杨志
- 作品数：80 被引量：48H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目河北省科技计划项目河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 数字式MEMS扬声器装置
- 本发明提供了一种数字式MEMS扬声器装置，属于微电子技术领域，包括包括：气阀结构，所述气阀结构包括依次层叠的硅衬底、固定网格结构、第一绝缘层和活动网格结构，硅衬底至少设有一个通气孔，固定网格结构包括与通气孔对应的第一像素...
- 杨志董春晖商庆杰张力江
- 硅基磁性材料衬底制备方法
- 本发明公开了一种硅基磁性材料衬底制备方法，涉及采用微电子机械加工技术制作硅基磁性材料衬底的方法技术领域。所述方法包括如下步骤：1）对底层单晶硅片进行双面抛光处理；2）使用光刻及反应离子刻蚀工艺在底层单晶硅片的上表面进行刻...
- 杨志汪蔚胡小东杨拥军徐永青胥超
- 文献传递
- 基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片的制备方法
- 本发明适用于水听器技术领域，提供了一种基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片的制备方法，该方法包括：在第一硅圆片的第一面上通过刻蚀制备多个弹性梁结构，获得第一样品；在第二硅圆片的第一面上通过刻蚀制备腔室，并在腔室内制备...
- 解涛杨志钱丽勋梁东升丁现朋李宏军王胜福郭松林孙从科徐佳李丽马文涛申晓芳朱毅凡刘婀芳
- 文献传递
- MEMS陀螺在片自动测试系统开发
- 2020年
- 为了快速评估出微机械陀螺的振动性能参数,结合ASIC探针卡,NI数据采集卡,半自动探针台和软件实现了圆片级自动测试,判断出陀螺是否能正常振荡。实验结果表明,该圆片级在片自动测试系统能准确的测量出芯片的振动性能,快速准确的反映出工艺能力,且实现圆片级挑选出不同等级性能的陀螺芯片,对陀螺的设计和生产加工具有重要的促进作用。
- 孙天玲胥超赵阳付兴中杨志
- 关键词：微机械陀螺
- 基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片
- 本发明适用于水听器技术领域，提供了一种基于弹性梁结构的MEMS压电声压传感芯片，包括：键合连接的第一基片和第二基片；第一基片的键合面上设置一凹槽，与第二基片的键合面形成一真空腔；第二基片的第二面上与凹槽对应位置设置感应结...
- 钱丽勋李宏军解涛王胜福杨志郭松林孙从科徐佳梁东升丁现朋于江涛周名齐周少波袁柯李理
- 文献传递
- 多层堆叠中晶圆级金金键合的可靠性提升
- 2024年
- 基于电学互联的贯穿硅通孔技术和高精度金金圆片键合技术,开发了一套可应用于制备三维集成射频(RF)收发系统的工艺,并利用反应离子刻蚀机(RIE)中氧气加六氟化硫的键合前处理技术解决了多层堆叠中键合强度较弱的问题。经过扫描电镜(SEM)观察和分析,键合强度弱确认为芯片贴装过程中晶圆表面沾污所致。传统的湿法前处理有一定的局限性,氧气等离子体方法去污能力较弱,均无法用于去除遗留的沾污。利用反应离子刻蚀机氧气加六氟化硫的前处理方式进行键合前处理,不仅增强了去污能力,而且将旧金表面低活性的金层去除,露出干净、活性高的新金表面,有效提升了金金键合的强度,为多层金金键合提供了一种有效的键合前处理方法。
- 商庆杰张丹青宋洁晶杨志
- 关键词：MEMS
- 无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用被引量：2
- 2014年
- 研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优化无氨氮化硅薄膜生长条件和硅腐蚀液温度,得到了高质量的氮化硅薄膜,颗粒以及针孔密度较少,0.2μm以上颗粒度小于100,提高了硅腐蚀掩蔽选择比。实验结果显示优化生长条件的氮化硅薄膜(衬底温度350℃,功率30 W),在85℃的TMAH硅腐蚀液中,硅的腐蚀速率为68μm/h,氮化硅薄膜腐蚀速率为33.2 nm/h,硅与氮化硅的腐蚀选择比为2 048,满足MEMS体硅腐蚀工艺对于掩膜特性的要求。
- 胥超徐永青杨志
- 硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线
- 本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基空气填充微同轴结构及硅基空气填充微同轴传输线，该硅基空气填充微同轴结构包括上层硅片、中层硅片和下层硅片；上层硅片设置第一凹槽；中层硅片的芯子硅片与第一凹槽位置对应；中层硅片的多...
- 钱丽勋王文军李宏军王建志申晓芳杨志付兴中董春晖王胜福李丰梁敬庭周名齐周少波陈旭东石晶晶
- 文献传递
- 硅腔体MEMS环行器的设计与制作被引量：3
- 2017年
- 设计制作了一种基于MEMS工艺的硅腔体环行器。该环行器以高阻硅为衬底材料,基于基片集成波导(SIW)技术的传输理论,采用体硅MEMS工艺和低损耗金属化技术实现了硅通孔及通孔金属化的制备。设计并仿真优化了硅腔体MEMS环行器结构,给出了一套硅腔体MEMS环行器制备的工艺流程,针对该工艺流程方案进行了关键参数的工艺误差仿真。实现了中心频率为13 GHz MEMS环行器的工艺制作和性能测试,频带内插损小于0.5 dB,电压驻波比(VSWR)小于1.25,隔离度大于20 dB,环行器尺寸仅为11.0 mm×11.0 mm×2.5 mm,远小于对应的波导腔体环行器。
- 李倩汪蔚杨拥军杨志
- 关键词：环行器
- 硅通孔结构及其制备方法
- 本发明适用于半导体集成封装技术领域，提供了一种硅通孔结构及其制备方法，该硅通孔结构包括：衬底和贯穿衬底上下表面的通孔阵列；通孔阵列中每个通孔包括一个下部孔和至少一个上部孔，每个上部孔均和下部孔连通，每个上部孔的孔径均小于...
- 何洪涛杨志胥超解涛
