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张力江

作品数：95 被引量：35H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家部委资助项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 66篇专利
  • 29篇期刊文章

领域

  • 43篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 20篇衬底
  • 19篇电极
  • 18篇谐振器
  • 13篇电路
  • 12篇腔体
  • 12篇晶体管
  • 12篇半导体
  • 11篇压电
  • 11篇压电层
  • 11篇GAN_HE...
  • 10篇晶圆
  • 10篇封装
  • 9篇多层结构
  • 8篇介质层
  • 7篇电镀
  • 7篇芯片
  • 7篇滤波器
  • 7篇刻蚀
  • 6篇电子迁移率
  • 6篇碳化硅

机构

  • 91篇中国电子科技...
  • 4篇河北半导体研...
  • 2篇东南大学
  • 2篇电子科技大学
  • 2篇专用集成电路...
  • 1篇北京大学
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇河北博威集成...
  • 1篇成都天箭科技...

作者

  • 95篇张力江
  • 55篇崔玉兴
  • 31篇付兴昌
  • 29篇商庆杰
  • 27篇付兴中
  • 23篇卜爱民
  • 23篇杨志
  • 23篇周国
  • 21篇高渊
  • 21篇李亮
  • 21篇梁东升
  • 21篇马杰
  • 19篇李丽
  • 19篇李宏军
  • 18篇王强
  • 15篇廖龙忠
  • 14篇蔡树军
  • 13篇宋洁晶
  • 11篇谭永亮
  • 11篇王川宝

传媒

  • 14篇半导体技术
  • 4篇微纳电子技术
  • 2篇电子工艺技术
  • 2篇数字技术与应...
  • 1篇电子学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇通讯世界
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇现代制造技术...

年份

  • 12篇2024
  • 15篇2023
  • 8篇2022
  • 7篇2021
  • 17篇2020
  • 4篇2019
  • 10篇2018
  • 4篇2017
  • 6篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 2篇2008
共 95 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碳化硅晶圆高温磁控溅射制备铝薄膜异常结晶现象
2024年
在碳化硅表面使用高温磁控溅射法制备铝薄膜过程中有时会出现异常“斑点”现象,针对出现该异常现象可能的原因进行了研究,确认其主要因素为溅射温度和溅射功率,SiC表面状态和金属体系对异常现象的出现影响很小。采用白光干涉仪测定正常和异常区域表面形貌和粗糙度,结果表明“斑点”区域粗糙度明显低于正常区域,两者分别为1.7和5.6 nm。采用聚焦离子束分析技术对比剖面结构差异,发现“斑点”区域存在明显晶粒合并现象,金属表面晶界比正常区域少很多。“斑点”形成的可能原因是沉积过程温度过高,导致Al膜沉积初始成核过程中大量晶核合并、晶界消失,从而表面粗糙度显著降低。
王川宝默江辉默江辉王帅张力江王帅
关键词：磁控溅射
一种谐振器封装系统
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器封装系统。该谐振器封装系统包括谐振器和所述谐振器的封装结构；所述谐振器包括：衬底和多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；所述封装结构包括：第一衬底、第...
李亮商庆杰梁东升赵洋王利芹丁现朋刘青林冯利东张丹青崔玉兴张力江刘相伍杨志李宏军钱丽旭李丽卜爱民王强蔡树军付兴昌
文献传递
一种GaN HEMT器件及制备方法
本发明提供了一种GaN HEMT器件及制备方法，属于半导体器件制备技术领域，GaN HEMT器件包括基底、欧姆电极、二氧化硅介质层、氮化硅介质层和栅金属层，制备方法包括在基底上制作欧姆电极‑依次形成二氧化硅介质层和氮化硅...
廖龙忠谭永亮高渊胡泽先付兴中张力江
文献传递
碳化硅器件终端结构及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅器件终端结构及其制作方法。该碳化硅器件终端结构包括N+型SiC衬底、第一N‑型外延层、第二N‑型外延层、第一P型主结、P型终端、第二P型主结、第一电极层和第二电极层，通过将P型终...
王永维马杰吕树海王国清张力江
文献传递
金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管
本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种金刚石基氮化镓晶体管制备方法及金刚石基氮化镓晶体管，该方法包括：在硅基氮化镓晶圆上表面制备电极场板区；在硅基氮化镓晶圆上表面和硅晶圆上表面溅射第一金属层，并进行预键合；将载体与硅...
周国武毅畅付兴中廖龙忠秦龙宋洁晶冯立东宋红伟张力江崔玉兴
GaAs PHEMT栅选择腐蚀工艺研究
2008年
基于GaAs PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)材料结构的设计,材料生长过程中增加了一层腐蚀终止层。经过大量的实验和腐蚀液体系的选取,完成了GaAs PHEMT工艺中能用于大批量生产的栅加工工艺。利用选择腐蚀终止层可以很容易地达到夹断电压和漏极电流的批量生产的一致性。本研究利用磷酸腐蚀液体系,在材料的设计中增加了InxGa1-xP腐蚀终止层,结果达到了预期目的,并已用于GaAs 0.25μm PHEMT标准工艺的生产中,获得了良好的经济效益。
王静辉张力江吴益竹
关键词：赝配高电子迁移率晶体管砷化镓
一种用于砷化镓晶圆级堆叠的工艺技术
2023年
随着电子系统对多功能、小型化要求的不断提高,将数字控制电路、移相器、低噪声放大器等砷化镓微波集成电路(MMICs)进行3D集成是解决问题的方向。为此,设计具有数百个互连点的孔链测试结构模拟上下两层电路互连,采用砷化镓穿孔技术将正面互连压点转移到背面,研究适用砷化镓薄片的晶圆级键合技术,开发出两片式砷化镓面对背的晶圆级堆叠工艺技术,堆叠成品率达到90%以上。利用这项工艺,将砷化镓数字电路堆叠到低噪声放大器芯片上,形成了Ka波段幅相多功能电路,测试在32~38 GHz频段内,接收端增益大于21.5 dB,噪声小于4 dB,移相精度小于4°;发射端增益大于23 dB,输出功率大于25 dBm(输入功率10 dBm),移相精度小于4°。
廖龙忠周国毕胜赢付兴中张力江
关键词：3D集成
2～8GHz宽带GaN功率放大器MMIC被引量：1
2016年
基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的28 GHz宽带功率放大器MMIC（单片微波集成电路）。MMIC所用Ga N HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性和性能;电路采用多极点电抗匹配网络,扩展了放大器的带宽,减小了电路的损耗。测试结果表明,在28 GHz测试频带内,在脉冲偏压28 V（脉宽1 ms,占空比30%）时,峰值输出功率大于30 W,功率附加效率大于25%,小信号增益大于24 d B,输入电压驻波比在2.8以下,在6 GHz处的峰值输出功率达到50 W,功率附加效率达到40%;在稳态偏压28 V时,连续波饱和输出功率大于20 W,功率附加效率大于20%。尺寸为4.0 mm×5.0 mm。
王会智高学邦刘波张力江冯志红
关键词：氮化镓功率放大器GHZ单片微波集成电路宽带
L波段GaN HEMT器件的研制被引量：3
2014年
基于标准工艺自主研制了L波段0．5μm栅长的GaNHEMT器件。该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸（1英寸=2．54cm）SiC衬底上生长的A1GaN／GaN异质结外延材料，通过欧姆接触工艺的改进将欧姆接触电阻值控制在了0．4Ω·mm以内，采用场板技术提高了器件击穿电压，采用高选择比的刻蚀工艺得到了一定倾角的通孔，提高了器件的散热能力及增益。结果表明，采用该技术研制的两胞内匹配GaNHEMT器件在工作频率1．5～1．6GHz下，实现了输出功率大于66W、功率增益大于15．2dB、功率附加效率大于62．2％。
闫锐银军崔玉兴张力江付兴昌高学邦吴洪江蔡树军杨克武
关键词：GAN内匹配L波段功率
一种MOM电容及其制作方法
本发明公开了一种MOM电容及其制作方法，属于电容的结构及其制作方法技术领域。主要包括以下几个步骤：一、氧化硅片；二、形成正面金属电极；三、在正面金属电极上粘贴蓝宝石基片；四、对硅片的背面进行光刻处理；五、腐蚀光刻掩膜以外...
商庆杰潘宏菽张力江付兴昌
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