王杰
- 作品数：9 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- 一种提高电子束曝光效率的方法
- 本发明公开了一种提高电子束曝光效率的方法，该方法利用电子束曝光中的邻近效应，在曝光的版图设计时利用平行间隔线条曝光图形取代大面积曝光图形，使实际曝光图形只占大面积曝光图形的一半，从而有效的降低了电子束曝光的面积，减少了电...
- 王秀平杨晓红韩勤王杰刘少卿
- 文献传递
- 高稳定线性调谐GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器
- 2012年
- 研制了一种GaAs基波长可调谐共振腔增强型探测器.采用分子束外延设备生长In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs量子阱作为器件的有源区,无偏压时器件的响应峰波长在1071 nm,器件在21 V的直流调谐电压下,实现了波长大于23 nm的调谐.统计结果表明,当调谐电压大于5 V时,调谐电压与响应波长之间具有稳定、精确的对应关系,且近似线性调谐,同时对器件响应峰的特性进行了理论分析.
- 王杰韩勤杨晓红倪海桥贺继方王秀平
- 关键词：GAAS高稳定线性调谐
- 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法
- 本发明公开了一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法，包括：在砷化镓衬底上生长波长可调谐共振腔增强型探测器的外延片；清洗外延片，并对外延片进行第一次光刻，获得单悬臂的光刻胶掩膜图形；对外延片进行腐蚀，腐蚀出所要...
- 王杰韩勤杨晓红王秀平刘少卿
- 文献传递
- 高速高效光电探测器的制备、测试及特性分析被引量：4
- 2012年
- 报道了一种垂直入射的InP基InGaAs pin光电探测器,介绍了它的制备和测试方法并对器件所展示出的高效,高速,高线性度特性进行了分析。器件的暗电流密度在0和-5V偏压时分别为1.37×10-5 A/cm2和93×10-5 A/cm2;在1.55μm波长,-3V偏压下,器件的线性光响应高达28mW,相应的最大线性电流为17mA,响应度达到0.61A/W(无减反射膜);在-5V偏压下,器件获得高达17.5GHz的3dB带宽。
- 刘少卿韩勤杨晓红刘宇王杰王秀平
- 关键词：光学器件PIN探测器INGAAS
- 一种提高电子束曝光效率的方法
- 本发明公开了一种提高电子束曝光效率的方法，该方法利用电子束曝光中的邻近效应，在曝光的版图设计时利用平行间隔线条曝光图形取代大面积曝光图形，使实际曝光图形只占大面积曝光图形的一半，从而有效的降低了电子束曝光的面积，减少了电...
- 王秀平杨晓红韩勤王杰刘少卿
- 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法
- 本发明公开了一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法，包括：在砷化镓衬底上生长波长可调谐共振腔增强型探测器的外延片；清洗外延片，并对外延片进行第一次光刻，获得单悬臂的光刻胶掩膜图形；对外延片进行腐蚀，腐蚀出所要...
- 王杰韩勤杨晓红王秀平刘少卿
- 图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究
- 2011年
- 报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构,量子线尺寸约为底边60nm高14nm的近三角形.低温87K下光致发光谱测试在793.7和799.5nm处出现峰值,验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示,相比等宽度量子阱有8meV的蓝移正是由于横向量子限制引起的.
- 王秀平杨晓红韩勤鞠研玲杜云朱彬王杰倪海桥贺继方王国伟牛智川
- 关键词：量子线GAAS
- 一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法
- 本发明公开了一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法，包括：选择外延片，在外延片上涂光刻胶，对外延片腐蚀出台面，形成源漏沟道，其中同一行的源极在光刻时连在一起；在源极和漏极蒸镀电极，进行电极退火形成源漏与导电沟道的欧姆接触；...
- 聂诚磊杨晓红王秀平王杰刘少卿李彬杨怀伟尹伟红韩勤
- 文献传递
- 平面型APD抑制边缘击穿的方法研究被引量：1
- 2012年
- 雪崩光电二极管(APD)作为一种具有内部增益的光电探测器,被广泛地应用于光纤通信领域,其中平面型APD具有暗电流低、可靠性高等优点而被大量研究。但是平面型APD边缘处由于高电场易被提前击穿,影响器件性能。文章对抑制平面型APD边缘击穿的不同方法进行了综述,指出它们的结构差别,并重点介绍保护环法的原理及保护环各个参数的优化。
- 杨怀伟韩勤杨晓红李彬王秀平王杰刘少卿
- 关键词：雪崩光电二极管保护环参数优化
