花吉珍
- 作品数：26 被引量：57H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大功率半导体激光器的腔面钝化被引量：4
- 2009年
- 大功率半导体激光器的腔面退化是影响其寿命和可靠性的重要因素,长期以来一直是人们关注和研究的重点。本文利用离子铣结合腔面钝化还原层的方法对大功率半导体激光器的腔面进行处理。结果显示,离子铣腔面钝化能够在一定程度上减少半导体激光器的功率退化,168h加速老化后退化幅度降低4.5%;同时该技术对老化过程中COD阈值降低有明显的抑制作用,可有效减少使用中的突然失效。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。
- 彭海涛家秀云张世祖花吉珍杨红伟陈宏泰安振峰
- 关键词：半导体激光器可靠性
- 10%占空比大功率半导体激光器线阵列被引量：5
- 2004年
- 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光(LD)线阵列的峰值波长为939.5nm,光谱的半高全宽(FWHM)为2.3nm,在400μs、250Hz的输入电流下,输出峰值功率达到65W(75A),斜率效率高达1W/A,阈值电流密度为185A/cm2,最高转换效率可达42%。
- 康志龙辛国锋陈国鹰花吉珍安振峰郭艳菊高丽艳
- 关键词：线阵列大功率半导体激光器峰值功率FWHM单量子阱激光器LD
- 湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究被引量：2
- 2005年
- 论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程。用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HBr:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最佳配比(1:1:30)以及合适的腐蚀条件(室温23℃)。利用这种腐蚀液得到的光栅图形可以满足DFB激光器的要求。
- 高丽艳陈国鹰花吉珍张世祖郭艳菊
- 关键词：扫描电子显微镜
- 941nm连续波高功率半导体激光器线阵列被引量：4
- 2004年
- 用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长、为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为77％),最高转换效率超过45％,阈值电流密度为117A/cm^2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。
- 辛国锋花吉珍陈国鹰康志龙安振峰冯荣珠
- 关键词：高功率金属有机化合物气相淀积半导体激光器阵列单量子阱
- 半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀被引量：1
- 2003年
- 研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程 ,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合 ,用扫描电子显微镜 (SEM)对其腐蚀情况进行了分析 ,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像 .通过调节HF/CrO3 腐蚀液的体积比 (从 0 0 2到 0 2 ) ,确定了AlxGa1-xAs组分渐变材料的腐蚀条件 (室温 2 3℃ ,腐蚀时间 4min)以及最佳配比 (体积比为 0 1) .利用这种腐蚀液得到的腐蚀图形可以满足激光器阵列的要求 .
- 辛国锋陈国鹰冯荣珠花吉珍安振峰牛健赵卫青
- 关键词：半导体激光器阵列扫描电子显微镜
- 基于腔面非注入技术的大功率半导体激光器被引量：3
- 2009年
- 采用腔面电流非注入技术,提高了808nm半导体激光器灾变性光学损伤(COD)阈值。通过腐蚀GaAs高掺杂层的方法,在半导体激光器腔面附近形成电流非注入区,以此来减少腔面处的载流子注入。载流子注入水平的降低,减少了腔面处非辐射复合的发生,因而提高了激光器的灾变性光学损伤阈值。应用电流非注入技术制作的器件的最大输出功率达到3.7W;而应用常规工艺制作的器件的最大输出功率为3.1W。同常规工艺相比,采用该技术使器件的最大输出功率提高了近20%。
- 张世祖杨红伟花吉珍陈宏泰陈玉娟家秀云徐会武沈牧
- 应用晶片键合技术制作激光器
- 2004年
- 针对于普通外延生长GaAs衬底激光器材料中存在的位错严重、热胀系数不匹配等问题,总结了国外键合工艺,将其应用于发光波长为850nm的AlGaAs脊波导量子阱激光器的制造,并提出了键合过程中各项关键步骤应注意的问题和解决方法。
- 牛健陈国鹰花吉珍赵卫青
- 关键词：晶片键合激光器材料GAAS衬底脊波导键合工艺量子阱激光器
- 900 nm窄发散角量子阱激光器被引量：4
- 2006年
- 使用传输矩阵方法模拟光场特性,设计了带有模式扩展层的900nm窄发散角量子阱激光器(LD),利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了器件。垂直方向远场发散角由常规结构LD的35°减小为20°,且阈值电流和光限制因子都没有明显变化。
- 田海涛陆中宏赵润韩威陈国鹰花吉珍
- 关键词：传输矩阵
- 9OOnm高功率半导体激光器线阵列被引量：3
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A。
- 辛国锋冯荣珠陈国鹰花吉珍
- 关键词：单量子阱材料结构
- 941nm大功率应变单量子阱激光器的波长设计被引量：11
- 2004年
- 从薛定谔方程出发推导了阶梯形有限深应变单量子阱中的特征值方程 ,研究了台阶宽度对激射波长、电子第一子能级、空穴第一子能级的影响以及空穴第一子能级对激射波长的影响 ,计算结果表明当有源区In组分较大时 ,不能忽略空穴第一子能级对激射波长的影响 .该模型计算结果与实验值相吻合 .
- 辛国锋陈国鹰花吉珍赵润康志龙冯荣珠安振峰
- 关键词：薛定谔方程应变量子阱量子阱激光器
