苏延芬
- 作品数：8 被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Trench MOSFET的研究与进展被引量：13
- 2007年
- 研究总结了功率MOSFET器件与BJT器件相比的发展优势。介绍了作为VDMOSFET进一步发展的新型器件Trench MOSFET研究提出的背景及意义,并从其基本结构出发阐述了Trench MOSFET与VDMOS相比的电学性能特点。最后对其发展现状,关键技术和结构参数及其发展趋势进行了概括、总结和展望。
- 苏延芬刘英坤
- 关键词：比导通电阻击穿电压
- 射频功率Trench MOSFET研制被引量：1
- 2008年
- 在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件。该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流大于3．0A、跨导大于0．8S、阂值电压2～3V、导通电阻比同样条件的VDMOS降低了19％～43％，在175MHz、VDS=12VTN出功率Po为7W、漏极效率ηD为44％、功率增益GP为10dB。
- 苏延芬刘英坤邓建国胡顺欣冯彬董四华
- 关键词：TRENCHMOSFET导通电阻饱和压降
- 用于自对准Si MMIC的等平面深槽隔离工艺(英文)
- 2013年
- 研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现。该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极的1.6μm宽、9μm深的隔离槽,接着对隔离槽通过热氧化二氧化硅、淀积氮化硅和多晶硅的形式进行填充,然后再采用高密度等离子体刻蚀设备对多晶硅进行反刻,其刻蚀时间通过终点检测系统来控制,最后再刻蚀出0.8μm深的有源区硅台面和采用1.5～1.6μm厚的氧化层对场区进行填充,藉此来保证隔离槽和有源区处于同一个平面上。此深槽隔离工艺与目前的多层金金属化系统兼容,且该工艺不会造成明显的硅有源区台面缺陷,测试结果表明:在15 V下的集电极-集电极漏电流仅为10 nA,该值远低于全氧化填充隔离槽工艺的5μA。
- 苏延芬梁东升胡顺欣邓建国
- 关键词：各向异性刻蚀自对准
- 微波等离子体刻蚀技术研究被引量：1
- 2009年
- 以Corial 200M型干法刻蚀机的三种刻蚀模式为基础,分析了微波等离子体刻蚀技术的优缺点,并讨论了下电极结构对干法刻蚀形貌、一致性和重复性的影响。利用微波等离子体刻蚀技术与反应离子刻蚀技术相结合,实现了SiO2各向同性刻蚀,成功应用于质量控制和失效分析等环节。
- 张振宇胡顺欣苏延芬邓建国刘英坤
- 关键词：高密度等离子体微波干法刻蚀
- 硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析
- 2015年
- 介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理。建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对Pt Si的影响。结果表明:RIE干法刻蚀在接触孔局部诱发Si损伤,接触孔侧壁角度减小导致参与合金的Pt总量增加,部分Pt沿此通道穿透发射结进入中性基区形成深能级陷阱,在高反偏集电极-发射极电压VCE作用下进入扩展的集电结空间电荷区,增加了空间电荷区电子-空穴对的产生率和集电结反偏电流ICO,形成快速增大的集电极-发射极漏电流ICEO,导致芯片失效。
- 胡顺欣李明月苏延芬邓建国
- 关键词：等离子体损伤
- GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件，所述方法包括：在器件上表面依次生长第一厚度的SiN层和第二厚度的SiO<Sub>2</Sub>层；去除所述SiO<Sub>2</S...
- 默江辉王川宝苏延芬崔雍宋洁晶崔玉兴
- 文献传递
- 高纵横选择比低损伤多晶硅栅的工艺实现被引量：2
- 2013年
- 分析了采用微波高密度等离子体刻蚀(HDP)系统刻蚀实现高纵横向刻蚀选择比、低等离子体损伤、精细线条尺寸的MOSFET多晶硅栅的可行性。研究了刻蚀用气体中CH4和SF6等离子体分别在多晶硅栅刻蚀当中的作用及其分别对刻蚀速率、多晶硅栅侧壁形貌的影响原理。提出了实现MOSFET多晶硅栅高速低损伤刻蚀及聚合物清洗相结合的两步刻蚀工艺技术。借助终点检测技术(EPD),通过优化各气体体积流量及合理选择两步刻蚀时间较好实现了较高的纵横向选择比、低刻蚀损伤及精细线条的MOSFET多晶硅栅刻蚀。
- 苏延芬苏丽娟胡顺欣邓建国
- 关键词：等离子体损伤
- GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件，所述方法包括：在器件上表面依次生长第一厚度的SiN层和第二厚度的SiO<Sub>2</Sub>层；去除所述SiO<Sub>2</S...
- 默江辉王川宝苏延芬崔雍宋洁晶崔玉兴
- 文献传递
