2篇关东仪

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2005
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电板极板的下极板为双层筛状进气结构,两极板的板间距为2.0-2.5cm,射频信号加到下极板上,上极板接地;选用99.99%的纯硅烷...
曹则贤王永谦马利波宋蕊
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制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电板极板的下极板为双层筛状进气结构,两极板的板间距为2.0-2.5cm,射频信号加到下极板上,上极板接地;选用99.99%的纯硅烷...
曹则贤王永谦马利波宋蕊
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低温非晶/纳晶硅薄膜生长及其晶化研究
低温制备非晶、纳晶硅和多晶硅薄膜对于光电器件集成和大面积微电子器件成本降低方面有重要意义。本论文工作的主要内容和结论如下:   1.采用脉冲电子束沉积制备出无氢a-Si和SiC薄膜。脉冲电子束沉积(PED)技术可以弥补...
宋蕊
关键词:非晶硅薄膜多晶硅薄膜铝诱导晶化
制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电容板下极板采用双层筛状进气结构,选用高纯硅烷、氢气和氮气作为前驱物,薄膜经过多次循环生长制得。多次循环生长能够抑制硅颗粒的熟化,...
曹则贤马利波宋蕊
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具有高三阶非线性极化率χ<Sup>(3)</Sup>的复合薄膜及其制备方法
本发明公开了一种具有超高三阶非线性极化率χ<Sup>(3)</Sup>的Ag:SrBi<Sub>2</Sub>Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>9</Sub>复合薄膜,薄膜制备在脉冲激光沉积系统下进行,激光束经焦距...
宋蕊关东仪曹则贤
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制备纳米硅基发光复合薄膜的方法
本发明公开了一种制备纳米硅基发光复合薄膜的方法,使用电容耦合等离子体增强化学气相沉积系统,电容板下极板采用双层筛状进气结构,选用高纯硅烷、氢气和氮气作为前驱物,薄膜经过多次循环生长制得。多次循环生长能够抑制硅颗粒的熟化,...
曹则贤马利波宋蕊
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具有超高三阶非线性极化率χ<Sup>(3)</Sup>的复合薄膜及其制备方法
本发明公开了一种具有超高三阶非线性极化率χ<Sup> (3)</Sup>的Ag∶SrBi<Sub>2</Sub>Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>9</Sub>复合薄膜,薄膜制备在脉冲激光沉积系统下进行,激光束经焦...
宋蕊关东仪曹则贤
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共1页<1>
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