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王茂俊

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：香港科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电子迁移率
  • 2篇势垒
  • 2篇迁移率
  • 2篇阻断
  • 2篇离子
  • 2篇晶体管
  • 2篇击穿电压
  • 2篇氟离子
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇ALGAN/...
  • 2篇ALGAN/...

机构

  • 2篇香港科技大学

作者

  • 2篇陈敬
  • 2篇王茂俊

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及在其中形成背势垒区域的方法
本发明提供了在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中产生增强背势垒以提高器件击穿和阻挡特性的结构、器件和方法。在一个方面，在制备HEMT时可以利用选择性的氟离子注入来产生增强背势垒的结构。利用在2DEG沟道下...
陈敬王茂俊
文献传递
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
本发明提供了在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中产生增强背势垒以提高器件击穿和阻挡特性的结构、器件和方法。在一个方面，在制备HEMT时可以利用选择性的氟离子注入来产生增强背势垒的结构。利用在2DEG沟道下...
陈敬王茂俊
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