王秀平
- 作品数：12 被引量：5H指数：1
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- 高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器
- 2012年
- 研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V的直流调谐电压下,实现了波长大于23 nm的调谐.统计结果表明,当调谐电压大于5 V时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系,且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.
- 王杰韩勤杨晓红倪海桥贺继方王秀平
- 关键词：GAAS高稳定线性调谐
- 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法
- 本发明公开了一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法，包括：在砷化镓衬底上生长波长可调谐共振腔增强型探测器的外延片；清洗外延片，并对外延片进行第一次光刻，获得单悬臂的光刻胶掩膜图形；对外延片进行腐蚀，腐蚀出所要...
- 王杰韩勤杨晓红王秀平刘少卿
- 文献传递
- 在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法
- 本发明公开了在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法，包括：在开启电子束曝光设备以后，选择加速电压为10kV，电子束束闸大小为30μm，在涂有电子束光刻胶的晶片表面寻找颗粒聚焦，在低放大倍数下对电子束在表面的聚...
- 王秀平杨晓红韩勤
- 文献传递
- 高速高效光电探测器的制备、测试及特性分析被引量：4
- 2012年
- 报道了一种垂直入射的InP基InGaAs pin光电探测器,介绍了它的制备和测试方法并对器件所展示出的高效,高速,高线性度特性进行了分析。器件的暗电流密度在0和-5V偏压时分别为1.37×10-5 A/cm2和93×10-5 A/cm2;在1.55μm波长,-3V偏压下,器件的线性光响应高达28mW,相应的最大线性电流为17mA,响应度达到0.61A/W(无减反射膜);在-5V偏压下,器件获得高达17.5GHz的3dB带宽。
- 刘少卿韩勤杨晓红刘宇王杰王秀平
- 关键词：光学器件PIN探测器INGAAS
- 一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法
- 本发明公开了一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法，包括：选择外延片，在外延片上涂光刻胶，对外延片腐蚀出台面，形成源漏沟道，其中同一行的源极在光刻时连在一起；在源极和漏极蒸镀电极，进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触；...
- 聂诚磊杨晓红王秀平王杰刘少卿李彬杨怀伟尹伟红韩勤
- 文献传递
- 一种提高电子束曝光效率的方法
- 本发明公开了一种提高电子束曝光效率的方法，该方法利用电子束曝光中的邻近效应，在曝光的版图设计时利用平行间隔线条曝光图形取代大面积曝光图形，使实际曝光图形只占大面积曝光图形的一半，从而有效的降低了电子束曝光的面积，减少了电...
- 王秀平杨晓红韩勤王杰刘少卿
- 一种提高电子束曝光效率的方法
- 本发明公开了一种提高电子束曝光效率的方法，该方法利用电子束曝光中的邻近效应，在曝光的版图设计时利用平行间隔线条曝光图形取代大面积曝光图形，使实际曝光图形只占大面积曝光图形的一半，从而有效的降低了电子束曝光的面积，减少了电...
- 王秀平杨晓红韩勤王杰刘少卿
- 文献传递
- 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法
- 本发明公开了一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法，包括：在砷化镓衬底上生长波长可调谐共振腔增强型探测器的外延片；清洗外延片，并对外延片进行第一次光刻，获得单悬臂的光刻胶掩膜图形；对外延片进行腐蚀，腐蚀出所要...
- 王杰韩勤杨晓红王秀平刘少卿
- 用于电子束光刻胶PMMA的显影液及其配制方法
- 本发明公开了一种用于电子束光刻胶PMMA的显影液，该显影液是异丙醇、甲醇和去离子水的混合液，其中异丙醇、甲醇和去离子水的体积比为7∶2∶1。本发明同时公开了一种用于电子束光刻胶PMMA的显影液的配置方法，该方法包括：将异...
- 王秀平杨晓红韩勤
- 文献传递
- 在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法
- 本发明公开了在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法，包括：在开启电子束曝光设备以后，选择加速电压为10kV，电子束束闸大小为30μm，在涂有电子束光刻胶的晶片表面寻找颗粒聚焦，在低放大倍数下对电子束在表面的聚...
- 王秀平杨晓红韩勤
