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肖智博

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇晶格
  • 2篇超晶格
  • 1篇单量子阱
  • 1篇单量子阱激光...
  • 1篇射线衍射
  • 1篇砷化镓
  • 1篇铟镓砷
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇结构参数
  • 1篇晶格结构
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇功率
  • 1篇半导体
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇X射线衍射分...
  • 1篇GAAS/I...
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD生...

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇胡雄伟
  • 3篇肖智博
  • 3篇郑联喜
  • 1篇金星
  • 1篇王玉田
  • 1篇马朝华
  • 1篇梁骏吾
  • 1篇庄岩
  • 1篇韩勤
  • 1篇邓礼生
  • 1篇王启明
  • 1篇金才政
  • 1篇周帆
  • 1篇王小军

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
MOCVD生长大功率单量子阱激光器被引量：3
1996年
本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光器的最大光输出功率为４Ｗ，平均光功率密度达４ＭＷ／ｃｍ２，斜率效率为１．２Ｗ／Ａ，在１Ｗ恒功老化４０００小时电流增加小于１０％，预计寿命可超过两万小时．
郑联喜肖智博韩勤金才政周帆马朝华胡雄伟
关键词：单量子阱激光器激光器MOCVD
超晶格结构X射线衍射分析及其结构参数的计算
1995年
在本文中，我们在经典的Ｘ光运动学理论的基础上，加入一些改进，不再直接计算超晶格的结构因子Ｆ００Ｌ，而是计算各原子面的散射波函数，获得了卫星峰的模拟峰形和ｐｅｎｄｅｌｌｓｕｎｇ条纹，克服了原来不能解释峰形和ｐｅｎｄｅｌｌｓｕｎｇ现象的缺点．本文还用此方法对ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格进行了模拟计算，与实验吻合很好，证明了理论的正确性．
郑联喜王玉田庄岩邓礼生肖智博胡雄伟梁骏吾
关键词：超晶格结构参数X射线衍射
超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异
1997年
ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层上生长ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ／ＧａＡｓ超晶格（ｘ＜ｙ）．阱层处于压缩应变，垒层处于伸张应变，其厚度均小于ＭａｔｈｅｗｓＢｌａｋｅｓｌｅｅ（ＭＢ）平衡理论计算的临界厚度．透射电子显微镜及俄歇电子能谱、二级离子质谱测试发现，ＧａＡｓ／ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ界面铟组分过渡区比ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ／ＧａＡｓ界面铟组分过渡区窄；ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ合金阱层中，靠近ＧａＡｓ／ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ界面一端的铟组分更大．用ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ合金层中铟的分凝理论解释了超晶格中铟组分的分布特征．透射电子显微镜观察表明，ＧａＡｓ／ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ界面比ＩｎｙＧａ１－ｙＡｓ／ＧａＡｓ界面平整．提出一种新的弛豫机制来解释压缩应变和伸张应变的不同，对两个界面特性的差异也给予解释．
王小军金星张子平郑联喜肖智博肖智博王启明
关键词：超晶格砷化镓铟镓砷半导体
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