宋洁晶
- 作品数：31 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- 深硅刻蚀晶圆位置偏移分析与研究
- 2024年
- 晶圆位置偏移过大是导致深硅刻蚀设备发生传片报警问题的主要原因之一,尤其是在采用静电卡盘的设备中。阐述了晶圆位置发生偏移原因,重点研究了解吸附配方、顶针驱动和片间清洗方案。研究表明,静电吸盘的表面聚合物残留是导致静电释放不充分的主要因素,表面聚合物的清除有助于优化晶圆位置偏移。电动三针在固有残留静电力的情况下,通过缓慢连续升针方案缓解了跳片现象。优化片间清洗方案大幅减小表面聚合物残留。实验结果表明:优化后的解吸附配方为工艺时长90 s、电极功率1000 W、气压20 mTorr(1 mTorr≈0.133 Pa)、氩气体积流量250 mL/min,电动三针接触晶圆前、接触中、脱离静电吸盘后的升针速度分别为3、2和6 mm/s,在上述工艺条件下,通过进一步优化片间清洗方案,使得晶圆位置偏移量从初始的2~6 mm降至0.2 mm以内。
- 商庆杰康建波张发智宋洁晶
- 204~218GHz AlN基板散热增强式GaN二倍频器
- 2023年
- 针对传统肖特基势垒二极管基倍频器输出功率低的问题,提出了一种AlN基板散热增强式GaN二倍频器。倍频器采用AlN基板代替传统石英基板,结合具有高耐压特性的GaN肖特基势垒二极管,大幅提升了倍频器的散热特性及耐受功率。热仿真结果显示倍频器中芯片结温温升下降了约31%,耐受功率达到1 W以上。制作了二倍频器样品并对其输出功率、转换效率进行测试。测试结果表明,输入连续波功率为300 mW时,该二倍频器在204~218 GHz频带内的转换效率均大于10%,具有较大的工作带宽。在210 GHz工作频率下,将输入功率增加至900 mW,二倍频器依然能够稳定工作,实现了87 mW的输出功率和9.7%的转换效率。
- 宋洁晶高渊
- 关键词：散热
- GaN HEMT器件的通孔制备方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN HEMT器件的通孔制备方法，该方法包括：在晶圆的势垒层的上表面生长介质层；其中，所述晶圆包括SiC衬底、所述SiC衬底上表面的GaN外延层和所述GaN外延层上表面的势垒层；去...
- 宋洁晶谭永亮胡多凯李飞周国崔玉兴
- 文献传递
- 金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管
- 本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管，该方法包括：在硅基氮化镓晶圆上表面制备电极场板区；在硅基氮化镓晶圆上表面和硅晶圆上表面溅射第一金属层，并进行预键合；将载体与硅...
- 周国武毅畅付兴中廖龙忠秦龙宋洁晶冯立东宋红伟张力江崔玉兴
- 芯片的封装结构及封装方法
- 本发明提供一种芯片的封装结构及封装方法，其中，芯片的封装结构包括堆叠设置的至少两个晶圆级芯片；其中，晶圆级芯片包括：衬底、以及生长在衬底的上表面的GaN外延层，在GaN外延层上设置多个信号连接压点和多个接地压点，在衬底的...
- 崔雍廖龙忠朱延超宋洁晶付兴中张力江
- GaN HEMT器件及制备方法
- 本申请适用于高电子迁移率晶体管技术领域，提供了GaN HEMT器件及制备方法。该制备方法包括：在GaN外延层上形成SiN保护层，在SiN保护层上形成SiO<Sub>2</Sub>栅区域；以SiO<Sub>2</Sub>栅...
- 高渊李波秦龙宋洁晶赵红刚赵阳付兴中周国张力江崔玉兴
- GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件，所述方法包括：在器件上表面依次生长第一厚度的SiN层和第二厚度的SiO<Sub>2</Sub>层；去除所述SiO<Sub>2</S...
- 默江辉王川宝苏延芬崔雍宋洁晶崔玉兴
- 文献传递
- PECVD Si_(3)N_(4)薄膜淀积工艺
- 2024年
- 采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备氮化硅(Si_(3)N_(4))薄膜作为光电器件的重要介质膜,其性能好坏直接影响器件的性能。淀积的Si_(3)N_(4)薄膜主要用作光电探测器的扩散膜和增透膜,击穿电压是该器件中比较重要的测试参数。应力、击穿电压变化量则是器件的重要指标。通过试验对比和调试,发现不同工艺Si_(3)N_(4)介质膜应力和击穿电压变化量不同,最终实现了低应力、稳定击穿电压的膜层生长。300℃/150 W无氨Si_(3)N_(4)的压应力为50 MPa,在光照10 min后的击穿电压变化量小于0.1 V@50 V。
- ZHANG Qi张奇刘婷婷韩孟序商庆杰宋洁晶
- 关键词：PECVD应力击穿电压
- 掩埋异质结激光器的Mesa制备工艺
- 2023年
- 掩埋异质结结构的半导体激光器具有阈值低、光束质量好的优点。台面(Mesa)制作是掩埋结激光器加工过程中的一步关键工艺,采用传统的全湿法腐蚀工艺制作台面,3英寸圆片内腐蚀深度和器件输出功率水平差异较大。而采用干法刻蚀加湿法腐蚀工艺技术,制备出的台面表面光滑、侧壁连续,腐蚀深度差异为6%,最终器件输出功率水平的差异仅为2%。利用该掩埋结技术制备的1 550 nm大功率激光器均匀性有了较大提升,900μm腔长单管的阈值电流约12 mA,300 mA工作电流时功率输出100 mW。
- 张奇武艳青刘浩商庆杰宋洁晶
- 关键词：MESA干法刻蚀均匀性
- FBAR电极和压电薄膜制备工艺研究
- 2023年
- 薄膜体声波谐振器(FBAR)制备工艺中,压电薄膜及金属电极的质量和形貌直接影响了器件的性能如品质因数、插入损耗及带宽等。研究了决定FBAR性能的关键工艺,包括Mo电极的刻蚀、AlN压电薄膜的溅射和腐蚀,从而实现高质量电极及压电薄膜结构。同步调节光刻胶掩膜侧壁角度和刻蚀选择比,得到了平缓的底电极侧壁角度,实现了有利于AlN溅射连续性的底电极形貌,通过调节溅射工艺中N_(2)流量组分和温度等参数得到高质量的AlN薄膜,对比不同质量分数和温度的腐蚀溶液对AlN腐蚀工艺的影响,对AlN腐蚀不净及钻蚀问题进行分析,得到最佳的AlN腐蚀条件。最终工艺优化后制备出的FBAR经测试具有良好的滤波器特性,该研究对FBAR制备工艺和性能的提升具有借鉴意义。
- 高渊高渊宋洁晶李亮吕鑫冀子武
- 关键词：溅射刻蚀选择比
