您的位置： 专家智库 > >

王集敏

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程理学文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 9篇感器
  • 9篇传感
  • 9篇传感器
  • 6篇硅基
  • 5篇漂洗
  • 5篇金属
  • 4篇填充因子
  • 4篇可见光传感器
  • 4篇基片
  • 4篇光传感器
  • 4篇光电
  • 4篇光电薄膜
  • 4篇磁阻
  • 3篇电极
  • 3篇原材料价格
  • 3篇金属电极
  • 3篇材料价格
  • 3篇磁场传感
  • 3篇磁场传感器
  • 2篇单晶

机构

  • 12篇清华大学

作者

  • 12篇王集敏
  • 11篇章晓中
  • 7篇万蔡华
  • 5篇朴红光
  • 4篇谭新玉
  • 4篇高熙礼
  • 2篇张歆
  • 2篇吴利华

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 12 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法
本发明公开了薄膜太阳能电池材料及光电器件材料技术领域的一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法。在n-Si(100)基片上依次设有氧化铝层和钴碳颗粒膜，形成具有白光光伏效应的异质结薄膜材料。采用激光脉冲沉积方法，...
章晓中张歆王集敏谭新玉
文献传递
一种硅基几何巨磁电阻器件及其制备方法
本发明公开了属于磁场检测和磁场传感器材料以及器件技术领域的一种硅基几何巨磁电阻器件及其制备方法。该硅基巨磁阻器件在单晶Si(100)基片表面设有氧化层，在氧化层上设置四个电极。四个电极的几何配置为矩形。制备时将n型Si基...
章晓中万蔡华高熙礼王集敏吴利华
文献传递
具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法
本发明公开了薄膜太阳能电池材料及光电器件材料技术领域的一种具有白光光伏效应的异质结薄膜材料及其制备方法。在n-Si(100)基片上依次设有氧化铝层和钴碳颗粒膜，形成具有白光光伏效应的异质结薄膜材料。采用激光脉冲沉积方法，...
章晓中张歆王集敏谭新玉
一种磁场可控的硅基非易失性阻变器件及制备方法
本发明公开了属于磁场控制和存储器制作技术领域的一种磁场可控的硅基非易失性阻变器件的结构及制备方法。该磁场可控的硅基非易失性阻变器件在矩形单晶硅基片表面上设置2块MgO区域，并于MgO上依次沉积相同面积大小的金属电极。其制...
章晓中王集敏朴红光罗昭初熊成悦
文献传递
具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料及其制备方法
本发明公开了属于新能源中薄膜太阳能电池及光电器件材料技术领域的具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料及其制备方法。在n型Si基片上依次设有氧化铝层和掺杂铁的碳层，形成具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料。该材料具有性能优越...
谭新玉章晓中王集敏万蔡华
文献传递
一种磁场可控的硅基非易失性阻变器件及制备方法
本发明公开了属于磁场控制和存储器制作技术领域的一种磁场可控的硅基非易失性阻变器件的结构及制备方法。该磁场可控的硅基非易失性阻变器件在矩形单晶硅基片表面上设置2块MgO区域，并于MgO上依次沉积相同面积大小的金属电极。其制...
章晓中王集敏朴红光罗昭初熊成悦
文献传递
具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料及其制备方法
本发明公开了属于新能源中薄膜太阳能电池及光电器件材料技术领域的具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料及其制备方法。在n型Si基片上依次设有氧化铝层和掺杂铁的碳层，形成具有光伏和光电导效应的掺铁碳薄膜材料。该材料具有性能优越...
谭新玉章晓中王集敏万蔡华
一种硅基异质PN结构几何巨磁阻器件及其制备方法
本发明公开了属于磁检测和磁传感器材料以及相关测控器件技术领域的一种硅基异质PN结构巨磁阻器件及其制备方法。该硅基巨磁阻器件是将p型/n型单晶Si(100)基片通过金属压焊或熔接(金属键合)制成p-Si/金属/n-Si串联...
章晓中朴红光万蔡华王集敏高熙礼
一种硅基几何巨磁电阻器件及其制备方法
本发明公开了属于磁场检测和磁场传感器材料以及器件技术领域的一种硅基几何巨磁电阻器件及其制备方法。该硅基巨磁阻器件在单晶Si(100)基片表面设有氧化层，在氧化层上设置4个电极。4个电极的几何配置为矩形。制备时将n型Si基...
章晓中万蔡华高熙礼王集敏吴利华
一种硅基异质PN结构几何巨磁阻器件及其制备方法
本发明公开了属于磁检测和磁传感器材料以及相关测控器件技术领域的一种硅基异质PN结构巨磁阻器件及其制备方法。该硅基巨磁阻器件是将p型/n型单晶Si(100)基片通过金属压焊或熔接(金属键合)制成p-Si/金属/n-Si串联...
章晓中朴红光万蔡华王集敏高熙礼
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0